公开(公告)号：US20120280207A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13546857

申请日：2012-07-11

申请人： Adrian AVRAMESCU ,  Volker Härle ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss

发明人： Adrian AVRAMESCU ,  Volker Härle ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3407 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor chip comprises the following sequence of regions in a growth direction (c) of the semiconductor chip (20): a p doped barrier layer (1) for an active region (2), the active region (2), which is suitable for generating electromagnetic radiation, the active region being based on a hexagonal compound semiconductor, and an n doped barrier layer (3) for the active region (2). Also disclosed are a component comprising such a semiconductor chip, and to a method for producing such a semiconductor chip.

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括在半导体芯片（20）的生长方向（c）上的以下区域序列：用于有源区域（2）的有源区（2），适合的有源区（2） 用于产生电磁辐射，所述有源区基于六方晶系化合物半导体，以及用于所述有源区（2）的n掺杂阻挡层（3）。 还公开了包括这种半导体芯片的部件，以及制造这种半导体芯片的方法。

公开(公告)号：US08994000B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13546857

申请日：2012-07-11

申请人： Adrian Avramescu ,  Volker Härle ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss

发明人： Adrian Avramescu ,  Volker Härle ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01S5/343 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01S5/042 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3407 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor chip comprises the following sequence of regions in a growth direction (c) of the semiconductor chip (20): a p doped barrier layer (1) for an active region (2), the active region (2), which is suitable for generating electromagnetic radiation, the active region being based on a hexagonal compound semiconductor, and an n doped barrier layer (3) for the active region (2). Also disclosed are a component comprising such a semiconductor chip, and to a method for producing such a semiconductor chip.

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括在半导体芯片（20）的生长方向（c）上的以下区域序列：用于有源区域（2）的有源区（2），适合的有源区（2） 用于产生电磁辐射，所述有源区基于六方晶系化合物半导体，以及用于所述有源区（2）的n掺杂阻挡层（3）。 还公开了包括这种半导体芯片的部件，以及制造这种半导体芯片的方法。

公开(公告)号：US09806223B2

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：US12985903

申请日：2011-01-06

申请人： Magnus Ahlstedt ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss ,  Martin Strassburg

发明人： Magnus Ahlstedt ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16

摘要： A method for producing an optoelectronic semiconductor chip based on a nitride semiconductor system is specified. The method comprises the steps of: forming a semiconductor section with at least one p-doped region; and forming a covering layer disposed downstream of the semiconductor section in a growth direction of the semiconductor chip, said covering layer having at least one n-doped semiconductor layer. An activation step suitable for electrically activating the p-doped region is effected before or during the formation of the covering layer. An optoelectronic semiconductor chip which can be produced by the method is additionally specified.

公开(公告)号：US07981712B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US12011458

申请日：2008-01-25

申请人： Magnus Ahlstedt ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss ,  Martin Strassburg

发明人： Magnus Ahlstedt ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/22 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16

摘要： A method for producing an optoelectronic semiconductor chip based on a nitride semiconductor system is specified. The method comprises the steps of: forming a semiconductor section with at least one p-doped region; and forming a covering layer disposed downstream of the semiconductor section in a growth direction of the semiconductor chip, said covering layer having at least one n-doped semiconductor layer. An activation step suitable for electrically activating the p-doped region is effected before or during the formation of the covering layer. An optoelectronic semiconductor chip which can be produced by the method is additionally specified.

摘要翻译： 规定了基于氮化物半导体系统的光电子半导体芯片的制造方法。 该方法包括以下步骤：形成具有至少一个p掺杂区域的半导体部分; 以及在所述半导体芯片的生长方向上形成设置在所述半导体部分的下游的覆盖层，所述覆盖层具有至少一个n掺杂半导体层。 在形成覆盖层之前或期间，实现适合于电激活p掺杂区域的活化步骤。 另外规定了可以通过该方法制造的光电子半导体芯片。

公开(公告)号：US20090090900A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US11989512

申请日：2006-07-28

申请人： Adrian Avramescu ,  Volker Harle ,  Lutz Hoppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss

发明人： Adrian Avramescu ,  Volker Harle ,  Lutz Hoppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3407 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor chip comprises the following sequence of regions in a growth direction (c) of the semiconductor chip (20): a p-doped barrier layer (1) for an active region (2), the active region (2), which is suitable for generating electromagnetic radiation, the active region being based on a hexagonal compound semiconductor, and an n-doped barrier layer (3) for the active region (2). Also disclosed are a component comprising such a semiconductor chip, and a method for producing such a semiconductor chip.

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括在半导体芯片（20）的生长方向（c）上的以下区域序列：用于有源区域（2）的p掺杂阻挡层（1），有源区域（2），其中 适用于产生电磁辐射，有源区基于六方晶系化合物半导体，以及用于有源区（2）的n掺杂势垒层（3）。 还公开了包括这种半导体芯片的部件，以及这种半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：US08314415B2

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US12668386

申请日：2008-06-20

申请人： Martin Strassburg ,  Lutz Hoeppel ,  Matthias Sabathil ,  Matthias Peter ,  Uwe Strauss

发明人： Martin Strassburg ,  Lutz Hoeppel ,  Matthias Sabathil ,  Matthias Peter ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34333

摘要： A radiation-emitting semiconductor body includes a contact layer and an active zone. The semiconductor body has a tunnel junction arranged between the contact layer and the active zone. The active zone has a multi-quantum well structure containing at least two active layers that emit electromagnetic radiation when an operating current is impressed into the semiconductor body.

摘要翻译： 辐射发射半导体本体包括接触层和有源区。 半导体本体具有布置在接触层和有源区之间的隧道结。 有源区具有包含至少两个有源层的多量子阱结构，当工作电流被施加到半导体本体中时，其发射电磁辐射。

公开(公告)号：US20080203407A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12011458

申请日：2008-01-25

申请人： Magnus Ahlstedt ,  Lutz Hoppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss ,  Martin Strassburg

发明人： Magnus Ahlstedt ,  Lutz Hoppel ,  Matthias Peter ,  Matthias Sabathil ,  Uwe Strauss ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16

摘要： A method for producing an optoelectronic semiconductor chip based on a nitride semiconductor system is specified. The method comprises the steps of: forming a semiconductor section with at least one p-doped region; and forming a covering layer disposed downstream of the semiconductor section in a growth direction of the semiconductor chip, said covering layer having at least one n-doped semiconductor layer. An activation step suitable for electrically activating the p-doped region is effected before or during the formation of the covering layer. An optoelectronic semiconductor chip which can be produced by the method is additionally specified.

摘要翻译： 规定了基于氮化物半导体系统的光电子半导体芯片的制造方法。 该方法包括以下步骤：形成具有至少一个p掺杂区域的半导体部分; 以及在所述半导体芯片的生长方向上形成设置在所述半导体部分的下游的覆盖层，所述覆盖层具有至少一个n掺杂半导体层。 在形成覆盖层之前或期间，实现适合于电激活p掺杂区域的活化步骤。 另外规定了可以通过该方法制造的光电子半导体芯片。

公开(公告)号：US20100207100A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12668386

申请日：2008-06-20

申请人： Martin Strassburg ,  Lutz Hocppel ,  Matthias Sabathil ,  Matthias Peter ,  Uwe Strauss

发明人： Martin Strassburg ,  Lutz Hocppel ,  Matthias Sabathil ,  Matthias Peter ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34333

摘要： A radiation-emitting semiconductor body includes a contact layer and an active zone. The semiconductor body has a tunnel junction arranged between the contact layer and the active zone. The active zone has a multi-quantum well structure containing at least two active layers that emit electromagnetic radiation when an operating current is impressed into the semiconductor body.

摘要翻译： 辐射发射半导体本体包括接触层和有源区。 半导体本体具有布置在接触层和有源区之间的隧道结。 有源区具有包含至少两个有源层的多量子阱结构，当工作电流被施加到半导体本体中时，其发射电磁辐射。

公开(公告)号：US08907359B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13124707

申请日：2009-09-16

申请人： Martin Strassburg ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Ulrich Zehnder ,  Tetsuya Taki ,  Andreas Leber ,  Rainer Butendeich ,  Thomas Bauer

发明人： Martin Strassburg ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Ulrich Zehnder ,  Tetsuya Taki ,  Andreas Leber ,  Rainer Butendeich ,  Thomas Bauer

IPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor component comprising a semiconductor layer sequence (3) based on a nitride compound semiconductor and containing an n-doped region (4), a p-doped region (8) and an active zone (5) arranged between the n-doped region (4) and the p-doped region (8) is specified. The p-doped region (8) comprises a p-type contact layer (7) composed of InxAlyGa1-x-yN where 0≦x≦1, 0≦y≦1 and x+y≦1. The p-type contact layer (7) adjoins a connection layer (9) composed of a metal, a metal alloy or a transparent conductive oxide, wherein the p-type contact layer (7) has first domains (1) having a Ga-face orientation and second domains (2) having an N-face orientation at an interface with the connection layer (9).

摘要翻译： 一种光电子半导体部件，包括基于氮化物化合物半导体的半导体层序列（3），并且包含n掺杂区域（4），p掺杂区域（8）和有源区域（5） 区域（4）和p掺杂区域（8）。 p掺杂区域（8）包括由In x Al y Ga 1-x-y N组成的p型接触层（7），其中0和nlE; x和nlE; 1,0和nlE; y和nlE; 1和x + y和nlE; 1。 p型接触层（7）与由金属，金属合金或透明导电氧化物构成的连接层（9）相邻，其中p型接触层（7）具有第一畴（1） 面取向和在与连接层（9）的界面处具有N面取向的第二域（2）。

公开(公告)号：US08581236B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13383495

申请日：2010-06-30

申请人： Matthias Peter ,  Tobias Meyer ,  Jürgen Off ,  Tetsuya Taki ,  Joachim Hertkorn ,  Matthias Sabathil ,  Ansgar Laubsch ,  Andreas Biebersdorf

发明人： Matthias Peter ,  Tobias Meyer ,  Jürgen Off ,  Tetsuya Taki ,  Joachim Hertkorn ,  Matthias Sabathil ,  Ansgar Laubsch ,  Andreas Biebersdorf

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrically pumped optoelectronic semiconductor chip includes at least two radiation-active quantum wells comprising InGaN or consisting thereof. The optoelectronic semiconductor chip includes at least two cover layers which include AlGaN or consist thereof. Each of the cover layers is assigned to precisely one of the radiation-active quantum wells. The cover layers are each located on a p-side of the associated radiation-active quantum well. The distance between the radiation-active quantum well and the associated cover layer is at most 1.5 nm.

摘要翻译： 电泵浦光电子半导体芯片包括至少两个包含InGaN的辐射活性量子阱或由其组成。 光电子半导体芯片包括至少两个包括AlGaN或其组成的覆盖层。 每个覆盖层被精确地分配给辐射有源量子阱中的一个。 覆盖层各自位于相关联的辐射活性量子阱的p侧上。 辐射有源量子阱与相关覆盖层之间的距离为1.5nm以下。