公开(公告)号：US09379229B2

公开(公告)日：2016-06-28

申请号：US13403329

申请日：2012-02-23

申请人： Toshihiro Ohki

发明人： Toshihiro Ohki

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H02M3/33507 ,  H03F1/3241 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor apparatus includes a substrate, a semiconductor layer formed above the substrate and including a nitride semiconductor, an electrode formed above the semiconductor layer and including gold, a barrier film formed above the electrode and a protection film formed above the semiconductor layer and including one of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon oxynitride film. The protection film is formed on the barrier film. The barrier film includes a metal oxide material, a metal nitride film, or a metal oxynitride film.

摘要翻译： 一种半导体装置，包括：衬底，形成在衬底上并包括氮化物半导体的半导体层，形成在半导体层上方并包括金的电极，形成在电极上方的阻挡膜和形成在半导体层上方的保护膜， 的氧化硅膜，氮化硅膜和氮氧化硅膜。 保护膜形成在阻挡膜上。 阻挡膜包括金属氧化物材料，金属氮化物膜或金属氧氮化物膜。

公开(公告)号：US08829569B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13290420

申请日：2011-11-07

申请人： Toshihiro Ohki ,  Hiroshi Endo

发明人： Toshihiro Ohki ,  Hiroshi Endo

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7788 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903

摘要： A semiconductor apparatus includes a first semiconductor layer formed on a substrate, a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer, a gate recess formed by removing at least a portion of the second semiconductor layer, an insulation film formed on the gate recess and the second semiconductor layer, a gate electrode formed on the gate recess via the insulation film, source and drain electrodes formed on one of the first and the second semiconductor layers, and a fluorine containing region formed in at least one of a part of the first semiconductor layer corresponding to a region in which the gate recess is formed and a part of the second semiconductor layer corresponding to the region in which the gate recess is formed.

摘要翻译： 半导体装置包括形成在基板上的第一半导体层，形成在第一半导体层上的第二半导体层，通过去除第二半导体层的至少一部分形成的栅极凹槽，形成在栅极凹部上的绝缘膜和 第二半导体层，经由绝缘膜形成在栅极凹部上的栅电极，形成在第一和第二半导体层中的一个上的源极和漏极;以及形成在第一半导体的一部分中的至少一个中的含氟区域 层对应于其中形成栅极凹部的区域和与形成栅极凹槽的区域相对应的第二半导体层的一部分。

公开(公告)号：US20130083568A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13555420

申请日：2012-07-23

申请人： Kozo MAKIYAMA ,  Naoya Okamoto ,  Toshihiro Ohki ,  Yuichi Minoura ,  Shirou Ozaki ,  Toyoo Miyajima

发明人： Kozo MAKIYAMA ,  Naoya Okamoto ,  Toshihiro Ohki ,  Yuichi Minoura ,  Shirou Ozaki ,  Toyoo Miyajima

IPC分类号： H01L29/78 ,  H02M5/458 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

摘要： An HEMT includes, on an SiC substrate, a compound semiconductor layer, a silicon nitride (SiN) protective film having an opening and covering the compound semiconductor layer, and a gate electrode formed on the compound semiconductor layer so as to plug the opening. In the protective film, a projecting portion projecting from a side surface of the opening is formed at a lower layer portion 6a.

摘要翻译： HEMT在SiC衬底上包括化合物半导体层，具有开口并覆盖化合物半导体层的氮化硅（SiN）保护膜和形成在化合物半导体层上的栅电极以堵塞开口。 在保护膜中，从开口侧面突出的突出部形成在下层部6a。

公开(公告)号：US20120217543A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13328244

申请日：2011-12-16

申请人： Yuichi MINOURA ,  Toshihide Kikkawa ,  Toshihiro Ohki

发明人： Yuichi MINOURA ,  Toshihide Kikkawa ,  Toshihiro Ohki

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

摘要： At least one kind of impurity selected from, for example, Fe, C, B, Ti, Cr is introduced into at least a buffer layer of a compound semiconductor layered structure from a rear surface of the compound semiconductor layered structure to make a resistance value of the buffer layer high.

摘要翻译： 从化合物半导体层叠结构的背面，至少从化合物半导体层叠结构体的缓冲层中导入至少一种选自例如Fe，C，B，Ti，Cr的杂质，形成电阻值 的缓冲层高。

公开(公告)号：US20120217507A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13403329

申请日：2012-02-23

申请人： Toshihiro OHKI

发明人： Toshihiro OHKI

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H02M3/33507 ,  H03F1/3241 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor apparatus includes a substrate, a semiconductor layer formed above the substrate and including a nitride semiconductor, an electrode formed above the semiconductor layer and including gold, a barrier film formed above the electrode and a protection film formed above the semiconductor layer and including one of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon oxynitride film. The protection film is formed on the barrier film. The barrier film includes a metal oxide material, a metal nitride film, or a metal oxynitride film.

摘要翻译： 一种半导体装置，包括：衬底，形成在衬底上并包括氮化物半导体的半导体层，形成在半导体层上方并包括金的电极，形成在电极上方的阻挡膜和形成在半导体层上方的保护膜， 的氧化硅膜，氮化硅膜和氮氧化硅膜。 保护膜形成在阻挡膜上。 阻挡膜包括金属氧化物材料，金属氮化物膜或金属氧氮化物膜。

公开(公告)号：US20120205662A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13357901

申请日：2012-01-25

申请人： Norikazu Nakamura ,  Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Keiji Watanabe

发明人： Norikazu Nakamura ,  Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Keiji Watanabe

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903

摘要： A semiconductor device includes: a semiconductor layer formed over a substrate; an insulating film formed over the semiconductor layer; and an electrode formed over the insulating film, wherein the insulating film includes an amorphous film including carbon.

摘要翻译： 半导体器件包括：形成在衬底上的半导体层; 形成在所述半导体层上的绝缘膜; 以及形成在所述绝缘膜上的电极，其中所述绝缘膜包括包含碳的非晶膜。

公开(公告)号：US20120146046A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13290420

申请日：2011-11-07

申请人： Toshihiro OHKI ,  Hiroshi Endo

发明人： Toshihiro OHKI ,  Hiroshi Endo

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7788 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903

摘要： A semiconductor apparatus includes a first semiconductor layer formed on a substrate, a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer, a gate recess formed by removing at least a portion of the second semiconductor layer, an insulation film formed on the gate recess and the second semiconductor layer, a gate electrode formed on the gate recess via the insulation film, source and drain electrodes formed on one of the first and the second semiconductor layers, and a fluorine containing region formed in at least one of a part of the first semiconductor layer corresponding to a region in which the gate recess is formed and a part of the second semiconductor layer corresponding to the region in which the gate recess is formed.

摘要翻译： 半导体装置包括形成在基板上的第一半导体层，形成在第一半导体层上的第二半导体层，通过去除第二半导体层的至少一部分形成的栅极凹槽，形成在栅极凹部上的绝缘膜和 第二半导体层，经由绝缘膜形成在栅极凹部上的栅电极，形成在第一和第二半导体层中的一个上的源极和漏极;以及形成在第一半导体的一部分中的至少一个中的含氟区域 层对应于其中形成栅极凹部的区域和与形成栅极凹槽的区域相对应的第二半导体层的一部分。

公开(公告)号：US20120139630A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13280677

申请日：2011-10-25

申请人： Shirou OZAKI ,  Norikazu Nakamura ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

发明人： Shirou OZAKI ,  Norikazu Nakamura ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

IPC分类号： H01L29/78 ,  H02M3/24 ,  H03F3/04 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7788 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247

摘要： On a surface of a compound semiconductor layer including inner wall surfaces of an electrode trench, an etching residue 12a and an altered substance 12b which are produced due to dry etching for forming the electrode trench are removed, and a compound semiconductor is terminated with fluorine. Gate metal is buried in the electrode trench via a gate insulating film, or the gate metal is directly buried in the electrode trench, whereby a gate electrode is formed.

摘要翻译： 在包括电极沟槽的内壁表面的化合物半导体层的表面上，除去由于用于形成电极沟槽的干蚀刻而产生的蚀刻残余物12a和改变物质12b，并且化合物半导体被氟终止。 栅极金属通过栅极绝缘膜埋入电极沟槽中，或者栅极金属直接埋入电极沟槽中，从而形成栅电极。

公开(公告)号：US20120091522A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13276521

申请日：2011-10-19

申请人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

发明人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first semiconductor layer formed over a substrate, a second semiconductor layer formed over the first semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode formed over the second semiconductor layer, an insulating film formed over the second semiconductor layer, a gate electrode formed over the insulating film, and a protection film covering the insulating film, the protection film being formed by thermal CVD, thermal ALD, or vacuum vapor deposition.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体层，形成在第一半导体层上的第二半导体层，形成在第二半导体层上的源电极和漏电极，形成在第二半导体层上的绝缘膜，栅极 形成在绝缘膜上的电极，以及覆盖绝缘膜的保护膜，保护膜通过热CVD，热ALD或真空气相沉积形成。

公开(公告)号：US08003452B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12639546

申请日：2009-12-16

申请人： Toshihiro Ohki

发明人： Toshihiro Ohki

IPC分类号： H01L21/388 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor device includes a carrier transit layer formed over a substrate; a carrier supply layer formed over the carrier transit layer; a first metal film and a second metal film formed over the carrier supply layer; a first Al comprising film formed over the first metal film; a second Al comprising film formed over the second metal film; a first Au comprising film formed over the first metal film and is free of direct contact with the first Al comprising film; a second Au comprising film formed over the second metal film and free of direct contact with the second Al comprising film; and a gate electrode that is located over the carrier supply layer between the first metal film and the second metal film.

摘要翻译： 化合物半导体器件包括形成在衬底上的载流子迁移层; 载体供给层，形成在载体运送层上; 形成在所述载体供给层上的第一金属膜和第二金属膜; 在所述第一金属膜上形成的包含第一Al的膜; 在所述第二金属膜上形成的包含第二Al的膜; 在所述第一金属膜上形成的第一包含Au的膜，并且不与所述第一Al包覆膜直接接触; 第二Au包含膜，形成在所述第二金属膜上并且不与所述第二Al包含膜直接接触; 以及位于第一金属膜和第二金属膜之间的载体供给层上方的栅电极。