公开(公告)号：US20090051272A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US11815812

申请日：2006-02-07

申请人： Kazuhiro Fukuda ,  Chikao Mamiya ,  Hiroaki Arita

发明人： Kazuhiro Fukuda ,  Chikao Mamiya ,  Hiroaki Arita

IPC分类号： H01J1/62 ,  B32B7/02 ,  C23C14/22

CPC分类号： C04B35/14 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/00 ,  B32B27/16 ,  B32B27/306 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/205 ,  B32B2255/24 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/422 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2439/70 ,  B32B2439/80 ,  B32B2457/20 ,  B32B2590/00 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/565 ,  C04B2235/77 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/5338 ,  Y10T428/24992

摘要： A gas barrier film comprising a resin substrate provided thereon at least one layer of a ceramic film, wherein the density ratio Y (=ρf/ρb) satisfies 1≧Y≧0.95 and the ceramic film has a residual stress being a compression stress of 0.01 MPa or more and 100 Mpa or less, wherein ρf is the density of the ceramic film and ρb is the density of a comparative ceramic film being formed by thermal oxidation or thermal nitridation of a metal as a mother material of the ceramic film so as to being the same composition ratio of the ceramic film.

摘要翻译： 一种阻气膜，其中设置有至少一层陶瓷膜的树脂基板，其中密度比Y（= rhof / rhob）满足1> = Y> = 0.95，并且陶瓷膜具有作为压缩应力的残余应力 为0.01MPa以上至100Mpa以下，其中，rhof为陶瓷膜的密度，rhob为通过作为陶瓷膜的母材的金属的热氧化或热氮化形成的比较陶瓷膜的密度， 陶瓷膜的组成比相同。

公开(公告)号：US20080085418A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11663140

申请日：2005-09-07

申请人： Kazuhiro Fukuda ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Hiroaki Arita

发明人： Kazuhiro Fukuda ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Hiroaki Arita

IPC分类号： B32B33/00 ,  B32B13/04 ,  B32B15/04 ,  B32B9/04 ,  B32B3/02

CPC分类号： H01L51/0001 ,  B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5256 ,  H01L2251/5346 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24992 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

摘要： A transparent gas barrier film comprising a substrate having thereon a gas barrier layer comprising at least a low density layer and a high density layer, wherein one or more intermediate density layers are sandwiched between the low density layer and the high density layer.

摘要翻译： 一种透明阻气膜，包括其上具有至少包括低密度层和高密度层的阻气层的基底，其中一个或多个中间密度层夹在低密度层和高密度层之间。

公开(公告)号：US08062707B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US11815812

申请日：2006-02-07

申请人： Kazuhiro Fukuda ,  Chikao Mamiya ,  Hiroaki Arita

发明人： Kazuhiro Fukuda ,  Chikao Mamiya ,  Hiroaki Arita

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C04B35/14 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/00 ,  B32B27/16 ,  B32B27/306 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/205 ,  B32B2255/24 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/422 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2439/70 ,  B32B2439/80 ,  B32B2457/20 ,  B32B2590/00 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/565 ,  C04B2235/77 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/5338 ,  Y10T428/24992

摘要： A gas barrier film comprising a resin substrate provided thereon at least one layer of a ceramic film, wherein the density ratio Y (=ρf/ρb) satisfies 1≧Y≧0.95 and the ceramic film has a residual stress being a compression stress of 0.01 MPa or more and 100 Mpa or less, wherein ρf is the density of the ceramic film and ρb is the density of a comparative ceramic film being formed by thermal oxidation or thermal nitridation of a metal as a mother material of the ceramic film so as to being the same composition ratio of the ceramic film.

摘要翻译： 一种阻气膜，其中设置有至少一层陶瓷膜的树脂基板，其中所述密度比Y（=＆rgr; f /＆rgr; b）满足1≥Y≥0.95，并且所述陶瓷膜的残余应力为 压缩应力为0.01MPa以上且100Mpa以下，其中，f为陶瓷膜的密度，b为通过作为母体的金属的热氧化或热氮化而形成的比较陶瓷膜的密度 陶瓷膜的材料成为陶瓷膜的相同组成比。

公开(公告)号：US08652625B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US11663140

申请日：2005-09-07

申请人： Kazuhiro Fukuda ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Hiroaki Arita

发明人： Kazuhiro Fukuda ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Hiroaki Arita

IPC分类号： B32B7/02 ,  B32B9/04 ,  H05H1/24 ,  B05D1/36 ,  B32B33/00 ,  B32B15/04

CPC分类号： H01L51/0001 ,  B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5256 ,  H01L2251/5346 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24992 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

摘要： A transparent gas barrier film comprising a substrate having thereon a gas barrier layer comprising at least a low density layer and a high density layer, wherein one or more intermediate density layers are sandwiched between the low density layer and the high density layer.

摘要翻译： 一种透明阻气膜，包括其上具有至少包括低密度层和高密度层的气体阻隔层的基底，其中一个或多个中间密度层夹在低密度层和高密度层之间。

公开(公告)号：US08748003B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US11574048

申请日：2005-08-30

申请人： Hiroaki Arita ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Kazuhiro Fukuda

发明人： Hiroaki Arita ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Kazuhiro Fukuda

IPC分类号： B32B27/00

CPC分类号： C23C16/505 ,  B05D1/62 ,  B05D7/58 ,  B05D2201/02 ,  B05D2252/02 ,  B05D2701/30 ,  B32B27/00 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31667

摘要： A gas barrier laminate comprising a substrate having thereon at least a gas barrier layer and a polymer layer, wherein at least one polymer layer is provided adjacent to at least one gas barrier layer; and an average carbon content of the polymer layer at a contact interface between the gas barrier layer is lower than an average carbon content in the polymer layer.

摘要翻译： 一种阻气性层压体，包括其上至少具有阻气层和聚合物层的基底，其中至少一个聚合物层邻近至少一个阻气层设置; 并且在阻气层之间的接触界面处的聚合物层的平均碳含量低于聚合物层中的平均碳含量。

公开(公告)号：US08486487B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13213850

申请日：2011-08-19

申请人： Kazuhiro Fukuda ,  Chikao Mamiya ,  Hiroaki Arita

发明人： Kazuhiro Fukuda ,  Chikao Mamiya ,  Hiroaki Arita

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C04B35/14 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B9/045 ,  B32B15/08 ,  B32B27/28 ,  B32B27/281 ,  B32B27/285 ,  B32B27/286 ,  B32B27/288 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2255/205 ,  B32B2255/26 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/31 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/514 ,  B32B2307/536 ,  B32B2307/546 ,  B32B2307/558 ,  B32B2307/702 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2307/732 ,  B32B2439/70 ,  B32B2457/202 ,  B32B2457/206 ,  B32B2553/00 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/565 ,  C04B2235/77 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/545 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/134363 ,  G02F2203/60 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/5338 ,  Y10T428/24992

摘要： A gas barrier film comprising a resin substrate provided thereon at least one layer of a ceramic film, wherein the density ratio Y (=ρf/ρb) satisfies 1≧Y≧0.95 and the ceramic film has a residual stress being a compression stress of 0.01 MPa or more and 100 Mpa or less, wherein ρf is the density of the ceramic film and ρb is the density of a comparative ceramic film being formed by thermal oxidation or thermal nitridation of a metal as a mother material of the ceramic film so as to being the same composition ratio of the ceramic film.

摘要翻译： 一种阻气膜，其中设置有至少一层陶瓷膜的树脂基板，其中密度比Y（= rhof / rhob）满足1> = Y> = 0.95，并且陶瓷膜具有作为压缩应力的残余应力 为0.01MPa以上至100Mpa以下，其中，rhof为陶瓷膜的密度，rhob为通过作为陶瓷膜的母材的金属的热氧化或热氮化形成的比较陶瓷膜的密度， 陶瓷膜的组成比相同。

公开(公告)号：US20090053526A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US11574048

申请日：2005-08-30

申请人： Hiroaki Arita ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Kazuhiro Fukuda

发明人： Hiroaki Arita ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Kazuhiro Fukuda

IPC分类号： B32B27/00 ,  C23C16/513

CPC分类号： C23C16/505 ,  B05D1/62 ,  B05D7/58 ,  B05D2201/02 ,  B05D2252/02 ,  B05D2701/30 ,  B32B27/00 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31667

摘要： A gas barrier laminate comprising a substrate having thereon at least a gas barrier layer and a polymer layer, wherein at least one polymer layer is provided adjacent to at least one gas barrier layer; and an average carbon content of the polymer layer at a contact interface between the gas barrier layer is lower than an average carbon content in the polymer layer.

摘要翻译： 一种阻气性层压体，包括其上至少具有阻气层和聚合物层的基底，其中至少一个聚合物层邻近至少一个阻气层设置; 并且在阻气层之间的接触界面处的聚合物层的平均碳含量低于聚合物层中的平均碳含量。

公开(公告)号：US07740917B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US10544084

申请日：2004-07-08

申请人： Hiromoto Ii ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Kazuhiro Fukuda ,  Kiyoshi Oishi ,  Takakazu Kiyomura

发明人： Hiromoto Ii ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Kazuhiro Fukuda ,  Kiyoshi Oishi ,  Takakazu Kiyomura

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/45595 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/31504

摘要： A method for forming a film comprising a first process and a second process, the first process comprising the steps of: supplying a discharge gas to a first discharge space where high frequency electric field A is generated at or near atmospheric pressure, whereby the discharge gas is excite; transferring energy of the excited discharge gas to a film forming gas, whereby the film forming gas is excited; and exposing a substrate to the film forming gas to form a film on the substrate, and the second process comprising the steps of: supplying a gas containing an oxidizing gas to a second discharge space where high frequency electric field B is generated at or near atmospheric pressure, whereby the gas containing the oxidizing gas is excite; and the film formed in the first process is exposed to the excited gas containing the oxidizing gas.

摘要翻译： 一种形成膜的方法，包括第一工艺和第二工艺，所述第一工艺包括以下步骤：将放电气体供应到在大气压或大气压附近产生高频电场A的第一放电空间，由此放电气体 是激动的 将激发的放电气体的能量转移到成膜气体，由此成膜气体被激发; 并且将基板暴露于成膜气体以在基板上形成膜，第二工序包括以下步骤：将含氧化气体的气体供给到在大气中或接近大气压下产生高频电场B的第二放电空间 由此含有氧化气体的气体是激发的; 并且在第一工序中形成的膜暴露于含有氧化气体的激发气体。

公开(公告)号：US20060199014A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US10544084

申请日：2004-07-08

申请人： Hiromoto II ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Kazuhiro Fukuda ,  Kiyoshi Oishi ,  Takakazu Kiyomura

发明人： Hiromoto II ,  Toshio Tsuji ,  Chikao Mamiya ,  Kazuhiro Fukuda ,  Kiyoshi Oishi ,  Takakazu Kiyomura

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： C23C16/45595 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/31504

摘要： A method for forming a film comprising a first process and a second process, the first process comprising the steps of: supplying a discharge gas to a first discharge space where high frequency electric field A is generated at or near atmospheric pressure, whereby the discharge gas is excite; transferring energy of the excited discharge gas to a film forming gas, whereby the film forming gas is excited; and exposing a substrate to the film forming gas to form a film on the substrate, and the second process comprising the steps of: supplying a gas containing an oxidizing gas to a second discharge space where high frequency electric field B is generated at or near atmospheric pressure, whereby the gas containing the oxidizing gas is excite; and the film formed in the first process is exposed to the excited gas containing the oxidizing gas.

摘要翻译： 一种形成膜的方法，包括第一工艺和第二工艺，所述第一工艺包括以下步骤：将放电气体供应到在大气压或大气压附近产生高频电场A的第一放电空间，由此放电气体 是激动的 将激发的放电气体的能量转移到成膜气体，由此成膜气体被激发; 并且将基板暴露于成膜气体以在基板上形成膜，第二工序包括以下步骤：将含氧化气体的气体供给到在大气中或接近大气压下产生高频电场B的第二放电空间 由此含有氧化气体的气体是激发的; 并且在第一工序中形成的膜暴露于含有氧化气体的激发气体。

公开(公告)号：US20090267489A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US11721855

申请日：2005-12-06

申请人： Hiroaki Arita ,  Kazuhiro Fukuda

发明人： Hiroaki Arita ,  Kazuhiro Fukuda

IPC分类号： H01L51/50 ,  B32B15/00

CPC分类号： H01L51/5256 ,  H01L51/524

摘要： Disclosed is a gas-barrier thin film laminate which can be produced with high yield while having higher gas barrier properties than the conventional ones. The gas barrier properties of this gas-barrier thin film laminate do not deteriorate even when the laminate is bent. Also disclosed is an organic EL device (hereinafter also referred to as OLED) with excellent environmental resistance which uses the gas-barrier thin film laminate. The gas-barrier thin film laminate having at least one inorganic film and at least one stress relaxation film is characterized in that at least one stress relaxation film is formed by an atmospheric pressure plasma method wherein two or more electric fields of different frequencies are applied.

摘要翻译： 本发明公开了一种阻气薄膜层叠体，其能够以高产率制造，同时具有比常规阻气性更高的阻气性。 即使层叠体弯曲，该阻气性薄膜层叠体的阻气性也不会劣化。 还公开了使用阻气性薄膜层叠体的耐环境性优异的有机EL元件（以下也称为OLED）。 具有至少一种无机膜和至少一种应力松弛膜的阻气薄膜层叠体的特征在于，通过施加两个以上的不同频率的电场的大气压等离子体法形成至少一个应力松弛膜。