公开(公告)号：US20160301891A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：US15087043

申请日：2016-03-31

申请人： Jae Hong KIM ,  Seung Hyun LIM ,  Han Kook CHO ,  Dong Hun LEE ,  Seog Heon HAM

发明人： Jae Hong KIM ,  Seung Hyun LIM ,  Han Kook CHO ,  Dong Hun LEE ,  Seog Heon HAM

IPC分类号： H04N5/3745 ,  H04N5/374

CPC分类号： H04N5/37455 ,  H04N5/3658 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

摘要： An image sensor and an image processing system including the same are provided. The image sensor includes a pixel array including a plurality of pixels each connected to one of first through m-th column lines to output a pixel signal, where “m” is an integer of at least 2; analog-to-digital converters each configured to receive the pixel signal corresponding to one of the first through m-th column lines, to compare the pixel signal with a ramp signal, and to convert the pixel signal to a digital pixel signal; and a blocking circuit connected to an input terminal of at least one of the analog-to-digital converters to block an influence of an operation of others among the analog-to-digital converters.

摘要翻译： 提供了一种图像传感器和包括该图像传感器的图像处理系统。 图像传感器包括像素阵列，其包括多个像素，每个像素连接到第一至第m列之一，以输出像素信号，其中“m”为至少2的整数; 模拟 - 数字转换器，每个被配置为接收对应于第一至第m列列之一的像素信号，以将像素信号与斜坡信号进行比较，并将像素信号转换为数字像素信号; 以及阻塞电路，其连接到所述模数转换器中的至少一个的输入端子，以阻止所述模数转换器中的其他操作的影响。

公开(公告)号：US20140024189A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：US13943911

申请日：2013-07-17

申请人： Bi-O Kim ,  Toshiro Nakanishi ,  Jin-Tae Noh ,  Chang-Woo Sun ,  Seung-Hyun Lim ,  Jae-Young Ahn ,  Ki-Hyun Hwang

发明人： Bi-O Kim ,  Toshiro Nakanishi ,  Jin-Tae Noh ,  Chang-Woo Sun ,  Seung-Hyun Lim ,  Jae-Young Ahn ,  Ki-Hyun Hwang

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： Methods of fabricating vertical memory devices are provided including forming a plurality of alternating insulating layers and sacrificial layers on a substrate; patterning and etching the plurality of insulating layer and sacrificial layers to define an opening that exposes at least a portion of a surface of the substrate; forming a charge trapping pattern and a tunnel insulating pattern on a side wall of the opening; forming a channel layer on the tunnel insulating layer on the sidewall of the opening, the channel layer including N-type impurity doped polysilicon; forming a buried insulating pattern on the channel layer in the opening; and forming a blocking dielectric layer and a control gate on the charge trapping pattern of one side wall of the channel layer.

摘要翻译： 提供制造垂直存储器件的方法包括在衬底上形成多个交替绝缘层和牺牲层; 图案化和蚀刻所述多个绝缘层和牺牲层以限定暴露所述衬底的表面的至少一部分的开口; 在开口的侧壁上形成电荷捕获图案和隧道绝缘图案; 在开口的侧壁上的隧道绝缘层上形成沟道层，沟道层包括N型杂质掺杂多晶硅; 在开口中的沟道层上形成掩埋绝缘图案; 以及在沟道层的一个侧壁的电荷捕获图案上形成阻挡电介质层和控制栅极。

公开(公告)号：US08547461B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13240670

申请日：2011-09-22

申请人： Wun-Ki Jung ,  Seung-Hyun Lim ,  Dong-Hun Lee ,  Kwi-Sung Yoo ,  Min-Ho Kwon ,  Chi-Ho Hwang

发明人： Wun-Ki Jung ,  Seung-Hyun Lim ,  Dong-Hun Lee ,  Kwi-Sung Yoo ,  Min-Ho Kwon ,  Chi-Ho Hwang

IPC分类号： H04N3/14 ,  H03M1/12

CPC分类号： H04N5/378 ,  H03M1/162 ,  H03M1/56 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/374

摘要： An analog-to-digital converter includes a comparison signal generation unit and a control unit. The comparison signal generation unit determines a logic level of a comparison signal by comparing an input signal with a selected reference signal based on a switch control signal in a first comparison mode, and by comparing a difference voltage with a ramp signal based on the switch control signal in a second comparison mode. The difference voltage is generated based on the input signal and the selected reference signal such that a level of the difference voltage is lower than a fine voltage level corresponding to a voltage level of the selected reference signal in the second comparison mode. The control unit generates the switch control signal based on the comparison signal and a mode selection signal.

摘要翻译： 模数转换器包括比较信号生成单元和控制单元。 比较信号生成单元通过在第一比较模式中基于开关控制信号比较输入信号与所选择的参考信号，并且通过基于开关控制将差分电压与斜坡信号进行比较来确定比较信号的逻辑电平 信号在第二比较模式。 基于输入信号和所选择的参考信号产生差分电压，使得差分电压的电平低于与第二比较模式中所选参考信号的电压电平相对应的精细电压电平。 控制单元基于比较信号和模式选择信号产生开关控制信号。

公开(公告)号：US20110198685A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13095408

申请日：2011-04-27

申请人： Hyun-Suk Kim ,  Sun-II Shim ,  Chang-Seok Kang ,  Won-Cheol Jeong ,  Jung-Dal Choi ,  Jae-Kwan Park ,  Seung-Hyun Lim ,  Sun-Jung Kim

发明人： Hyun-Suk Kim ,  Sun-II Shim ,  Chang-Seok Kang ,  Won-Cheol Jeong ,  Jung-Dal Choi ,  Jae-Kwan Park ,  Seung-Hyun Lim ,  Sun-Jung Kim

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： Non-volatile memory devices are provided including a control gate electrode on a substrate; a charge storage insulation layer between the control gate electrode and the substrate; a tunnel insulation layer between the charge storage insulation layer and the substrate; a blocking insulation layer between the charge storage insulation layer and the control gate electrode; and a material layer between the tunnel insulation layer and the blocking insulation layer, the material layer having an energy level constituting a bottom of a potential well.

摘要翻译： 提供了非易失性存储器件，其包括在衬底上的控制栅电极; 在控制栅电极和衬底之间的电荷存储绝缘层; 在电荷存储绝缘层和衬底之间的隧道绝缘层; 电荷存储绝缘层和控制栅电极之间的阻挡绝缘层; 以及隧道绝缘层和阻挡绝缘层之间的材料层，材料层具有构成势阱底部的能级。

公开(公告)号：US20110043676A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12828478

申请日：2010-07-01

申请人： Seung hyun LIM ,  Jeong hwan LEE ,  Kun hee CHO ,  Gun Hee HAN ,  Kwi Sung YOO ,  Seog heon HAM

发明人： Seung hyun LIM ,  Jeong hwan LEE ,  Kun hee CHO ,  Gun Hee HAN ,  Kwi Sung YOO ,  Seog heon HAM

IPC分类号： H04N5/335

CPC分类号： H04N5/378 ,  H03M1/1023 ,  H03M1/56

摘要： A CMOS image sensor includes a photodiode, a switch configured to transfer a signal sensed by the photodiode to a sensing node, and a comparator electrically and directly connected to the sensing node and configured to compare the sensed signal of the sensing node and a ramp signal. Reset offset of the comparator is maintained at a constant offset voltage level during an initialization mode.

摘要翻译： CMOS图像传感器包括光电二极管，被配置为将由光电二极管感测的信号传送到感测节点的开关，以及比较器，电连接并直接连接到感测节点，并且被配置为将感测节点的感测信号与斜坡信号 。 在初始化模式期间，比较器的复位偏移保持在恒定的偏移电压电平。

公开(公告)号：US07560383B2

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US11398217

申请日：2006-04-05

申请人： Kyong-Hee Joo ,  Yong-Won Cha ,  Seung-Hyun Lim ,  In-Seok Yeo ,  Kyu-Tae Na

发明人： Kyong-Hee Joo ,  Yong-Won Cha ,  Seung-Hyun Lim ,  In-Seok Yeo ,  Kyu-Tae Na

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C23C16/042 ,  C23C16/507 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7883

摘要： In a method of forming a thin layer having a desired composition, a source gas is provided onto a substrate loaded in a chamber for a first time, and the source gas is chemisorbed onto the substrate. While the source gas is provided, a plasma is generated in the chamber for a second time to change the chemisorbed source gas into the thin layer having the desired composition. The thin layer may have a stoichiometrical composition or a non-stoichiometrical composition.

摘要翻译： 在形成具有所需组成的薄层的方法中，将源气体第一次提供到装载在室中的基板上，并且源气体被化学吸附到基板上。 当提供源气体时，在室中产生等离子体第二次以将化学吸附的源气体改变成具有所需组成的薄层。 薄层可以具有化学计量组成或非化学计量组成。

公开(公告)号：US20070066083A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11494451

申请日：2006-07-28

申请人： Sang-Ryol Yang ,  Kyong-Hee Joo ,  In-Seok Yeo ,  Ki-Hyun Hwang ,  Seung-Hyun Lim

发明人： Sang-Ryol Yang ,  Kyong-Hee Joo ,  In-Seok Yeo ,  Ki-Hyun Hwang ,  Seung-Hyun Lim

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02164 ,  B82Y10/00 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/32055 ,  H01L29/42328 ,  Y10S438/962

摘要： In a method of forming a silicon-rich nanocrystalline structure by an ALD process, a first gas including a first silicon compound is provided onto an object to form a silicon-rich chemisorption layer on the object. A second gas including oxygen is provided onto the silicon-rich chemisorption layer to form a silicon-rich insulation layer on the object. A third gas including a second silicon compound is provided onto the silicon-rich insulation layer to form a silicon nanocrystalline layer on the silicon-rich insulation layer. The first gas, the second gas and the third gas may be repeatedly provided to alternately form the silicon-rich nanocrystalline structure having a plurality of silicon-rich insulation layers and a plurality of silicon nanocrystalline layers on the object.

摘要翻译： 在通过ALD工艺形成富含硅的纳米晶体结构的方法中，将包含第一硅化合物的第一气体提供到物体上以在物体上形成富含硅的化学吸附层。 在富含硅的化学吸附层上提供包含氧的第二气体，以在物体上形成富含硅的绝缘层。 在富硅绝缘层上提供包括第二硅化合物的第三气体，以在富硅绝缘层上形成硅纳米晶层。 可以重复地提供第一气体，第二气体和第三气体以交替地形成在物体上具有多个富硅绝缘层和多个硅纳米晶层的富含硅的纳米晶体结构。

公开(公告)号：US20060246661A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11398217

申请日：2006-04-05

申请人： Kyong-Hee Joo ,  Yong-Won Cha ,  Seung-Hyun Lim ,  In-Seok Yeo ,  Kyu-Tae Na

发明人： Kyong-Hee Joo ,  Yong-Won Cha ,  Seung-Hyun Lim ,  In-Seok Yeo ,  Kyu-Tae Na

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： C23C16/042 ,  C23C16/507 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7883

摘要： In a method of forming a thin layer having a desired composition, a source gas is provided onto a substrate loaded in a chamber for a first time, and the source gas is chemisorbed onto the substrate. While the source gas is provided, a plasma is generated in the chamber for a second time to change the chemisorbed source gas into the thin layer having the desired composition. The thin layer may have a stoichiometrical composition or a non-stoichiometrical composition.

公开(公告)号：US09270232B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US13618156

申请日：2012-09-14

申请人： Yu Jin Park ,  Soon Hwa Kang ,  Min Ho Kwon ,  Jae Hong Kim ,  Kwi Sung Yoo ,  Seung Hyun Lim

发明人： Yu Jin Park ,  Soon Hwa Kang ,  Min Ho Kwon ,  Jae Hong Kim ,  Kwi Sung Yoo ,  Seung Hyun Lim

IPC分类号： H04N5/335 ,  H03F1/34 ,  H03F1/08 ,  H03F3/45 ,  G11C27/02

CPC分类号： H03F1/34 ,  G11C27/026 ,  H03F1/086 ,  H03F3/45188 ,  H03F2200/153 ,  H03F2203/45512 ,  H03F2203/45514

摘要： An apparatus includes an operational amplifier circuit comprising at least one operational amplifier and a feedback circuit coupled between the output terminal and input terminal of the operational amplifier circuit and configured to apply a feedback gain to an output signal at the output of the first operational amplifier. The apparatus further includes a variable compensation capacitor coupled to the output terminal of the operational amplifier circuit and configured to vary a capacitance thereof responsive to the feedback gain.

摘要翻译： 一种装置包括运算放大器电路，其包括至少一个运算放大器和耦合在运算放大器电路的输出端和输入端之间的反馈电路，并被配置为向第一运算放大器的输出处的输出信号施加反馈增益。 该装置还包括耦合到运算放大器电路的输出端并被配置成根据反馈增益来改变其电容的可变补偿电容器。

公开(公告)号：US08982259B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13348044

申请日：2012-01-11

申请人： Kwi Sung Yoo ,  Min Ho Kwon ,  Wun-Ki Jung ,  Jin Ho Seo ,  Dong Hun Lee ,  Seung Hyun Lim ,  Jae Hong Kim

发明人： Kwi Sung Yoo ,  Min Ho Kwon ,  Wun-Ki Jung ,  Jin Ho Seo ,  Dong Hun Lee ,  Seung Hyun Lim ,  Jae Hong Kim

IPC分类号： H04N5/335 ,  H03M1/16 ,  H03M3/00 ,  H04N5/378 ,  H03M1/50

CPC分类号： H03M1/164 ,  H03M1/50 ,  H03M3/424 ,  H03M3/456 ,  H03M3/458 ,  H04N5/378

摘要： An image sensor includes a pixel array including a plurality of pixels which are arranged in a matrix of a plurality of rows and columns and each of the plurality of pixels being configured to convert intensity of incident light into an electrical image signal; and an extended counting analog-to-digital converter configured to perform a first analog-to-digital conversion to provide a digital signal from an output signal of the pixel array, to obtain a residue using the output signal of the pixel array and the digital signal, and to perform a second analog-to-digital conversion using the residue.

摘要翻译： 图像传感器包括：像素阵列，其包括以多个行和列的矩阵排列的多个像素，并且所述多个像素中的每一个被配置为将入射光的强度转换为电图像信号; 以及扩展计数模数转换器，其被配置为执行第一模数转换以从所述像素阵列的输出信号提供数字信号，以使用所述像素阵列的输出信号和所述数字 信号，并且使用残留物进行第二模拟 - 数字转换。