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    SYSTEM ENERGY EFFICIENCY CONTROLLER, ENERGY EFFICIENCY GAIN DEVICE AND SMART ENERGY SERVICE SYSTEM USED FOR ENERGY UTILIZATION
    3.
    发明申请
    SYSTEM ENERGY EFFICIENCY CONTROLLER, ENERGY EFFICIENCY GAIN DEVICE AND SMART ENERGY SERVICE SYSTEM USED FOR ENERGY UTILIZATION 有权
    系统能源效率控制器，能源效率增益装置和用于能源利用的智能能源服务系统

    公开(公告)号：US20130073098A1

    公开(公告)日：2013-03-21

    申请号：US13695153

    申请日：2011-04-29

    申请人： Zhongxue Gan ,  Hao Wu ,  Qing Tang ,  Jinlai Li ,  Zhenlei Fang ,  Tao Liu

    发明人： Zhongxue Gan ,  Hao Wu ,  Qing Tang ,  Jinlai Li ,  Zhenlei Fang ,  Tao Liu

    IPC分类号： G05B19/02

    CPC分类号： G05B19/02 ,  H02J3/32 ,  H02J3/38 ,  H02J3/381 ,  H02J3/382 ,  H02J3/383 ,  H02J3/386 ,  Y02E10/563 ,  Y02E10/566 ,  Y02E10/763 ,  Y02E70/30 ,  Y02P80/114

    摘要： A system energy efficiency controller connected (105) to at least one of an energy generation device (101), an energy storage device (102), an energy utilization device (103) and an energy regeneration device (104) is disclosed for enabling energy utilization. Said system energy efficiency controller (105) cooperatively controls the input and output of a ubiquitous energy flow of at least one of the energy generation device (101), the energy storage device (102), the energy utilization device (103) and the energy regeneration device (104). Said ubiquitous energy flow includes at least one of an energy flow, a material flow, and an information flow. Also disclosed are an energy efficiency gain device, an energy efficiency matching station and a smart energy service system, which are connected with the controller (105). The present invention optimizes the entire process of energy utilization using the system energy efficiency controller (105), thus improving the system energy efficiency.

    摘要翻译： 公开了一种将系统能量效率控制器（105）连接到能量产生装置（101），能量存储装置（102），能量利用装置（103）和能量再生装置（104）中的至少一个上，以使能量 利用率。 所述系统能量效率控制器（105）协同地控制能量产生装置（101），能量存储装置（102），能量利用装置（103）和能量中的至少一个的无处不在的能量流的输入和输出 再生装置（104）。 所述普遍存在的能量流包括能量流，材料流和信息流中的至少一个。 还公开了与控制器（105）连接的能量效率增益装置，能量效率匹配台和智能能源服务系统。 本发明使用系统能量效率控制器（105）优化整个能量利用过程，从而提高系统能量效率。

    DEVICES AND METHODS FOR SUPPRESSION OF TINITTUS
    7.
    发明申请
    DEVICES AND METHODS FOR SUPPRESSION OF TINITTUS 有权
    用于抑制TINITTUS的装置和方法

    公开(公告)号：US20110105967A1

    公开(公告)日：2011-05-05

    申请号：US12746171

    申请日：2008-12-05

    申请人： Fan-Gang Zeng ,  Qing Tang ,  Jeffrey Alan Carroll

    发明人： Fan-Gang Zeng ,  Qing Tang ,  Jeffrey Alan Carroll

    IPC分类号： A61F11/04 ,  A61N1/36

    CPC分类号： A61B5/128 ,  A61M21/00 ,  A61M2021/0027 ,  A61N1/36036 ,  H04R25/75

    摘要： Methods and devices for treating tinnitus in human or animal subjects wherein the subject is caused to perceive a tinnitus suppressing sound which fully or partially suppresses the subject's tinnitus. In some embodiments of this method, the subject selects a sound that he or she perceives to be the same as the tinnitus and that sound (or a similar sound that is complementary to the subject's perceived tinnitus) is then used as the tinnitus suppressing sound. In other embodiments, the tinnitus suppressing may be a sound that has previously been determined to suppress tinnitus in a substantial number of subjects.

    摘要翻译： 用于治疗人或动物受试者的耳鸣的方法和装置，其中使受试者感知到完全或部分抑制受试者的耳鸣的耳鸣抑制声音。 在该方法的一些实施例中，对象选择他或她感觉与耳鸣相同的声音，然后将该声音（或与被摄体感知到的耳鸣互补的类似声音）用作耳鸣抑制声音。 在其他实施例中，耳鸣抑制可以是先前已被确定为在大量受试者中抑制耳鸣的声音。

    Semiconductor device with a conductive layer including a copper layer with a dopant
    10.
    发明授权
    Semiconductor device with a conductive layer including a copper layer with a dopant 有权
    具有包括具有掺杂剂的铜层的导电层的半导体器件

    公开(公告)号：US07187080B2

    公开(公告)日：2007-03-06

    申请号：US10964963

    申请日：2004-10-14

    申请人： Qing-Tang Jiang ,  Changming Jin ,  Joseph D. Luttmer

    发明人： Qing-Tang Jiang ,  Changming Jin ,  Joseph D. Luttmer

    IPC分类号： H01L23/48

    CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76888

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of providing a semiconductor substrate (202), forming a dielectric layer (204) over the semiconductor substrate (202), and etching a trench or a via (206) in the dielectric layer (204) to expose a portion of the surface of the semiconductor substrate (202). The method also includes the step of forming a conductive layer (212, 220) within in the trench or the via (206). The method further includes the steps of polishing a portion of the conductive layer (220) and annealing the conductive layer (212, 220) at a predetermined temperature. Moreover, the conductive layer (212, 220) also includes a dopant, and the dopant diffuses substantially to the surface of the top side of the conductive layer (212, 220) to form a dopant oxide layer (212a, 220a) when the conductive layer (212, 220) is annealed at the predetermined temperature and the dopant is exposed to oxygen.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供半导体衬底（202），在半导体衬底（202）上形成电介质层（204），并蚀刻电介质层（204）中的沟槽或通孔（206） ）以暴露半导体衬底（202）的表面的一部分。 该方法还包括在沟槽或通孔（206）内形成导电层（212,220）的步骤。 该方法还包括以下步骤：抛光导电层（220）的一部分并在预定温度下退火导电层（212,220）。 此外，导电层（212,220）还包括掺杂剂，并且掺杂剂基本上扩散到导电层（212,220）的顶侧的表面，以形成掺杂剂氧化物层（212a，220a），当 导电层（212,220）在预定温度下退火，掺杂剂暴露于氧气。