公开(公告)号：US20070015083A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11180788

申请日：2005-07-14

申请人： Katherina Babich ,  Sean Burns ,  Elbert Huang ,  Arpan Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

发明人： Katherina Babich ,  Sean Burns ,  Elbert Huang ,  Arpan Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  Y10T428/31663

摘要： An antireflective composition and a lithographic structure comprising a silicon-metal oxide, antireflective material derived from the composition. The antireflective composition comprises a polymer of formula I, wherein 1≦x≦2; 1≦y≦5; 1≧0; m>0; n>0; R is a chromophore, M is a metal selected from Group IIIB to Group VIB, lanthanides, Group IIIA, Group IVA except silicon; and L is an optional ligand. The invention is also directed to a process of making a lithographic structure including a silicon-metal oxide, antireflective material.

摘要翻译： 一种抗反射组合物和包含硅 - 金属氧化物，衍生自该组合物的抗反射材料的光刻结构。 抗反射组合物包含式I的聚合物，其中1≤x≤2; 1 <= y <= 5; 1> = 0; m> 0; n> 0; R是发色团，M是选自IIIB族至VIB族的镧系元素，镧系元素，IIIA族，IVA族除外; L是任选的配体。 本发明还涉及制备包括硅 - 金属氧化物，抗反射材料的光刻结构的方法。

公开(公告)号：US20050042538A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10646307

申请日：2003-08-22

申请人： Katherina Babich ,  Elbert Huang ,  Arpan Mahorowala ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

发明人： Katherina Babich ,  Elbert Huang ,  Arpan Mahorowala ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/32 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/151

摘要： Antireflective hardmask compositions and techniques for the use of antireflective hardmask compositions for processing of semiconductor devices are provided. In one aspect of the invention, an antireflective hardmask layer for lithography is provided. The antireflective hardmask layer comprises a carbosilane polymer backbone comprising at least one chromophore moiety and at least one transparent moiety; and a crosslinking component. In another aspect of the invention, a method for processing a semiconductor device is provided. The method comprises the steps of: providing a material layer on a substrate; forming an antireflective hardmask layer over the material layer. The antireflective hardmask layer comprises a carbosilane polymer backbone comprising at least one chromophore moiety and at least one transparent moiety; and a crosslinking component.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件加工的抗反射硬掩模组​​合物的抗反射硬掩模组​​合物和技术。 在本发明的一个方面，提供了用于光刻的抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含含有至少一个发色团部分和至少一个透明部分的碳硅烷聚合物主链; 和交联组分。 在本发明的另一方面，提供一种用于处理半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上提供材料层; 在材料层上形成抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含含有至少一个发色团部分和至少一个透明部分的碳硅烷聚合物主链; 和交联组分。

公开(公告)号：US20070105363A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11614799

申请日：2006-12-21

申请人： Katherina Babich ,  Elbert Huang ,  Arpan Mahorowala ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

发明人： Katherina Babich ,  Elbert Huang ,  Arpan Mahorowala ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/151

摘要： Antireflective hardmask compositions and techniques for the use of antireflective hardmask compositions for processing of semiconductor devices are provided. In one aspect of the invention, an antireflective hardmask layer for lithography is provided. The antireflective hardmask layer comprises a carbosilane polymer backbone comprising at least one chromophore moiety and at least one transparent moiety; and a crosslinking component. In another aspect of the invention, a method for processing a semiconductor device is provided. The method comprises the steps of: providing a material layer on a substrate; forming an antireflective hardmask layer over the material layer. The antireflective hardmask layer comprises a carbosilane polymer backbone comprising at least one chromophore moiety and at least one transparent moiety; and a crosslinking component.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件加工的抗反射硬掩模组​​合物的抗反射硬掩模组​​合物和技术。 在本发明的一个方面，提供了用于光刻的抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含含有至少一个发色团部分和至少一个透明部分的碳硅烷聚合物主链; 和交联组分。 在本发明的另一方面，提供一种用于处理半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上提供材料层; 在材料层上形成抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含含有至少一个发色团部分和至少一个透明部分的碳硅烷聚合物主链; 和交联组分。

公开(公告)号：US20070015082A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11180787

申请日：2005-07-14

申请人： Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Sean Burns ,  Allen Gabor ,  Scott Halle ,  Arpan Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

发明人： Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Sean Burns ,  Allen Gabor ,  Scott Halle ,  Arpan Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0757 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31663

摘要： A lithographic structure comprising: an organic antireflective material disposed on a substrate; and a silicon antireflective material disposed on the organic antireflective material. The silicon antireflective material comprises a crosslinked polymer with a SiOx backbone, a chromophore, and a transparent organic group that is substantially transparent to 193 nm or 157 nm radiation. In combination, the organic antireflective material and the silicon antireflective material provide an antireflective material suitable for deep ultraviolet lithography. The invention is also directed to a process of making the lithographic structure.

摘要翻译： 一种光刻结构，包括：设置在基板上的有机抗反射材料; 以及设置在有机抗反射材料上的硅抗反射材料。 硅抗反射材料包括具有SiO 2主链的交联聚合物，发色团和对193nm或157nm辐射基本透明的透明有机基团。 组合地，有机抗反射材料和硅抗反射材料提供适用于深紫外光刻的抗反射材料。 本发明还涉及制备光刻结构的方法。

公开(公告)号：US20070196748A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11356027

申请日：2006-02-17

申请人： Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Sean Burns ,  Richard Conti ,  Allen Gabor ,  Scott Halle ,  Arpan Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

发明人： Marie Angelopoulos ,  Katherina Babich ,  Sean Burns ,  Richard Conti ,  Allen Gabor ,  Scott Halle ,  Arpan Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

IPC分类号： G03G13/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  Y10S438/952

摘要： A lithographic structure consisting essentially of: an organic antireflective material disposed on a substrate; a vapor-deposited RCHX material, wherein R is one or more elements selected from the group consisting of Si, Ge, B, Sn, Fe and Ti, and wherein X is not present or is one or more elements selected from the group consisting of O, N, S and F; and a photoresist material disposed on the RCHX material. The invention is also directed to methods of making the lithographic structure, and using the structure to pattern a substrate.

摘要翻译： 一种光刻结构，主要由以下部分组成：设置在基板上的有机抗反射材料; 气相沉积的RCHX材料，其中R是选自Si，Ge，B，Sn，Fe和Ti中的一种或多种元素，并且其中X不存在或者是选自以下的一种或多种元素： O，N，S和F; 以及设置在RCHX材料上的光致抗蚀剂材料。 本发明还涉及制造光刻结构的方法，并且使用该结构来图案化衬底。

公开(公告)号：US20060118785A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：US11337411

申请日：2006-01-23

申请人： Scott Allen ,  Katherina Babich ,  Steven Holmes ,  Arpan Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer ,  Richard Wise

发明人： Scott Allen ,  Katherina Babich ,  Steven Holmes ,  Arpan Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer ,  Richard Wise

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24926

摘要： Techniques for semiconductor processing are provided. In one aspect, a method for patterning one or more features in a semiconductor device comprises the following step. At least one critical dimension of the one or more features is reduced during etching of the antireflective material. A lithographic structure is also provided.

公开(公告)号：US20050064322A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10666541

申请日：2003-09-19

申请人： Katherina Babich ,  Alfred Grill ,  Arpan Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

发明人： Katherina Babich ,  Alfred Grill ,  Arpan Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

IPC分类号： G03C1/76 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  G03F7/091 ,  G03F7/167

摘要： A multilayer lithographic structure which includes a substrate, having on a major surface thereof a first layer including a water and/or aqueous base soluble material which includes Ge, O, and H, and optionally X, wherein X is at least one of Si, N, and F; and disposed on the first layer a second layer which includes an energy photoactive material.

摘要翻译： 一种多层光刻结构，其包括基底，其主要表面上具有第一层，该第一层包括水和/或水溶性基质可溶性材料，其包括Ge，O和H以及任选的X，其中X是Si， N和F; 并且在第一层上设置包括能量光活性材料的第二层。

公开(公告)号：US20050031964A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10634667

申请日：2003-08-05

申请人： Katherina Babich ,  Arpan Mahorowala ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer

发明人： Katherina Babich ,  Arpan Mahorowala ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03C3/00 ,  G03F1/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3213

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32139

摘要： Compositions and techniques for the processing of semiconductor devices are provided. In one aspect of the invention, an antireflective hardmask composition is provided. The composition comprises a fully condensed polyhedral oligosilsesquioxane, {RSiO1.5}n, wherein n equals 8; and at least one chromophore moiety and transparent moiety. In another aspect of the invention, a method for processing a semiconductor device is provided. The method comprises the steps of: providing a material layer on a substrate; forming an antireflective hardmask layer over the material layer. The antireflective hardmask layer comprises a fully condensed polyhedral oligosilsesquioxane, {RSiO1.5}n, wherein n equals 8; and at least one chromophore moiety and transparent moiety.

摘要翻译： 提供了用于处理半导体器件的组合物和技术。 在本发明的一个方面，提供了一种抗反射硬掩模组​​合物。 该组合物包含完全缩合的多面体寡聚倍半硅氧烷{RSiO1.5} n，其中n等于8; 和至少一个发色团部分和透明部分。 在本发明的另一方面，提供一种用于处理半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上提供材料层; 在材料层上形成抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含完全缩合的多面体寡聚倍半硅氧烷{RSiO 1.5} n，其中n等于8; 和至少一个发色团部分和透明部分。

公开(公告)号：US20050255386A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US10709514

申请日：2004-05-11

申请人： Deok-kee Kim ,  Kenneth Settlemyer ,  Kangguo Cheng ,  Ramachandra Divakaruni ,  Carl Radens ,  Dirk Pfeiffer ,  Timothy Dalton ,  Katherina Babich ,  Arpan Mahorowala ,  Harald Okorn-Schmidt

发明人： Deok-kee Kim ,  Kenneth Settlemyer ,  Kangguo Cheng ,  Ramachandra Divakaruni ,  Carl Radens ,  Dirk Pfeiffer ,  Timothy Dalton ,  Katherina Babich ,  Arpan Mahorowala ,  Harald Okorn-Schmidt

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F7/11 ,  G03F9/00 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/0337 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

摘要： Increased protection of areas of a chip are provided by both a mask structure of increased robustness in regard to semiconductor manufacturing processes or which can be removed with increased selectivity and controllability in regard to underlying materials, or both. Mask structures are provided which exhibit an interface of a chemical reaction, grain or material type which can be exploited to enhance either or both types of protection. Structures of such masks include TERA material which can be converted or hydrated and selectively etched using a mixture of hydrogen fluoride and a hygroscopic acid or organic solvent, and two layer structures of similar or dissimilar materials.

摘要翻译： 增加对芯片区域的保护是通过在半导体制造工艺方面具有增强的鲁棒性的掩模结构来提供的，或者可以以相对于下面的材料或两者的增加的选择性和可控性被去除。 提供掩模结构，其显示化学反应，颗粒或材料类型的界面，其可被利用以增强任一种或两种类型的保护。 这种掩模的结构包括TERA材料，其可以使用氟化氢和吸湿性酸或有机溶剂的混合物以及相似或不同材料的两层结构进行转化或水合并选择性蚀刻。

公开(公告)号：US20050098091A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10705577

申请日：2003-11-10

申请人： Katherina Babich ,  Scott Halle ,  David Horak ,  Arpan Mahorowala ,  Wesley Natzle ,  Dirk Pfeiffer ,  Hongwen Yan

发明人： Katherina Babich ,  Scott Halle ,  David Horak ,  Arpan Mahorowala ,  Wesley Natzle ,  Dirk Pfeiffer ,  Hongwen Yan

IPC分类号： C30B1/00 ,  C30B3/00 ,  C30B5/00 ,  C30B28/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/0275 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10T428/24843

摘要： Methods for generating a nanostructure and for enhancing etch selectivity, and a nanostructure are disclosed. The invention implements a tunable etch-resistant anti-reflective (TERA) material integration scheme which gives high etch selectivity for both etching pattern transfer through the TERA layer (used as an ARC and/or hardmask) with etch selectivity to the patterned photoresist, and etching to pattern transfer through a dielectric layer of nitride. This is accomplished by oxidizing a TERA layer after etching pattern transfer through the TERA layer to form an oxidized TERA layer having chemical properties similar to oxide. The methods provide all of the advantages of the TERA material and allows for high etch selectivity (approximately 5-10:1) for etching to pattern transfer through nitride. In addition, the methodology reduces LER and allows for trimming despite reduced photoresist thickness.

摘要翻译： 公开了产生纳米结构和提高蚀刻选择性的方法，以及纳米结构。 本发明实现了可调谐抗蚀抗反射（TERA）材料集成方案，其对蚀刻图案转移通过TERA层（用作ARC和/或硬掩模）提供了高蚀刻选择性，具有对图案化光致抗蚀剂的蚀刻选择性，以及 蚀刻到通过氮化物的介电层的图案转移。 这是通过在通过TERA层蚀刻图案转移之后氧化TERA层来实现的，以形成具有与氧化物相似的化学性质的氧化TERA层。 这些方法提供了TERA材料的所有优点，并且允许高蚀刻选择性（约5-10:1）蚀刻到通过氮化物的图案转移。 此外，该方法减少LER，并允许尽管减少光致抗蚀剂厚度的修剪。