公开(公告)号：US09590130B2

公开(公告)日：2017-03-07

申请号：US13460786

申请日：2012-04-30

申请人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz ,  Mark Carroll

发明人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz ,  Mark Carroll

IPC分类号： H01L31/044 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0687

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A device, system, and method for solar cell construction and bonding/layer transfer are disclosed herein. An exemplary structure of solar cell construction involves providing a monocrystalline donor layer. A solder bonding layer bonds the donor layer to a carrier substrate. A porous layer may be used to separate the donor layer.

摘要翻译： 本文公开了一种用于太阳能电池结构和结合/层转移的装置，系统和方法。 太阳能电池结构的示例性结构包括提供单晶施主层。 焊接接合层将施主层结合到载体衬底。 可以使用多孔层来分离供体层。

公开(公告)号：US20120273043A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13460786

申请日：2012-04-30

申请人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz ,  Mark Carroll

发明人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz ,  Mark Carroll

IPC分类号： H01L31/036 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0264

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A device, system, and method for solar cell construction and bonding/layer transfer are disclosed herein. An exemplary structure of solar cell construction involves providing a monocrystalline donor layer. A solder bonding layer bonds the donor layer to a carrier substrate. A porous layer may be used to separate the donor layer.

摘要翻译： 本文公开了一种用于太阳能电池结构和结合/层转移的装置，系统和方法。 太阳能电池结构的示例性结构包括提供单晶施主层。 焊接接合层将施主层结合到载体衬底。 可以使用多孔层来分离供体层。

公开(公告)号：US20180226533A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：US15428094

申请日：2017-02-08

申请人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz ,  Mark Carroll

发明人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz ,  Mark Carroll

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/056 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L31/1896 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/056 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

摘要： A device, system, and method for solar cell construction and bonding/layer transfer are disclosed herein. An exemplary structure of solar cell construction involves providing a monocrystalline donor layer. A solder bonding layer bonds the donor layer to a carrier substrate. A porous layer may be used to separate the donor layer.

公开(公告)号：US20160049535A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：US14802017

申请日：2015-07-17

申请人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz

发明人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/03926 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547

摘要： A device, system, and method for solar cell construction and layer transfer are disclosed herein. An exemplary method of solar cell construction involves providing a silicon donor substrate. A porous layer is formed on the donor substrate. A first portion of a solar cell is constructed on the porous layer of the donor substrate. The solar cell and donor substrate are bonded to a flexible substrate. The flexible substrate and the first portion of a solar cell are then separated from the donor substrate at the porous layer. A second portion of a solar cell may then be constructed on the first portion of a solar cell providing a single completed solar cell.

摘要翻译： 本文公开了一种用于太阳能电池结构和层转移的装置，系统和方法。 太阳能电池结构的示例性方法包括提供硅供体衬底。 在供体基底上形成多孔层。 太阳能电池的第一部分被构造在供体衬底的多孔层上。 太阳能电池和供体衬底被结合到柔性衬底上。 然后将柔性基板和太阳能电池的第一部分在多孔层处与供体基板分离。 然后可以在提供单个完整的太阳能电池的太阳能电池的第一部分上构造太阳能电池的第二部分。

公开(公告)号：US09178105B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US13239279

申请日：2011-09-21

申请人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz

发明人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/03926 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547

摘要： A device, system, and method for solar cell construction and layer transfer are disclosed herein. An exemplary method of solar cell construction involves providing a silicon donor substrate. A porous layer is formed on the donor substrate. A first portion of a solar cell is constructed on the porous layer of the donor substrate. The solar cell and donor substrate are bonded to a flexible substrate. The flexible substrate and the first portion of a solar cell are then separated from the donor substrate at the porous layer. A second portion of a solar cell may then be constructed on the first portion of a solar cell providing a single completed solar cell.

摘要翻译： 本文公开了一种用于太阳能电池结构和层转移的装置，系统和方法。 太阳能电池结构的示例性方法包括提供硅供体衬底。 在供体基底上形成多孔层。 太阳能电池的第一部分被构造在供体衬底的多孔层上。 太阳能电池和供体衬底被结合到柔性衬底上。 然后将柔性基板和太阳能电池的第一部分在多孔层处与供体基板分离。 然后可以在提供单个完整的太阳能电池的太阳能电池的第一部分上构造太阳能电池的第二部分。

公开(公告)号：US20120067423A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13239279

申请日：2011-09-21

申请人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz

发明人： Anthony Lochtefeld ,  Chris Leitz

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L31/03926 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547

摘要： A device, system, and method for solar cell construction and layer transfer are disclosed herein. An exemplary method of solar cell construction involves providing a silicon donor substrate. A porous layer is formed on the donor substrate. A first portion of a solar cell is constructed on the porous layer of the donor substrate. The solar cell and donor substrate are bonded to a flexible substrate. The flexible substrate and the first portion of a solar cell are then separated from the donor substrate at the porous layer. A second portion of a solar cell may then be constructed on the first portion of a solar cell providing a single completed solar cell.

摘要翻译： 本文公开了一种用于太阳能电池结构和层转移的装置，系统和方法。 太阳能电池结构的示例性方法包括提供硅供体衬底。 在供体基底上形成多孔层。 太阳能电池的第一部分被构造在供体衬底的多孔层上。 太阳能电池和供体衬底被结合到柔性衬底上。 然后将柔性基板和太阳能电池的第一部分在多孔层处与供体基板分离。 然后可以在提供单个完整的太阳能电池的太阳能电池的第一部分上构造太阳能电池的第二部分。

公开(公告)号：US20120068226A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13243521

申请日：2011-09-23

申请人： Jennifer Hydrick ,  Jizhong Li ,  Zhiyuan Cheng ,  James G. Fiorenza ,  Jie Bai ,  Ji-Soo Park ,  Anthony Lochtefeld

发明人： Jennifer Hydrick ,  Jizhong Li ,  Zhiyuan Cheng ,  James G. Fiorenza ,  Jie Bai ,  Ji-Soo Park ,  Anthony Lochtefeld

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02538 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/205 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

摘要： Methods and structures are provided for formation of devices on substrates including, e.g., lattice-mismatched materials, by the use of aspect ratio trapping and epitaxial layer overgrowth. A method includes forming an opening in a masking layer disposed over a substrate that includes a first semiconductor material. A first layer, which includes a second semiconductor material lattice-mismatched to the first semiconductor material, is formed within the opening. The first layer has a thickness sufficient to extend above a top surface of the masking layer. A second layer, which includes the second semiconductor material, is formed on the first layer and over at least a portion of the masking layer. A vertical growth rate of the first layer is greater than a lateral growth rate of the first layer and a lateral growth rate of the second layer is greater than a vertical growth rate of the second layer.

摘要翻译： 提供了通过使用纵横比捕获和外延层过度生长来形成衬底上的器件的方法和结构，包括例如晶格失配的材料。 一种方法包括在设置在包括第一半导体材料的基板上的掩模层中形成开口。 在开口内形成包括与第一半导体材料晶格失配的第二半导体材料的第一层。 第一层具有足以在掩模层的顶表面上方延伸的厚度。 包括第二半导体材料的第二层形成在第一层上并且在掩模层的至少一部分之上。 第一层的垂直生长速率大于第一层的横向生长速率，第二层的横向生长速率大于第二层的垂直生长速率。

公开(公告)号：US20110095363A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12982101

申请日：2010-12-30

申请人： Matthew Currie ,  Anthony Lochtefeld ,  Richard Hammond ,  Eugene Fitzgerald

发明人： Matthew Currie ,  Anthony Lochtefeld ,  Richard Hammond ,  Eugene Fitzgerald

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/105 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  Y10S438/926

摘要： Semiconductor structures and devices including strained material layers having impurity-free zones, and methods for fabricating same. Certain regions of the strained material layers are kept free of impurities that can interdiffuse from adjacent portions of the semiconductor. When impurities are present in certain regions of the strained material layers, there is degradation in device performance. By employing semiconductor structures and devices (e.g., field effect transistors or “FETs”) that have the features described, or are fabricated in accordance with the steps described, device operation is enhanced.

摘要翻译： 包括具有无杂质区域的应变材料层的半导体结构和器件及其制造方法。 应变材料层的某些区域保持没有可以从半导体的相邻部分相互扩散的杂质。 当杂质存在于应变材料层的某些区域中时，器件性能下降。 通过采用具有所描述或者根据所描述的步骤制造的特征的半导体结构和器件（例如，场效应晶体管或“FET”），器件操作被增强。

公开(公告)号：US20080093622A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11875381

申请日：2007-10-19

申请人： Jizhong Li ,  Anthony Lochtefeld

发明人： Jizhong Li ,  Anthony Lochtefeld

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/223 ,  H01S5/2234 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3202

摘要： Some aspects for the invention include a method and a structure including a light-emitting device disposed over a second crystalline semiconductor material formed over a semiconductor substrate comprising a first crystalline material.

摘要翻译： 本发明的一些方面包括一种方法和结构，其包括设置在包含第一结晶材料的半导体衬底上形成的第二晶体半导体材料上的发光器件。

公开(公告)号：US20060292719A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11436198

申请日：2006-05-17

申请人： Anthony Lochtefeld ,  Matthew Currie ,  Zhiyuan Cheng ,  James Fiorenza ,  Glyn Braithwaite ,  Thomas Langdo

发明人： Anthony Lochtefeld ,  Matthew Currie ,  Zhiyuan Cheng ,  James Fiorenza ,  Glyn Braithwaite ,  Thomas Langdo

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02647 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： Fabrication of monolithic lattice-mismatched semiconductor heterostructures with limited area regions having upper portions substantially exhausted of threading dislocations, as well as fabrication of semiconductor devices based on such lattice-mismatched heterostructures.