利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

166 条记录 (耗时 0.023 秒)

    Structure and method of measuring electrical characteristics of a molecule
    5.
    发明授权
    Structure and method of measuring electrical characteristics of a molecule 失效
    测量分子电特性的结构和方法

    公开(公告)号：US5945832A

    公开(公告)日：1999-08-31

    申请号：US24147

    申请日：1998-02-17

    申请人： Thomas B. Harvey, III ,  Chan-Long Shieh

    发明人： Thomas B. Harvey, III ,  Chan-Long Shieh

    IPC分类号： G01N27/07 ,  G01R27/08

    CPC分类号： G01N27/07

    摘要： A method of measuring electrical characteristics of a molecule including providing a first metal contact having a major surface, an insulating layer overlying the major surface of the first metal contact and a second metal contact overlying the insulating layer so as to have an edge spaced a molecular distance from the major surface of the first metal contact. A conductive organic molecule including a metal binding group is coupled between the metal contacts.

    摘要翻译： 一种测量分子的电特性的方法，包括提供具有主表面的第一金属触点，覆盖在第一金属触点的主表面上的绝缘层和覆盖绝缘层的第二金属触点，以便具有间隔开分子的边缘 距离第一金属触点的主表面。 包含金属结合基团的导电有机分子被连接在金属触点之间。

    Transistor-based molecular detection apparatus and method
    6.
    发明授权
    Transistor-based molecular detection apparatus and method 失效
    基于晶体管的分子检测装置及方法

    公开(公告)号：US06203981B1

    公开(公告)日：2001-03-20

    申请号：US09068172

    申请日：1999-02-08

    申请人： Donald Ackley ,  Chan-Long Shieh ,  Thomas B. Harvey, III

    发明人： Donald Ackley ,  Chan-Long Shieh ,  Thomas B. Harvey, III

    IPC分类号： C12Q168

    CPC分类号： G01N33/5438 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/0061 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00653 ,  B01J2219/00659 ,  G01N27/4145

    摘要： Adjacent first and second transistors are integrated with a substrate. Each of the first and second transistors has a gate electrode, a source electrode, a drain electrode and a semiconductive channel formed of an organic material, the semiconductive channel electrically coupling the source electrode with the drain electrode. The source electrode of the first transistor is electrically coupled to the source electrode of the second transistor. A molecular receptor is bound directly to a surface of the semiconductive channel of the first transistor. A non-zero offset voltage, which produces equal channel currents in the semiconductive channels of the first and second transistors after a molecule has bound with the molecular receptor without a like binding event proximate to the second transistor, is sensed between the gate electrodes of the first and second transistors.

    摘要翻译： 相邻的第一和第二晶体管与衬底集成。 第一和第二晶体管中的每一个具有栅电极，源电极，漏电极和由有机材料形成的半导体沟道，半导体沟道将源电极与漏电极电耦合。 第一晶体管的源电极电耦合到第二晶体管的源电极。 分子受体直接结合到第一晶体管的半导体通道的表面。 在零分子与分子受体结合而没有靠近第二晶体管的相似结合事件之后，在第一和第二晶体管的半导体通道中产生相等的沟道电流的非零偏移电压被感测在 第一和第二晶体管。

    Method of making CMOS with organic and inorganic semiconducting region
    7.
    发明授权
    Method of making CMOS with organic and inorganic semiconducting region 失效
    用有机和无机半导体区域制造CMOS的方法

    公开(公告)号：US5612228A

    公开(公告)日：1997-03-18

    申请号：US634599

    申请日：1996-04-24

    申请人： Chan-Long Shieh ,  Donald E. Ackley

    发明人： Chan-Long Shieh ,  Donald E. Ackley

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

    CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/286 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0078

    摘要： A method of fabricating a thin film transistor device including forming first and second spaced apart control electrodes on a surface of a supporting substrate and forming a dielectric layer over the control electrodes. Inorganic and organic thin film transistors are formed on the dielectric layer, one on each control electrode. The inorganic and organic thin film transistors are n-type and p-type conductivity, respectively, and may be integrated into a complementary circuit. Also, the thin film transistor device is fabricated at relatively low temperatures so that plastic supporting substrates can be utilized.

    摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管器件的方法，包括在支撑衬底的表面上形成第一和第二间隔开的控制电极，并在控制电极上形成电介质层。 无机和有机薄膜晶体管形成在每个控制电极上的电介质层上。 无机和有机薄膜晶体管分别是n型和p型导电性，并且可以集成到互补电路中。 此外，薄膜晶体管器件在相对低的温度下制造，从而可以利用塑料支撑衬底。

    Top emitting VCSEL with etch stop layer
    8.
    发明授权
    Top emitting VCSEL with etch stop layer 失效
    顶部发射具有蚀刻停止层的VCSEL

    公开(公告)号：US5293392A

    公开(公告)日：1994-03-08

    申请号：US922719

    申请日：1992-07-31

    申请人： Chan-Long Shieh ,  Donald E. Ackley

    发明人： Chan-Long Shieh ,  Donald E. Ackley

    IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S3/19

    CPC分类号： H01S5/18344 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/209

    摘要： A top emitting vertical cavity surface emitting laser with an etch stop layer positioned in the top mirror stack so the stack can be etched to form a trench surrounding a mesa with the emitting area on the mesa and the trench confining current flow and lasing to the mesa.

    摘要翻译： 顶部发射垂直腔表面发射激光器，其具有定位在顶部反射镜堆叠中的蚀刻停止层，使得可以蚀刻该堆叠以形成围绕台面的台面的沟槽，并且沟槽限制电流和激光到台面 。

    Patterened mirror vertical cavity surface emitting laser
    9.
    发明授权
    Patterened mirror vertical cavity surface emitting laser 失效
    Patterened镜面垂直腔表面发射激光

    公开(公告)号：US5258316A

    公开(公告)日：1993-11-02

    申请号：US858288

    申请日：1992-03-26

    申请人： Donald E. Ackley ,  Chan-Long Shieh

    发明人： Donald E. Ackley ,  Chan-Long Shieh

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01S5/18327 ,  H01S2301/166 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/2063

    摘要： VCSELs including a central active layer with upper and lower mirror stacks wherein a circular trench is formed in one mirror stack to define a lasing area. The trench reduces reflectivity to prevent lasing outside the operating area and an oxygen implant in the trench confines current distribution to maximize power output and efficiency. The trench allows self-alignment throughout most of the manufacturing process.

    摘要翻译： VCSEL包括具有上反射镜和下反射镜叠层的中心活性层，其中在一个反射镜叠层中形成圆形沟槽以限定激光区域。 沟槽减少反射率以防止激光在工作区域外，并且沟槽中的氧注入限制电流分布以最大化功率输出和效率。 沟槽允许在大部分制造过程中自对准。

    MOTFT AND ARRAY CIRCUIT FOR CHEMICAL/BIOCHEMICAL APPLICATIONS
    10.
    发明申请
    MOTFT AND ARRAY CIRCUIT FOR CHEMICAL/BIOCHEMICAL APPLICATIONS 审中-公开
    化学/生物化学应用的MOTFT和阵列电路

    公开(公告)号：US20160313282A1

    公开(公告)日：2016-10-27

    申请号：US15139134

    申请日：2016-04-26

    申请人： Chan-Long Shieh ,  Gang Yu ,  Donald E. Ackley

    发明人： Chan-Long Shieh ,  Gang Yu ,  Donald E. Ackley

    IPC分类号： G01N27/447 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  G01N27/4148 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/43

    摘要： Electro-chemical manipulation and charge sensing apparatus includes a chemical/biochemical testing pad positioned on a dielectric substrate, a sensing circuit coupled to the testing pad, the sensing circuit including at least one MOTFT device, and a manipulation and control circuit coupled to the testing pad, the manipulation and control circuit including at least one MOTFT device. The electro-chemical manipulation and charge sensing apparatus can include a plurality of chemical/biochemical testing pads distributed in a matrix formation of rows and columns and positioned on a dielectric substrate.

    摘要翻译： 电化学操作和电荷感测装置包括位于电介质基底上的化学/生化测试垫，耦合到测试垫的感测电路，感测电路包括至少一个MOTFT装置，以及耦合到测试的操纵和控制电路 所述操纵和控制电路包括至少一个MOTFT装置。 电化学操作和电荷感测装置可以包括分布在行和列的矩阵形式中并定位在电介质基底上的多个化学/生化测试垫。