公开(公告)号：US20090122460A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US11938436

申请日：2007-11-12

申请人： Alexander Gschwandtner ,  Stefan Pompl ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

发明人： Alexander Gschwandtner ,  Stefan Pompl ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01G9/042

CPC分类号： H01G4/008 ,  H01G4/1254 ,  H01G9/0525 ,  H01G9/07 ,  H01G9/15 ,  H01L21/76877 ,  H01L28/84

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor layer with a first electrode formed by a sintered, conductive, porous granulate and formed in or on the semiconductor layer or in or on at least one insulating layer arranged on the semiconductor layer; furthermore dielectric material covering the surface of the sintered, conductive, porous granulate, and a second electrode at least partially covering the dielectric material, wherein the dielectric material electrically insulates the second electrode from the first electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一电极的半导体层，该第一电极由烧结导电多孔颗粒形成并形成在半导体层中或半导体层上或布置在半导体层上的至少一个绝缘层中或其上; 还包括覆盖烧结的，导电的，多孔的颗粒的表面的电介质材料和至少部分地覆盖介电材料的第二电极，其中介电材料使第二电极与第一电极电绝缘。

公开(公告)号：US08822306B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13206029

申请日：2011-08-09

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite layer and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨层和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US20120080690A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US12894344

申请日：2010-09-30

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/30 ,  H01L29/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite core and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨芯和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US08404562B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12894344

申请日：2010-09-30

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite core and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨芯和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US20120083098A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13206029

申请日：2011-08-09

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite layer and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨层和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US07947569B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12164652

申请日：2008-06-30

申请人： Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Rudolf Berger ,  Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

发明人： Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Rudolf Berger ,  Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A method for producing a semiconductor including a material layer. In one embodiment a trench is produced having two opposite sidewalls and a bottom, in a semiconductor body. A foreign material layer is produced on a first one of the two sidewalls of the trench. The trench is filled by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench.

摘要翻译： 一种用于制造包括材料层的半导体的方法。 在一个实施例中，在半导体本体中产生具有两个相对的侧壁和底部的沟槽。 在沟槽的两个侧壁的第一个上产生异物层。 通过将半导体材料外延地沉积到沟槽的两个侧壁和沟槽的底部中的第二个上来填充沟槽。

公开(公告)号：US20090325361A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12164652

申请日：2008-06-30

申请人： Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Rudolf Berger ,  Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

发明人： Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Rudolf Berger ,  Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A method for producing a semiconductor including a material layer. In one embodiment a trench is produced having two opposite sidewalls and a bottom, in a semiconductor body. A foreign material layer is produced on a first one of the two sidewalls of the trench. The trench is filled by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench.

摘要翻译： 一种用于制造包括材料层的半导体的方法。 在一个实施例中，在半导体本体中产生具有两个相对的侧壁和底部的沟槽。 在沟槽的两个侧壁的第一个上产生异物层。 通过将半导体材料外延地沉积到沟槽的两个侧壁和沟槽的底部中的第二个上来填充沟槽。

公开(公告)号：US20120181656A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13007392

申请日：2011-01-14

申请人： Wolfgang Lehnert ,  Michael Stadtmueller ,  Stefan Pompl ,  Markus Meyer

发明人： Wolfgang Lehnert ,  Michael Stadtmueller ,  Stefan Pompl ,  Markus Meyer

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L27/08 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10861 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device are disclosed. The method comprises forming a trench in a substrate, partially filling the trench with a first semiconductive material, forming an interface along a surface of the first semiconductive material, and filling the trench with a second semiconductive material. The semiconductor device includes a first electrode arranged along sidewalls of a trench and a dielectric arranged over the first electrode. The semiconductor device further includes a second electrode at least partially filling the trench, wherein the second electrode comprises an interface within the second electrode.

摘要翻译： 公开了半导体器件和半导体器件的制造方法。 该方法包括在衬底中形成沟槽，用第一半导体材料部分地填充沟槽，沿着第一半导体材料的表面形成界面，并用第二半导体材料填充沟槽。 半导体器件包括沿着沟槽的侧壁布置的第一电极和布置在第一电极上的电介质。 所述半导体器件还包括至少部分地填充所述沟槽的第二电极，其中所述第二电极包括所述第二电极内的界面。

公开(公告)号：US08318575B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US13022411

申请日：2011-02-07

申请人： Wolfgang Lehnert ,  Stefan Pompl ,  Markus Meyer

发明人： Wolfgang Lehnert ,  Stefan Pompl ,  Markus Meyer

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/763 ,  H01L21/823828 ,  H01L28/60 ,  H01L29/16 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/945

摘要： In one embodiment a method of forming a compressive polycrystalline semiconductive material layer is disclosed. The method comprises forming a polycrystalline semiconductive seed layer over a substrate and forming a silicon layer by depositing silicon directly on the polycrystalline silicon seed layer under amorphous process conditions at a temperature below 600 C.

摘要翻译： 公开了一种形成压缩多晶半导体材料层的方法。 该方法包括在衬底上形成多晶半导体种子层并通过在低于600℃的温度的无定形工艺条件下将硅直接沉积在多晶硅籽晶层上形成硅层。

公开(公告)号：US20120202327A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13022411

申请日：2011-02-07

申请人： Wolfgang Lehnert ,  Stefan Pompl ,  Markus Meyer

发明人： Wolfgang Lehnert ,  Stefan Pompl ,  Markus Meyer

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/763 ,  H01L21/823828 ,  H01L28/60 ,  H01L29/16 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/945

摘要： In one embodiment a method of forming a compressive polycrystalline semiconductive material layer is disclosed. The method comprises forming a polycrystalline semiconductive seed layer over a substrate and forming a silicon layer by depositing silicon directly on the polycrystalline silicon seed layer under amorphous process conditions at a temperature below 600 C.

摘要翻译： 公开了一种形成压缩多晶半导体材料层的方法。 该方法包括在衬底上形成多晶半导体种子层并通过在低于600℃的温度的无定形工艺条件下将硅直接沉积在多晶硅籽晶层上形成硅层。