公开(公告)号：US20130048945A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13590474

申请日：2012-08-21

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-Hao Yang

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-Hao Yang

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505

摘要： A method for fabricating a light-emitting device is provided. The method includes: providing a substrate; forming a sacrificial dielectric layer on the substrate, wherein the sacrificial dielectric layer is a structure containing voids; forming a buffer layer on the sacrificial dielectric layer; forming an epitaxial light-emitting structure on the buffer layer; forming a metal bonding layer on the epitaxial light-emitting structure; bonding the metal bonding layer to a thermally conductive substrate; and wet etching the sacrificial dielectric layer for to remove the substrate.

摘要翻译： 提供一种制造发光器件的方法。 该方法包括：提供衬底; 在所述衬底上形成牺牲电介质层，其中所述牺牲绝缘层是包含空隙的结构; 在所述牺牲介电层上形成缓冲层; 在缓冲层上形成外延发光结构; 在外延发光结构上形成金属结合层; 将金属粘结层粘合到导热基板上; 并湿蚀刻牺牲介电层以去除衬底。

公开(公告)号：US09570653B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US13590474

申请日：2012-08-21

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-Hao Yang

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-Hao Yang

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/50 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505

摘要： A method for fabricating a light-emitting device is provided. The method includes: providing a substrate; forming a sacrificial dielectric layer on the substrate, wherein the sacrificial dielectric layer is a structure containing voids; forming a buffer layer on the sacrificial dielectric layer; forming an epitaxial light-emitting structure on the buffer layer; forming a metal bonding layer on the epitaxial light-emitting structure; bonding the metal bonding layer to a thermally conductive substrate; and wet etching the sacrificial dielectric layer for to remove the substrate.

摘要翻译： 提供一种制造发光器件的方法。 该方法包括：提供衬底; 在所述衬底上形成牺牲电介质层，其中所述牺牲绝缘层是包含空隙的结构; 在所述牺牲介电层上形成缓冲层; 在缓冲层上形成外延发光结构; 在外延发光结构上形成金属结合层; 将金属粘结层粘合到导热基板上; 并湿蚀刻牺牲介电层以去除衬底。

公开(公告)号：US20130062657A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13614090

申请日：2012-09-13

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Jui-Yi Chu ,  Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Jui-Yi Chu ,  Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0016

摘要： A light-emitting diode structure is disclosed. A substrate has a first semiconductor layer, a light-emitting layer and a second semiconductor layer formed thereon. The first and second semiconductor layers are of opposite conductivity types. A first contact electrode is disposed between the first semiconductor layer and the substrate, and has a protruding portion extending into the second semiconductor layer. A barrier layer is conformally formed on the first contact electrode and exposes a top surface of the protruding portion. A current blocking member is disposed on the barrier layer and around at least a sidewall of the protruding portion. A second contact electrode is disposed between the first semiconductor layer and the first contact electrode, and in direct contact with the first semiconductor layer, wherein the second contact electrode is electrically insulated from the first contact electrode by the barrier layer.

摘要翻译： 公开了一种发光二极管结构。 基板具有形成在其上的第一半导体层，发光层和第二半导体层。 第一和第二半导体层具有相反的导电类型。 第一接触电极设置在第一半导体层和基板之间，并且具有延伸到第二半导体层中的突出部分。 阻挡层在第一接触电极上共形地形成并暴露突出部分的顶表面。 电流阻挡构件设置在阻挡层上并且至少围绕突出部分的侧壁。 第二接触电极设置在第一半导体层和第一接触电极之间，并且与第一半导体层直接接触，其中第二接触电极通过阻挡层与第一接触电极电绝缘。

公开(公告)号：US08253160B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US13050677

申请日：2011-03-17

申请人： Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo ,  Kun-Fu Huang ,  Jui-Yi Chu ,  Kuo-Lung Fang

发明人： Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo ,  Kun-Fu Huang ,  Jui-Yi Chu ,  Kuo-Lung Fang

IPC分类号： H01L33/20

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387

摘要： A light-emitting diode chip structure including a conductive substrate, a semiconductor stacking layer and a patterned seed crystal layer is provided. The conductive substrate has a surface. The surface has a first region and a second region alternately distributed over the surface. The semiconductor stacking layer is disposed on the conductive substrate, and the surface of the conductive substrate faces the semiconductor stacking layer. The patterned seed crystal layer is disposed on the first region of the surface of the conductive substrate and between the conductive substrate and the semiconductor stacking layer. The patterned seed crystal layer separates the semiconductor stacking layer from the first region. The semiconductor stacking layer covers the patterned seed crystal layer and the second region, and is electrically connected to the conductive substrate through the second region. A fabrication method of the light-emitting diode chip structure is also provided.

摘要翻译： 提供了包括导电基板，半导体堆叠层和图案化晶种层的发光二极管芯片结构。 导电基板具有表面。 表面具有交替地分布在表面上的第一区域和第二区域。 半导体层叠层设置在导电性基板上，导电性基板的表面面向半导体层叠层。 图案化晶种层设置在导电基板的表面的第一区域上，并且在导电基板和半导体堆叠层之间。 图案化晶种层将半导体层叠层与第一区域分开。 半导体堆叠层覆盖图案化晶种层和第二区域，并且通过第二区域电连接到导电基板。 还提供了发光二极管芯片结构的制造方法。

公开(公告)号：US20120168712A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13329704

申请日：2011-12-19

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Kun-Fu Huang ,  Chun-Jong Chang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-wei Chao

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Kun-Fu Huang ,  Chun-Jong Chang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-wei Chao

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/46

摘要： A high bright LED comprises a substrate, a conductive layer, a first semiconductor layer, a luminous layer, a second semiconductor layer, a first electrode, a second electrode and an insulation structure. The conductive layer, the first semiconductor layer, the luminous layer and the second semiconductor layer are disposed upwards from an upper solder layer of the substrate in order. The first electrode is electrically connected to the conductive layer The second electrode penetrates through the conductive layer, the first semiconductor layer and the luminous layer to make the upper solder and the second semiconductor layer electrically connected. The insulation structure comprises at least two passivation layers peripherally wrapping the second electrode. The thicknesses of the at least two passivation layers are conformed to the distributed Bragg reflection technique to make the passivation layers jointly used as a reflector with high reflectance.

摘要翻译： 高亮度LED包括基板，导电层，第一半导体层，发光层，第二半导体层，第一电极，第二电极和绝缘结构。 导电层，第一半导体层，发光层和第二半导体层依次从衬底的上焊料层向上设置。 第一电极电连接到导电层。第二电极穿过导电层，第一半导体层和发光层，以使上焊料和第二半导体层电连接。 绝缘结构包括至少两个钝化层，其外围地缠绕第二电极。 至少两个钝化层的厚度符合分布布拉格反射技术，以使钝化层联合用作具有高反射率的反射器。

公开(公告)号：US20140065719A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13602528

申请日：2012-09-04

申请人： Chi-Wen Kuo ,  Yu-Kun Hung ,  Tzu-Sou Chuang

发明人： Chi-Wen Kuo ,  Yu-Kun Hung ,  Tzu-Sou Chuang

IPC分类号： G01N31/22 ,  G01N27/00 ,  G01N21/00 ,  G01N21/61

CPC分类号： G01N1/2202 ,  G01N21/82 ,  G01N31/22

摘要： A detection method for a substance and a system thereof are provided. The detection method for a substance contained in a sample includes providing a reagent in reaction with the substance to form a chelate; and pressurizing the substance to accumulate the chelate.

摘要翻译： 提供了一种物质及其系统的检测方法。 包含在样品中的物质的检测方法包括提供与物质反应形成螯合物的试剂; 并加压该物质以积聚螯合物。

公开(公告)号：US07993046B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12426962

申请日：2009-04-21

申请人： Chiang-Ching Wang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Zhou Chen ,  Chien-Hua Wu ,  Tsung-Hsien Chou ,  Chia-Hung Hsu

发明人： Chiang-Ching Wang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Zhou Chen ,  Chien-Hua Wu ,  Tsung-Hsien Chou ,  Chia-Hung Hsu

IPC分类号： F21V7/04 ,  H01L33/00

CPC分类号： F21V7/04 ,  G02B6/001 ,  Y10S362/80

摘要： A flexible light-emitting apparatus including a side light-emitting flexible light guide rod, two light emitting diodes, and two lenses is provided. The side light-emitting flexible light guide rod has a first end, a second end opposite to the first end, and a light-emitting surface connecting the first and the second ends. The LEDs are respectively disposed beside the first end and the second end and adapted for emitting light beams toward the side light-emitting flexible light guide rod, respectively. One of the lenses is located between the first end and the LED disposed beside the first end, and the other lens is located between the second end and the LED disposed beside the second end. Each of the light beams enters the side light-emitting flexible light guide rod through the corresponding lens and is transmitted to the outside of the side light-emitting flexible light guide rod through the light-emitting surface.

摘要翻译： 提供了包括侧发光柔性导光杆，两个发光二极管和两个透镜的柔性发光装置。 侧发光柔性导光杆具有第一端，与第一端相对的第二端和连接第一端和第二端的发光面。 LED分别设置在第一端和第二端的旁边，并且分别用于朝向侧面发光柔性导光棒发射光束。 其中一个透镜位于第一端和设置在第一端旁边的LED之间，另一透镜位于第二端和位于第二端旁边的LED之间。 每个光束通过相应的透镜进入侧发光柔性导光杆，并通过发光表面传输到侧发光柔性导光杆的外侧。

公开(公告)号：US20100119845A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12399036

申请日：2009-03-06

申请人： Cheng-Huang Kuo ,  Chi-Wen Kuo ,  Chun-Ju Tun

发明人： Cheng-Huang Kuo ,  Chi-Wen Kuo ,  Chun-Ju Tun

IPC分类号： B32B17/06 ,  H01L21/20 ,  C01B21/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/04

CPC分类号： H01L21/02458 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007

摘要： A manufacturing method of a nitride crystalline film includes following steps. First, a substrate is provided. Next, a first nitride crystalline film is formed on the substrate. A patterned mask is then formed on the first nitride crystalline film. The patterned mask covers a first part of the first nitride crystalline film and exposes a second part of the first nitride crystalline film. Afterwards, the second part is etched, and the first part is maintained. After that, the patterned mask is removed. The first part is then etched to form a plurality of nitride crystal nuclei. Next, a second nitride crystalline film is formed on the substrate, and the second nitride crystalline film is made to cover the nitride crystal nuclei. A nitride film and a substrate structure are also provided.

摘要翻译： 氮化物结晶膜的制造方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 接下来，在基板上形成第一氮化物结晶膜。 然后在第一氮化物晶体膜上形成图案化掩模。 图案化掩模覆盖第一氮化物结晶膜的第一部分并暴露第一氮化物结晶膜的第二部分。 之后，蚀刻第二部分，并保持第一部分。 之后，去除图案化的掩模。 然后蚀刻第一部分以形成多个氮化物晶核。 接下来，在基板上形成第二氮化物结晶膜，并且使第二氮化物结晶膜覆盖氮化物晶核。 还提供了氮化物膜和衬底结构。

公开(公告)号：US20100085730A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12247107

申请日：2008-10-07

申请人： Kimble J. Chen ,  Shyh Tah Chern ,  Shao-Yu Lu ,  Chi-Wen Kuo ,  Sung-Chi Chang ,  Jui-Wei Hsu ,  Yu-Ku Chuang

发明人： Kimble J. Chen ,  Shyh Tah Chern ,  Shao-Yu Lu ,  Chi-Wen Kuo ,  Sung-Chi Chang ,  Jui-Wei Hsu ,  Yu-Ku Chuang

IPC分类号： F21V33/00

CPC分类号： F21V29/773 ,  B23Q17/2404 ,  F21V5/002 ,  F21V5/04 ,  F21V13/04 ,  F21V29/713 ,  F21V29/74 ,  F21V29/75 ,  F21W2131/403 ,  F21Y2115/10

摘要： An illuminating device for machining tools is disclosed. A machining tool is installed with an illuminating device that uses a single LED prepared using the multi chip single module technique to provide high-power light. This elongates the lifetime of the illuminating device and has the advantages of power-saving and low temperature. The light thus produced does not have UV and IR components. In addition to no radiation injury to human bodies, the invention also avoids overlapped shadows in the case of multiple LED sources. Such a design of the cold and single light source can effectively bad influences on the precision of objects 31 being processed.

摘要翻译： 公开了一种用于加工工具的照明装置。 安装了一种加工工具，该照明装置使用使用多芯片单模技术制备的单个LED来提供高功率光。 这延长了照明装置的使用寿命，具有省电低温的优点。 由此产生的光不具有UV和IR成分。 除了对人体没有辐射伤害之外，本发明还避免了在多个LED源的情况下重叠的阴影。 冷光单光源的这种设计可以对被处理物体31的精度产生有害的影响。

公开(公告)号：US07833809B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US12117746

申请日：2008-05-09

申请人： Cheng-Huang Kuo ,  Wei-Chih Lai ,  Chi-Wen Kuo

发明人： Cheng-Huang Kuo ,  Wei-Chih Lai ,  Chi-Wen Kuo

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/007

摘要： A light emitting diode structure including a substrate, a strain-reducing seed layer, an epitaxial layer, a first electrode and a second electrode is provided. The strain-reducing seed layer having a plurality of clusters is disposed on the substrate, and the material of the clusters is selected from a group consisting of aluminum nitride, magnesium nitride and indium nitride. The epitaxial layer includes a first type doped semiconductor layer, a light emitting layer and a second type doped semiconductor layer. The first electrode is disposed on the exposed first type doped semiconductor layer and electrically connected thereto. The second electrode is disposed on the second type doped semiconductor layer and electrically connected thereto.

摘要翻译： 提供了包括基板，应变降低种子层，外延层，第一电极和第二电极的发光二极管结构。 具有多个簇的应变减少种子层设置在基板上，并且簇的材料选自氮化铝，氮化镁和氮化铟。 外延层包括第一掺杂半导体层，发光层和第二掺杂半导体层。 第一电极设置在暴露的第一型掺杂半导体层上并与其电连接。 第二电极设置在第二类型掺杂半导体层上并与其电连接。