公开(公告)号：US20060096521A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US11300660

申请日：2005-12-12

申请人： Mark D'Evelyn ,  Thomas Anthony ,  Stephen Arthur ,  Lionel Levinson ,  John Lucek ,  Larry Rowland ,  Suresh Vagarali

发明人： Mark D'Evelyn ,  Thomas Anthony ,  Stephen Arthur ,  Lionel Levinson ,  John Lucek ,  Larry Rowland ,  Suresh Vagarali

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： B01J3/065 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/0635 ,  B01J2203/0645 ,  B01J2203/066 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2203/067 ,  B01J2203/0675 ,  B01J2203/069 ,  C30B33/00 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： A method for removing defects at high pressure and high temperature (HP/HT) or for relieving strain in a non-diamond crystal commences by providing a crystal, which contains defects, and a pressure medium. The crystal and the pressure medium are disposed in a high pressure cell and placed in a high pressure apparatus, for processing under reaction conditions of sufficiently high pressure and high temperature for a time adequate for one or more of removing defects or relieving strain in the single crystal.

摘要翻译： 通过提供含有缺陷的晶体和压力介质，开始在高压高温（HP / HT）下除去非金刚石晶体中的缺陷或解除应变的方法。 将晶体和压力介质设置在高压电池中并放置在高压设备中，用于在足够高的压力和高温的反应条件下进行处理足够的时间以适应一个或多个去除缺陷或减轻单一应变的应变 水晶。

公开(公告)号：US20050152820A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US11010139

申请日：2004-12-10

申请人： Mark D'Evelyn ,  Kristi Narang ,  Robert Giddings ,  Steven Tysoe ,  John Lucek ,  Suresh Vagarali ,  Robert Leonelli ,  Joel Dysart

发明人： Mark D'Evelyn ,  Kristi Narang ,  Robert Giddings ,  Steven Tysoe ,  John Lucek ,  Suresh Vagarali ,  Robert Leonelli ,  Joel Dysart

IPC分类号： A61K9/64 ,  B01D9/00 ,  B01J3/00 ,  B01J3/06 ,  B01J19/02 ,  B65D1/40 ,  B65D3/22 ,  B65D6/14 ,  C30B9/00 ,  C30B29/40

CPC分类号： B01J3/008 ,  B01J3/062 ,  B01J19/02 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2219/00777 ,  B01J2219/0236 ,  B01J2219/024 ,  C30B7/10 ,  C30B9/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  Y02P20/544 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/108 ,  Y10T117/1092

摘要： A capsule for containing at least one reactant and a supercritical fluid in a substantially air-free environment under high pressure, high temperature processing conditions. The capsule includes a closed end, at least one wall adjoining the closed end and extending from the closed end; and a sealed end adjoining the at least one wall opposite the closed end. The at least one wall, closed end, and sealed end define a chamber therein for containing the reactant and a solvent that becomes a supercritical fluid at high temperatures and high pressures. The capsule is formed from a deformable material and is fluid impermeable and chemically inert with respect to the reactant and the supercritical fluid under processing conditions, which are generally above 5 kbar and 550° C. and, preferably, at pressures between 5 kbar and 80 kbar and temperatures between 550° C. and about 1500° C. The invention also includes methods of filling the capsule with the solvent and sealing the capsule, as well as an apparatus for sealing the capsule.

摘要翻译： 一种用于在高压，高温处理条件下在基本无空气环境中含有至少一种反应物和超临界流体的胶囊。 所述胶囊包括封闭端，邻近所述封闭端并从所述封闭端延伸的至少一个壁; 以及与所述封闭端相对的所述至少一个壁相邻的密封端。 至少一个壁，封闭端和密封端在其中限定一个室，用于容纳反应物和在高温和高压下成为超临界流体的溶剂。 胶囊由可变形材料形成，并且在加工条件下相对于反应物和超临界流体是流体不可渗透和化学惰性的，其通常高于5kbar和550℃，并且优选在5kbar和80kPa之间的压力 kbar和550℃至约1500℃之间的温度。本发明还包括用溶剂填充胶囊并密封胶囊的方法以及用于密封胶囊的装置。

公开(公告)号：US20080006844A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11621556

申请日：2007-01-09

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

IPC分类号： H01L33/00 ,  C01B21/06 ,  H01B1/02

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B7/10 ,  H01S5/305 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/21

摘要： A crystalline composition is provided that includes gallium and nitrogen. The crystalline composition may have an amount of oxygen present in a concentration of less than about 3×1018 per cubic centimeter, and may be free of two-dimensional planar boundary defects in a determined volume of the crystalline composition. The volume may have at least one dimension that is about 2.75 millimeters or greater, and the volume may have a one-dimensional linear defect dislocation density of less than about 10,000 per square centimeter.

摘要翻译： 提供了包括镓和氮的结晶组合物。 结晶组合物可以具有以每立方厘米小于约3×10 18的浓度存在的氧量，并且在确定体积的结晶组合物中可以没有二维平面边界缺陷。 该体积可以具有至少一个尺寸为约2.75毫米或更大，并且该体积可具有小于约10,000每平方厘米的一维线性缺陷位错密度。

公开(公告)号：US20080008855A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11621560

申请日：2007-01-09

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

IPC分类号： H01F1/40 ,  B32B15/00

CPC分类号： C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  H01F1/404 ,  Y10T428/24355

摘要： A crystalline composition is provided. The crystalline composition may include gallium and nitrogen; and the crystalline composition may have an infrared absorption peak at about 3175 cm−1, with an absorbance per unit thickness of greater than about 0.01 cm−1.

摘要翻译： 提供了结晶组合物。 结晶组合物可包括镓和氮; 并且结晶组合物可以在约3175cm -1处具有红外吸收峰，每单位厚度的吸光度大于约0.01cm -1。

公开(公告)号：US20070158785A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：US11559146

申请日：2006-11-13

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B9/00

摘要： A crystal comprising gallium nitride is disclosed. The crystal has at least one grain having at least one dimension greater than 2.75 mm, a dislocation density less than about 104 cm−2, and is substantially free of tilt boundaries.

摘要翻译： 公开了一种包括氮化镓的晶体。 晶体具有至少一个具有至少一个尺寸大于2.75mm的颗粒，位错密度小于约10 -4 cm -2，并且基本上没有倾斜边界 。

公开(公告)号：US20070040181A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11376575

申请日：2006-03-15

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  C30B23/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/184 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3402 ,  Y02E10/544

摘要： A crystalline composition is provided that includes gallium and nitrogen. The crystalline composition may have an amount of oxygen present in a concentration of less than about 3×1018 per cubic centimeter, and may be free of two-dimensional planar boundary defects in a determined volume of the crystalline composition. The volume may have at least one dimension that is about 2.75 millimeters or greater, and the volume may have a one-dimensional linear defect dislocation density of less than about 10,000 per square centimeter.

摘要翻译： 提供了包括镓和氮的结晶组合物。 结晶组合物可以具有以每立方厘米小于约3×10 18的浓度存在的氧量，并且在确定体积的结晶组合物中可以没有二维平面边界缺陷。 该体积可以具有至少一个尺寸为约2.75毫米或更大，并且该体积可具有小于约10,000每平方厘米的一维线性缺陷位错密度。

公开(公告)号：US20060169996A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11376640

申请日：2006-03-15

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C30B23/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/184 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3402 ,  Y02E10/544

摘要： A crystalline composition is provided. The crystalline composition may include gallium and nitrogen; and the crystalline composition may have an infrared absorption peak at about 3175 cm−1, with an absorbance per unit thickness of greater than about 0.01 cm−1.

摘要翻译： 提供了结晶组合物。 结晶组合物可包括镓和氮; 并且结晶组合物可以在约3175cm -1处具有红外吸收峰，每单位厚度的吸光度大于约0.01cm -1。

公开(公告)号：US20050098095A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US11010507

申请日：2004-12-13

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Arthur ,  Peter Sandvik

IPC分类号： C30B9/00 ,  H01L33/32 ,  C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A GaN crystal having up to about 5 mole percent of at least one of aluminum, indium, and combinations thereof. The GaN crystal has at least one grain having a diameter greater than 2 mm, a dislocation density less than about 104 cm−2, and is substantially free of tilt boundaries.

摘要翻译： 具有至多约5摩尔％的铝，铟及其组合中的至少一种的GaN晶体。 GaN晶体具有至少一个直径大于2mm的晶粒，位错密度小于约10 -4 cm -2，并且基本上没有倾斜边界。

公开(公告)号：US20070000330A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11516237

申请日：2006-09-06

申请人： Steven Tysoe ,  Mark D'Evelyn ,  Charles Becker ,  Abasifreke Ebong ,  Stephen Arthur ,  Steven LeBoeuf ,  Robert Wojnarowski ,  Samhita Dasgupta ,  Vinayak Tilak ,  Kanakasabapathi Subramanian ,  Jeffrey Fortin

发明人： Steven Tysoe ,  Mark D'Evelyn ,  Charles Becker ,  Abasifreke Ebong ,  Stephen Arthur ,  Steven LeBoeuf ,  Robert Wojnarowski ,  Samhita Dasgupta ,  Vinayak Tilak ,  Kanakasabapathi Subramanian ,  Jeffrey Fortin

IPC分类号： G01L7/00

CPC分类号： H01L21/31111

摘要： A pressure sensor is provided. The pressure sensor includes a multi-layer laminate comprising a substrate and a semiconductor layer, wherein the substrate comprises single crystal or quasi-single crystal aluminum oxide, and a portion of the substrate that is spaced from a peripheral edge is wet etched to form an inwardly facing sidewall that defines a volume; and a substrate to which the multi-layer laminate is secured. The volume is an enclosed volume further defined by a substrate surface.

摘要翻译： 提供压力传感器。 压力传感器包括多层层压体，其包括基底和半导体层，其中基底包括单晶或准单晶氧化铝，并且与周边边缘间隔开的部分基底被湿蚀刻以形成 限定体积的面向内的侧壁; 以及固定有多层层叠体的基板。 体积是由衬底表面进一步限定的封闭体积。

公开(公告)号：US20060289386A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11167719

申请日：2005-06-27

申请人： Steven Tysoe ,  Steven LeBoeuf ,  Mark D'Evelyn ,  Venkat Venkataramani ,  Vinayak Tilak ,  Jeffrey Fortin ,  Charles Becker ,  Stephen Arthur ,  Samhita Dasgupta ,  Kanakasabapathi Subramanian ,  Robert Wojnarowski ,  Abasifreke Ebong

发明人： Steven Tysoe ,  Steven LeBoeuf ,  Mark D'Evelyn ,  Venkat Venkataramani ,  Vinayak Tilak ,  Jeffrey Fortin ,  Charles Becker ,  Stephen Arthur ,  Samhita Dasgupta ,  Kanakasabapathi Subramanian ,  Robert Wojnarowski ,  Abasifreke Ebong

IPC分类号： B44C1/22 ,  C09K13/00 ,  G01L9/00

CPC分类号： H01L21/31111

摘要： An etchant including a halogenated salt, such as Cryolite (Na3AlF6) or potassium tetrafluoro borate (KBF4), is provided. The salt may be present in the etchant in an amount sufficient to etch a substrate and may have a melt temperature of greater than about 200 degrees Celsius. A method of wet etching may include contacting an etchant to at least one surface of a support layer of a multi-layer laminate, wherein the support layer may include aluminum oxide; or contacting an etchant to at least one surface of a support layer of a multi-layer laminate, wherein the etchant may include Cryolite (Na3AlF6), potassium tetrafluoro borate (KBF4), or both; and etching at least a portion of the support layer. The method may provide a laminate produced by growing a crystal onto an aluminum oxide support layer, and chemically removing at least a portion of the support layer by wet etch. An electronic device, optical device or combined device including the laminate is provided.

摘要翻译： 提供了包括卤化盐的蚀刻剂，例如Cryolite（Na 3 AlF 6）或四氟硼酸钾（KBF 4 N 4）。 盐可以以足以蚀刻基材的量存在于蚀刻剂中，并且可以具有大于约200摄氏度的熔体温度。 湿蚀刻的方法可以包括使蚀刻剂与多层层压体的支撑层的至少一个表面接触，其中所述支撑层可以包括氧化铝; 或使蚀刻剂与多层层压体的支撑层的至少一个表面接触，其中所述蚀刻剂可以包括冰晶石（Na 3 AlF 6 N），四氟硼酸钾 （KBF 4）或两者; 并蚀刻所述支撑层的至少一部分。 该方法可以提供通过将结晶生长到氧化铝载体层上并通过湿蚀刻化学去除至少一部分载体层而制备的层压体。 提供了包括层压板的电子设备，光学设备或组合设备。