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    Hetero-bimos injection process for non-volatile flash memory
    1.
    发明授权
    Hetero-bimos injection process for non-volatile flash memory 有权
    非易失性闪存的异质双向注射工艺

    公开(公告)号：US07598560B2

    公开(公告)日：2009-10-06

    申请号：US11731162

    申请日：2007-03-30

    申请人： Jack T. Kavalieros ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau ,  David L. Kencke

    发明人： Jack T. Kavalieros ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau ,  David L. Kencke

    IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/788

    CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7881

    摘要： A hetero-BiMOS injection system comprises a MOSFET transistor formed on a substrate and a hetero-bipolar transistor formed within the substrate. The bipolar transistor can be used to inject charge carriers into a floating gate of the MOSFET transistor. This is done by operating the MOSFET transistor to form an inversion layer in its channel region and operating the bipolar transistor to drive minority charge carriers from the substrate into a floating gate of the MOSFET transistor. The substrate provides a silicon emitter and a silicon germanium containing base for the bipolar transistor. The inversion layer provides a silicon collector for the bipolar transistor.

    摘要翻译： 异质BiMOS注入系统包括形成在衬底上的MOSFET晶体管和形成在衬底内的异质双极晶体管。 双极晶体管可用于将电荷载流子注入MOSFET晶体管的浮置栅极。 这通过操作MOSFET晶体管在其沟道区域中形成反型层并且操作双极晶体管来驱动少数电荷载体从衬底驱动到MOSFET晶体管的浮置栅极。 衬底为双极晶体管提供硅发射极和含硅锗基底。 反型层为双极晶体管提供硅集电极。

    Hetero-Bimos injection process for non-volatile flash memory
    2.
    发明申请
    Hetero-Bimos injection process for non-volatile flash memory 有权
    异质闪存注入过程

    公开(公告)号：US20080237735A1

    公开(公告)日：2008-10-02

    申请号：US11731162

    申请日：2007-03-30

    申请人： Jack T. Kavalieros ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau ,  David L. Kencke

    发明人： Jack T. Kavalieros ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau ,  David L. Kencke

    IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8249

    CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7881

    摘要： A hetero-BiMOS injection system comprises a MOSFET transistor formed on a substrate and a hetero-bipolar transistor formed within the substrate. The bipolar transistor can be used to inject charge carriers into a floating gate of the MOSFET transistor. This is done by operating the MOSFET transistor to form an inversion layer in its channel region and operating the bipolar transistor to drive minority charge carriers from the substrate into a floating gate of the MOSFET transistor. The substrate provides a silicon emitter and a silicon germanium containing base for the bipolar transistor. The inversion layer provides a silicon collector for the bipolar transistor.

    摘要翻译： 异质BiMOS注入系统包括形成在衬底上的MOSFET晶体管和形成在衬底内的异质双极晶体管。 双极晶体管可用于将电荷载流子注入MOSFET晶体管的浮置栅极。 这通过操作MOSFET晶体管在其沟道区域中形成反型层并且操作双极晶体管来驱动少数电荷载体从衬底驱动到MOSFET晶体管的浮置栅极。 衬底为双极晶体管提供硅发射极和含硅锗基底。 反型层为双极晶体管提供硅集电极。

    SELECTOR FOR LOW VOLTAGE EMBEDDED MEMORY
    4.
    发明申请
    SELECTOR FOR LOW VOLTAGE EMBEDDED MEMORY 有权
    低电压嵌入式存储器的选择器

    公开(公告)号：US20140209892A1

    公开(公告)日：2014-07-31

    申请号：US13997392

    申请日：2012-04-12

    申请人： Charles Kuo ,  Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Robert S. Chau

    发明人： Charles Kuo ,  Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Robert S. Chau

    IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  G11C8/10 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/71 ,  H01L43/12

    摘要： Techniques, materials, and circuitry are disclosed which enable low-voltage, embedded memory applications. In one example embodiment, an embedded memory is configured with a bitcell having a memory element and a selector element serially connected between an intersection of a wordline and bitline. The selector element can be implemented, for instance, with any number of crystalline materials that exhibit an S-shaped current-voltage (IV) curve, or that otherwise enables a snapback in the selector voltage after the threshold criteria is exceeded. The snapback of the selector is effectively exploited to accommodate the ON-state voltage of the selector under a given maximum supply voltage, wherein without the snapback, the ON-state voltage would exceed that maximum supply voltage. In some example embodiments, the maximum supply voltage is less than 1 volt (e.g., 0.9 volts or less).

    摘要翻译： 公开了能够实现低电压嵌入式存储器应用的技术，材料和电路。 在一个示例性实施例中，嵌入式存储器配置有具有存储器元件和串行连接在字线和位线的交叉点之间的选择器元件的位单元。 选择器元件可以例如用任何数量的表现出S形电流 - 电压（IV）曲线的结晶材料来实现，或者否则在超过阈值标准之后能使得在选择器电压中的回跳。 选择器的快速恢复被有效地用于在给定的最大电源电压下适应选择器的导通状态电压，其中在没有快速恢复的情况下，导通状态电压将超过该最大供电电压。 在一些示例性实施例中，最大供电电压小于1伏特（例如，0.9伏或更小）。

    Selector for low voltage embedded memory
    10.
    发明授权
    Selector for low voltage embedded memory 有权
    低电压嵌入式存储器的选择器

    公开(公告)号：US09543507B2

    公开(公告)日：2017-01-10

    申请号：US13997392

    申请日：2012-04-12

    申请人： Charles Kuo ,  Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Robert S. Chau

    发明人： Charles Kuo ,  Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Robert S. Chau

    IPC分类号： H01L43/10 ,  G11C8/10 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C11/16 ,  G11C13/00 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  G11C8/10 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/71 ,  H01L43/12

    摘要： Techniques, materials, and circuitry are disclosed which enable low-voltage, embedded memory applications. In one example embodiment, an embedded memory is configured with a bitcell having a memory element and a selector element serially connected between an intersection of a wordline and bitline. The selector element can be implemented, for instance, with any number of crystalline materials that exhibit an S-shaped current-voltage (IV) curve, or that otherwise enables a snapback in the selector voltage after the threshold criteria is exceeded. The snapback of the selector is effectively exploited to accommodate the ON-state voltage of the selector under a given maximum supply voltage, wherein without the snapback, the ON-state voltage would exceed that maximum supply voltage. In some example embodiments, the maximum supply voltage is less than 1 volt (e.g., 0.9 volts or less).

    摘要翻译： 公开了能够实现低电压嵌入式存储器应用的技术，材料和电路。 在一个示例性实施例中，嵌入式存储器配置有具有存储器元件和串行连接在字线和位线的交叉点之间的选择器元件的位单元。 选择器元件可以例如用任何数量的表现出S形电流 - 电压（IV）曲线的结晶材料来实现，或者否则在超过阈值标准之后能使得在选择器电压中的回跳。 选择器的快速恢复被有效地用于在给定的最大电源电压下适应选择器的导通状态电压，其中在没有快速恢复的情况下，导通状态电压将超过该最大供电电压。 在一些示例性实施例中，最大供电电压小于1伏特（例如，0.9伏或更小）。