公开(公告)号：US06894342B1

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：US10460278

申请日：2003-06-12

申请人： Angela Hui ,  Minh V. Ngo ,  Ning Cheng ,  Jaeyong Park ,  Jean Y. Yang ,  Hirokazu Tokuno ,  Kouros Ghandehari ,  Hidehiko Shiraiwa

发明人： Angela Hui ,  Minh V. Ngo ,  Ning Cheng ,  Jaeyong Park ,  Jean Y. Yang ,  Hirokazu Tokuno ,  Kouros Ghandehari ,  Hidehiko Shiraiwa

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8246 ,  H01L23/532 ,  H01L23/552 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/552 ,  H01L27/112 ,  H01L29/66833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： According to one exemplary embodiment, a structure comprises a substrate. The structure further comprises at least one memory cell situated on the substrate. The at least one memory cell may be, for example, a SONOS flash memory cell. The structure further comprises an interlayer dielectric layer situated over at least one memory cell and over the substrate. The structure further comprises a first antireflective coating layer situated over the interlayer dielectric layer. According to this exemplary embodiment, the structure further comprises a second antireflective coating layer situated directly over the first anti reflective coating layer. Either the first antireflective coating layer or second antireflective coating layer must be a silicon-rich layer. The first antireflective coating layer and the second antireflective coating may form a UV radiation blocking layer having a UV transparency less than approximately 1.0 percent, for example.

摘要翻译： 根据一个示例性实施例，一种结构包括基底。 该结构还包括位于基板上的至少一个存储单元。 至少一个存储单元可以是例如SONOS闪存单元。 该结构还包括位于至少一个存储器单元上方和衬底上方的层间电介质层。 该结构还包括位于层间电介质层上的第一抗反射涂层。 根据该示例性实施例，该结构还包括直接位于第一抗反射涂层上的第二抗反射涂层。 第一抗反射涂层或第二抗反射涂层必须是富硅层。 第一抗反射涂层和第二抗反射涂层可以形成例如UV透明度小于约1.0％的UV辐射阻挡层。

公开(公告)号：US06833581B1

公开(公告)日：2004-12-21

申请号：US10460282

申请日：2003-06-12

申请人： Angela Hui ,  Minh V. Ngo ,  Ning Cheng ,  Jaeyong Park ,  Jean Y. Yang ,  Kouros Ghandehari ,  Hirokazu Tokuno

发明人： Angela Hui ,  Minh V. Ngo ,  Ning Cheng ,  Jaeyong Park ,  Jean Y. Yang ,  Kouros Ghandehari ,  Hirokazu Tokuno

IPC分类号： H01L29788

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L23/556 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： According to one exemplary embodiment, a structure comprises a substrate. The structure further comprises at least one memory cell situated on the substrate. The at least one memory cell may be, for example, a flash memory cell, such as a SONOS flash memory cell and may include a gate situated over an ONO stack. The structure further comprises an interlayer dielectric layer situated over the at least one memory cell and over the substrate. According to this exemplary embodiment, the structure further comprises a UV radiation blocking layer situated directly over the interlayer dielectric layer, where the UV radiation blocking layer is selected from the group consisting of silicon-rich oxide and silicon-rich nitride. The UV radiation blocking layer may have a thickness of between approximately 1500.0 Angstroms and approximately 2000.0 Angstroms, for example.

摘要翻译： 根据一个示例性实施例，一种结构包括基底。 该结构还包括位于基板上的至少一个存储单元。 至少一个存储器单元可以是例如闪速存储器单元，例如SONOS闪存单元，并且可以包括位于ONO堆栈上的门。 所述结构还包括位于所述至少一个存储器单元上方并位于所述衬底之上的层间电介质层。 根据该示例性实施例，该结构还包括直接位于层间电介质层上的UV辐射阻挡层，其中UV辐射阻挡层选自富硅氧化物和富含硅的氮化物。 例如，UV辐射阻挡层的厚度可以在约1500.0埃和约2000.0埃之间。

公开(公告)号：US06765254B1

公开(公告)日：2004-07-20

申请号：US10460279

申请日：2003-06-12

申请人： Angela Hui ,  Minh V. Ngo ,  Ning Cheng ,  Jaeyong Park ,  Jean Y. Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Rinji Sugino ,  Tazrien Kamal ,  Cinti X. Chen

发明人： Angela Hui ,  Minh V. Ngo ,  Ning Cheng ,  Jaeyong Park ,  Jean Y. Yang ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Rinji Sugino ,  Tazrien Kamal ,  Cinti X. Chen

IPC分类号： H01L27108

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L23/552 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： According to one exemplary embodiment, a structure comprises a substrate. The structure further comprises at least one memory cell situated on the substrate. The at least one memory cell may be, for example, a flash memory cell, such as a SONOS flash memory cell. The structure further comprises an interlayer dielectric layer situated over the at least one memory cell and over the substrate. According to this exemplary embodiment, the structure further comprises a UV radiation blocking layer which comprises silicon-rich TCS nitride. Further, an oxide cap layer is situated over the UV radiation blocking layer. The structure might further comprise an antireflective coating layer over the oxide cap layer. The interlayer dielectric may comprise BPSG and the oxide cap layer may comprise TEOS oxide.

摘要翻译： 根据一个示例性实施例，一种结构包括基底。 该结构还包括位于基板上的至少一个存储单元。 至少一个存储单元可以是例如闪存单元，例如SONOS闪存单元。 所述结构还包括位于所述至少一个存储器单元上方并位于所述衬底之上的层间电介质层。 根据该示例性实施例，该结构还包括包含富含硅的TCS氮化物的UV辐射阻挡层。 此外，氧化物覆盖层位于UV辐射阻挡层上。 该结构还可以包括氧化物覆盖层上的抗反射涂层。 层间电介质可以包括BPSG，并且氧化物覆盖层可以包含TEOS氧化物。

公开(公告)号：US07018896B2

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：US10818112

申请日：2004-04-05

申请人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

发明人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/954 ,  H01L2924/00

摘要： A method of protecting a SONOS flash memory cell from UV-induced charging, including fabricating a SONOS flash memory cell in a semiconductor device; and depositing over the SONOS flash memory cell at least one UV-protective layer, the UV-protective layer including a substantially UV-opaque material. In one embodiment, the device includes a substantially UV-opaque sub-layer of a contact cap layer or a substantially UV-opaque contact cap layer.

摘要翻译： 一种保护SONOS闪速存储器单元免受UV感应充电的方法，包括在半导体器件中制造SONOS闪存单元; 并且在所述SONOS闪存单元上沉积至少一个UV保护层，所述UV保护层包括基本上不透紫外线的材料。 在一个实施例中，该装置包括接触帽层或基本上不透紫外线的接触覆盖层的基本不透紫外不透明的子层。

公开(公告)号：US06774432B1

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US10358589

申请日：2003-02-05

申请人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

发明人： Minh V. Ngo ,  Tazrien Kamal ,  Mark T. Ramsbey ,  Arvind Halliyal ,  Jaeyong Park ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Jeffrey A. Shields ,  Angela T. Hui ,  Robert A. Huertas ,  Tyagamohan Gottipati

IPC分类号： H01L29792

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/954 ,  H01L2924/00

摘要： A method of protecting a SONOS flash memory cell from UV-induced charging, including fabricating a SONOS flash memory cell in a semiconductor device; and depositing over the SONOS flash memory cell at least one UV-protective layer, the UV-protective layer including a substantially UV-opaque material. A SONOS flash memory device, including a SONOS flash memory cell; and at least one UV-protective layer, in which the UV-protective layer comprises a substantially UV-opaque material, is provided. In one embodiment, the device includes a substantially UV-opaque contact cap layer.

摘要翻译： 一种保护SONOS闪速存储器单元免受UV感应充电的方法，包括在半导体器件中制造SONOS闪存单元; 并且在所述SONOS闪存单元上沉积至少一个UV保护层，所述UV保护层包括基本上不透紫外线的材料。 SONOS闪存设备，包括SONOS闪存单元; 以及至少一个UV保护层，其中UV保护层包括基本上不透紫外线的材料。 在一个实施例中，该装置包括基本上不透紫外线的接触盖层。

公开(公告)号：US5888911A

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：US956590

申请日：1997-10-23

申请人： Minh V. Ngo ,  Khanh Q. Tran ,  Lu You ,  Jean Y. Yang ,  Richard J. Huang

发明人： Minh V. Ngo ,  Khanh Q. Tran ,  Lu You ,  Jean Y. Yang ,  Richard J. Huang

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002

摘要： Patterned metal layers are gap filled with HSQ and heat soaked in an oxidizing environment prior to oxide deposition by PECVD and planarization. Heat soaking is confined to less than about 10 seconds to minimize the dielectric constant of the HSQ layer.

摘要翻译： 图案化的金属层是填充有HSQ的间隙，并且在氧化物沉积之前通过PECVD和平坦化浸泡在氧化环境中的热量。 热浸泡被限制在小于约10秒钟以使HSQ层的介电常数最小化。

公开(公告)号：US5888898A

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：US956588

申请日：1997-10-23

申请人： Minh V. Ngo ,  Khanh Q. Tran ,  Terri J. Kitson ,  Lu You ,  Simon S. Chan ,  Jean Y. Yang

发明人： Minh V. Ngo ,  Khanh Q. Tran ,  Terri J. Kitson ,  Lu You ,  Simon S. Chan ,  Jean Y. Yang

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002

摘要： A patterned metal layer is gap filled with HSQ, an oxide formed thereon by PECVD, e.g., silicon dioxide derived from silane and N.sub.2 O, and planarized. The dielectric constant of the HSQ layer is minimized by baking the deposited HSQ layer in an inert atmosphere, e.g., N.sub.2, before heat soaking in an N.sub.2 O-containing atmosphere for no more than about 10 seconds and subsequent PECVD.

摘要翻译： 图案化的金属层是间隙填充有HSQ，其是通过PECVD在其上形成的氧化物，例如来自硅烷和N 2 O的二氧化硅，并且被平坦化。 通过在惰性气氛例如N 2中烘烤沉积的HSQ层，在含N2O的气氛中热浸泡不超过约10秒并随后的PECVD之后，使HSQ层的介电常数最小化。

公开(公告)号：US07118967B1

公开(公告)日：2006-10-10

申请号：US10368696

申请日：2003-02-19

申请人： Minh V. Ngo ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Cyrus Tabery ,  John Caffall ,  Tyagamohan Gottipati ,  Dawn Hopper

发明人： Minh V. Ngo ,  Ning Cheng ,  Jeff P. Erhardt ,  Clarence B. Ferguson ,  Cyrus Tabery ,  John Caffall ,  Tyagamohan Gottipati ,  Dawn Hopper

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7923 ,  H01L29/66833 ,  Y10S438/954

摘要： A method of protecting a charge trapping dielectric flash memory cell from UV-induced charging, including fabricating a charge trapping dielectric flash memory cell including a charge trapping dielectric charge storage layer in a semiconductor device; and during processing steps subsequent to formation of the charge trapping dielectric charge storage layer, protecting the charge trapping dielectric flash memory cell from exposure to a level of UV radiation sufficient to deposit a non-erasable charge in the charge trapping dielectric flash memory cell. In one embodiment, the step of protecting is carried out by selecting processes in BEOL fabrication which do not include use, generation or exposure of the semiconductor device to a level of UV radiation sufficient to deposit the non-erasable charge.

摘要翻译： 一种保护电荷捕获电介质闪存单元免受UV感应充电的方法，包括在半导体器件中制造包括电荷捕获介电电荷存储层的电荷捕获电介质闪存单元; 并且在形成电荷捕获介电电荷存储层之后的处理步骤期间，保护电荷捕获电介质闪速存储器单元暴露于足以在电荷俘获电介质闪存单元中沉积不可擦除电荷的UV辐射水平。 在一个实施例中，保护步骤是通过选择不包括半导体器件的使用，产生或曝光到足以沉积不可擦除电荷的紫外线辐射的水平的BEOL制造中的工艺进行的。

公开(公告)号：US20160104559A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：US14513568

申请日：2014-10-14

申请人： Mario G. Sepulveda ,  Martin G. Pineda ,  Anthony Vranicar ,  Kedar V. Bhatawadekar ,  Minh V. Ngo ,  Dov Nitzan

发明人： Mario G. Sepulveda ,  Martin G. Pineda ,  Anthony Vranicar ,  Kedar V. Bhatawadekar ,  Minh V. Ngo ,  Dov Nitzan

IPC分类号： H01C17/00 ,  H01C1/034 ,  H01C7/02

CPC分类号： H01C1/034 ,  H01C1/1406 ,  H01C7/001 ,  H01C17/02

摘要： A method of manufacturing a surface mount device includes forming a plaque from a material, forming a plurality of conductive protrusions on a top surface and a bottom surface of the plaque, and applying a liquid encapsulant over at least a portion of the top surface and at least a portion of the bottom surface of the plaque. The liquid encapsulant is cured and when cured encapsulant has an oxygen permeability of less than about 0.4 cm3·mm/m2·atm·day. The assembly is cut to provide a plurality of components. After cutting, the top surface of each component includes at least one conductive protrusion, the bottom surface of each component includes at least one conductive protrusion, the top surface and the bottom surface of each component include the cured encapsulant, and a core of each component includes the material.

摘要翻译： 一种制造表面贴装装置的方法包括从材料形成斑块，在板的顶表面和底表面上形成多个导电突起，以及在顶表面的至少一部分上以及 斑块底面的至少一部分。 液体密封剂固化，固化后的密封剂的氧气渗透率小于约0.4 cm3·mm / m2·atm·天。 组件被切割以提供多个部件。 在切割之后，每个部件的顶表面包括至少一个导电突起，每个部件的底表面包括至少一个导电突起，每个部件的顶表面和底表面包括固化的密封剂，以及每个部件的芯部 包括材料。

公开(公告)号：US07701019B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11356606

申请日：2006-02-17

申请人： Minh V. Ngo ,  Paul R. Besser ,  Ming Ren Lin ,  Haihong Wang

发明人： Minh V. Ngo ,  Paul R. Besser ,  Ming Ren Lin ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L29/1054 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/90 ,  Y10S438/933 ,  H01L2924/00

摘要： An exemplary embodiment relates to a method for forming a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The method includes providing a substrate having a gate formed above the substrate and performing at least one of the following depositing steps: depositing a spacer layer and forming a spacer around a gate and gate insulator located above a layer of silicon above the substrate; depositing an etch stop layer above the spacer, the gate, and the layer of silicon; and depositing a dielectric layer above the etch stop layer. At least one of the depositing a spacer layer, depositing an etch stop layer, and depositing a dielectric layer comprises high compression deposition which increases in tensile strain in the layer of silicon.

摘要翻译： 示例性实施例涉及形成金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的方法。 该方法包括提供一个衬底，该衬底具有形成在衬底上方的栅极，并且执行以下沉积步骤中的至少一个：在位于衬底上方的硅层上方的栅极和栅绝缘体周围沉积间隔层并形成间隔物; 在间隔物，栅极和硅层之上沉积蚀刻停止层; 以及在所述蚀刻停止层上沉积介电层。 沉积间隔层，沉积蚀刻停止层和沉积介电层中的至少一个包括增加硅层中的拉伸应变的高压缩沉积。