公开(公告)号：US08525354B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13272289

申请日：2011-10-13

申请人： Hui-Min Wu ,  Ming-I Wang ,  Kuan-Yu Wang ,  Kun-Che Hsieh ,  Chien-Hsin Huang

发明人： Hui-Min Wu ,  Ming-I Wang ,  Kuan-Yu Wang ,  Kun-Che Hsieh ,  Chien-Hsin Huang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/3192 ,  B81B7/0006 ,  B81B2207/015 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A bond pad structure comprises an interconnection structure and an isolation layer. The dielectric layer has an opening and a metal pad. The isolation layer is disposed on the interconnection structure and extends into the opening until it is in contact with the metal pad, whereby the sidewalls of the opening is blanketed by the isolation layer, and a portion of the metal pad is exposed from the opening.

摘要翻译： 接合焊盘结构包括互连结构和隔离层。 电介质层具有开口和金属垫。 隔离层设置在互连结构上并延伸到开口中直到与金属垫接触，由此隔离层覆盖开口的侧壁，并且金属垫的一部分从开口露出。

公开(公告)号：US08310065B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12985344

申请日：2011-01-06

申请人： Hui-Min Wu ,  Bang-Chiang Lan ,  Chien-Hsin Huang ,  Kuan-Yu Wang ,  Chao-An Su ,  Tzung-I Su

发明人： Hui-Min Wu ,  Bang-Chiang Lan ,  Chien-Hsin Huang ,  Kuan-Yu Wang ,  Chao-An Su ,  Tzung-I Su

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/3171 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A fabrication method of a wafer structure includes: providing a substrate having a plurality of die regions and an edge region surrounding the die regions defined thereon; then, forming a dielectric layer, a plurality of MEMS devices, a plurality of metal-interconnect structures and a plurality bonding pads on the substrate in the die regions; next, removing the dielectric layer disposed on the substrate of the edge region to expose the substrate; and thereafter, forming a passivation layer to cover the substrate and the dielectric layer.

摘要翻译： 晶片结构的制造方法包括：提供具有多个管芯区域的衬底和围绕限定在其上的管芯区域的边缘区域; 然后在所述管芯区域中的所述衬底上形成电介质层，多个MEMS器件，多个金属互连结构和多个接合焊盘; 接下来，去除设置在边缘区域的基板上的电介质层，以露出基板; 然后形成钝化层以覆盖基板和电介质层。

公开(公告)号：US20120175778A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US12985344

申请日：2011-01-06

申请人： Hui-Min Wu ,  Bang-Chiang Lan ,  Chien-Hsin Huang ,  Kuan-Yu Wang ,  Chao-An Su ,  Tzung-I Su

发明人： Hui-Min Wu ,  Bang-Chiang Lan ,  Chien-Hsin Huang ,  Kuan-Yu Wang ,  Chao-An Su ,  Tzung-I Su

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/3171 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A fabrication method of a wafer structure includes: providing a substrate having a plurality of die regions and an edge region surrounding the die regions defined thereon; then, forming a dielectric layer, a plurality of MEMS devices, a plurality of metal-interconnect structures and a plurality bonding pads on the substrate in the die regions; next, removing the dielectric layer disposed on the substrate of the edge region to expose the substrate; and thereafter, forming a passivation layer to cover the substrate and the dielectric layer.

摘要翻译： 晶片结构的制造方法包括：提供具有多个管芯区域的衬底和围绕限定在其上的管芯区域的边缘区域; 然后在所述管芯区域中的所述衬底上形成电介质层，多个MEMS器件，多个金属互连结构和多个接合焊盘; 接下来，去除设置在边缘区域的基板上的电介质层，以露出基板; 然后形成钝化层以覆盖基板和电介质层。

公开(公告)号：US07898081B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12168057

申请日：2008-07-03

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Li-Hsun Ho ,  Wei-Cheng Wu ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Ming-I Wang

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Li-Hsun Ho ,  Wei-Cheng Wu ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Ming-I Wang

IPC分类号： H01L23/00 ,  H02K41/00

CPC分类号： H04R31/00 ,  H04R2201/003 ,  Y10T29/49005

摘要： A MEMS device includes a vent hole structure and a MEMS structure disposed on a same side of a substrate. The vent hole structure adjoins the MEMS structure with an etch stop structure therebetween. The MEMS structure includes a chamber, the vent hole structure includes a metal layer having at least a hole thereon as a vent hole to connect the chamber of the MEMS structure through the etch stop structure. Accordingly, the MEMS device has a lateral vent hole. Furthermore, as the vent hole structure and the MEMS structure are disposed on the same side of the substrate, the manufacturing process is convenient and timesaving.

摘要翻译： MEMS器件包括设置在基板的同一侧上的通气孔结构和MEMS结构。 通气孔结构与MEMS结构相邻，其间具有蚀刻停止结构。 MEMS结构包括腔室，通气孔结构包括金属层，其上具有至少一个孔，作为通气孔，以通过蚀刻停止结构连接MEMS结构的室。 因此，MEMS器件具有侧向通气孔。 此外，由于通气孔结构和MEMS结构设置在基板的同一侧，所以制造过程方便且节省时间。

公开(公告)号：US08558336B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US12542671

申请日：2009-08-17

申请人： Tzung-I Su ,  Bang-Chiang Lan ,  Chao-An Su ,  Hui-Min Wu ,  Ming-I Wang ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-Han Tan ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin ,  Wen-Yu Su

发明人： Tzung-I Su ,  Bang-Chiang Lan ,  Chao-An Su ,  Hui-Min Wu ,  Ming-I Wang ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-Han Tan ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin ,  Wen-Yu Su

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L31/08

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L27/1461 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A semiconductor photodetector structure is provided. The structure includes a substrate, a photodetecting element and a semiconductor layer disposed on the photodetecting element. The substrate includes a first semiconductor material and includes a deep trench. The surface of the deep trench includes a first type dopant. The photodetecting element is disposed in the deep trench. The photodetecting element includes a second semiconductor material. The semiconductor layer includes a second type dopant.

摘要翻译： 提供半导体光电检测器结构。 该结构包括基板，受光元件和设置在光电检测元件上的半导体层。 衬底包括第一半导体材料并且包括深沟槽。 深沟槽的表面包括第一类型的掺杂剂。 光检测元件设置在深沟槽中。 光检测元件包括第二半导体材料。 半导体层包括第二种掺杂剂。

公开(公告)号：US20120205808A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13459268

申请日：2012-04-30

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Tzung-Han Tan ,  Li-Che Chen ,  Meng-Jia Lin

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Tzung-Han Tan ,  Li-Che Chen ,  Meng-Jia Lin

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： A protection structure of a pad is provided. The pad is disposed in a dielectric layer on a semiconductor substrate and the pad includes a connection region and a peripheral region which encompasses the connection region. The protection structure includes at least a barrier, an insulation layer and a mask layer. The barrier is disposed in the dielectric layer in the peripheral region. The insulation layer is disposed on the dielectric layer. The mask layer is disposed on the dielectric layer and covers the insulation layer and the mask layer includes an opening to expose the connection region of the pad.

摘要翻译： 提供垫的保护结构。 衬垫设置在半导体衬底上的电介质层中，衬垫包括连接区域和包围连接区域的周边区域。 保护结构至少包括屏障，绝缘层和掩模层。 阻挡层设置在周边区域的电介质层中。 绝缘层设置在电介质层上。 掩模层设置在电介质层上并覆盖绝缘层，掩模层包括露出焊盘连接区域的开口。

公开(公告)号：US08193640B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12538168

申请日：2009-08-10

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Tzung-Han Tan ,  Li-Che Chen ,  Meng-Jia Lin

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Tzung-Han Tan ,  Li-Che Chen ,  Meng-Jia Lin

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： A protection structure of a pad is provided. The pad is disposed in a dielectric layer on a semiconductor substrate and the pad includes a connection region and a peripheral region which encompasses the connection region. The protection structure includes at least a barrier, an insulation layer and a mask layer. The barrier is disposed in the dielectric layer in the peripheral region. The insulation layer is disposed on the dielectric layer. The mask layer is disposed on the dielectric layer and covers the insulation layer and the mask layer includes an opening to expose the connection region of the pad.

摘要翻译： 提供垫的保护结构。 衬垫设置在半导体衬底上的电介质层中，衬垫包括连接区域和包围连接区域的周边区域。 保护结构至少包括屏障，绝缘层和掩模层。 阻挡层设置在周边区域的电介质层中。 绝缘层设置在电介质层上。 掩模层设置在电介质层上并覆盖绝缘层，掩模层包括露出焊盘连接区域的开口。

公开(公告)号：US20110115040A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12618774

申请日：2009-11-15

申请人： Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Ming-I Wang ,  Bang-Chiang Lan ,  Tzung-Han Tan ,  Hui-Min Wu ,  Chien-Hsin Huang ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

发明人： Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Ming-I Wang ,  Bang-Chiang Lan ,  Tzung-Han Tan ,  Hui-Min Wu ,  Chien-Hsin Huang ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： G02B6/1228 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/136 ,  G02B6/428

摘要： A method of fabricating a semiconductor optoelectronic structure is provided. First, a substrate is provided, and a waveguide is formed therein, and then a plurality of dielectric layers is formed on the waveguide. Next, a contact pad and a passivation layer are provided on the dielectric layers and a patterned mask layer is formed thereon. Last, an etching process is provided by using the patterned mask layer to expose the contact pad and remove a portion of the passivation layer and the dielectric layers to form a transformer.

摘要翻译： 提供一种制造半导体光电子结构的方法。 首先，提供基板，并且在其中形成波导，然后在波导上形成多个电介质层。 接下来，在电介质层上设置接触焊盘和钝化层，并且在其上形成图案化的掩模层。 最后，通过使用图案化掩模层来暴露接触焊盘并去除钝化层和介电层的一部分以形成变压器来提供蚀刻工艺。

公开(公告)号：US20110097033A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12605891

申请日：2009-10-26

申请人： Tzung-I Su ,  Ming-I Wang ,  Bang-Chiang Lan ,  Te-Kan Liao ,  Chao-An Su ,  Hui-Min Wu ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-Han Tan ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

发明人： Tzung-I Su ,  Ming-I Wang ,  Bang-Chiang Lan ,  Te-Kan Liao ,  Chao-An Su ,  Hui-Min Wu ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-Han Tan ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B1/10 ,  G02B6/32

CPC分类号： G02B6/12004 ,  G02B6/305

摘要： A focusing member and an optoelectronic device having the same are provided. The focusing member includes multiple levels of conductive plugs and multiple levels of conductive layers that together form an inversed half-boat shape. The optoelectronic device includes a bottom layer, an optical waveguide above the bottom layer, a dielectric layer covering the optical waveguide, and the above focusing member disposed at an edge of the optoelectronic device and located in the dielectric layer above the optical waveguide. A wider end of the inversed half-boat shape of the focusing member faces the outside of the optoelectronic device. The refractive indexes of the bottom layer and the dielectric layer are smaller than that of the optical waveguide.

摘要翻译： 提供聚焦构件和具有该聚焦构件的光电子器件。 聚焦构件包括多个级别的导电插塞和多层导电层，这些导电层一起形成反转的半舟形状。 光电子器件包括底层，底层上方的光波导，覆盖光波导的电介质层，以及设置在光电子器件的边缘并位于光波导上方的电介质层中的上述聚焦构件。 聚焦构件的反转半舟形的较宽端面向光电器件的外侧。 底层和电介质层的折射率小于光波导的折射率。

公开(公告)号：US20100074458A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12233919

申请日：2008-09-19

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang

IPC分类号： H04R3/00 ,  H04R31/00

CPC分类号： B81B3/0021 ,  B81B2201/0271 ,  H04R3/00 ,  H04R7/00 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H04R2499/11 ,  Y10T29/49002

摘要： A structure of a micro-electro-mechanical systems (MEMS) electroacoustic transducer includes a substrate, a diaphragm, a silicon material layer, and a conductive pattern. The substrate includes an MEMS device region. The diaphragm has openings, and is disposed in the MEMS device region. A first cavity is formed between the diaphragm and the substrate. The silicon material layer is disposed on the diaphragm and seals the diaphragm. The conductive pattern is disposed beneath the diaphragm in the MEMS device region.

摘要翻译： 微电子机械系统（MEMS）电声换能器的结构包括基板，隔膜，硅材料层和导电图案。 衬底包括MEMS器件区域。 隔膜具有开口，并且设置在MEMS器件区域中。 在隔膜和基板之间形成第一空腔。 硅材料层设置在隔膜上并密封隔膜。 导电图案设置在MEMS器件区域中的隔膜下方。