公开(公告)号：US6137110A

公开(公告)日：2000-10-24

申请号：US134928

申请日：1998-08-17

申请人： Michael J. Pellin ,  Keith R. Lykke ,  Thorsten B. Lill

发明人： Michael J. Pellin ,  Keith R. Lykke ,  Thorsten B. Lill

IPC分类号： G01Q10/00 ,  H01J27/24 ,  H01J27/00

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/24 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/31749

摘要： A focused ion beam having a cross section of submicron diameter, a high ion current, and a narrow energy range is generated from a target comprised of particle source material by laser ablation. The method involves directing a laser beam having a cross section of critical diameter onto the target, producing a cloud of laser ablated particles having unique characteristics, and extracting and focusing a charged particle beam from the laser ablated cloud. The method is especially suited for producing focused ion beams for semiconductor device analysis and modification.

摘要翻译： 通过激光烧蚀从由粒子源材料构成的靶产生具有亚微米直径，高离子电流和窄能量范围的横截面的聚焦离子束。 该方法包括将具有临界直径横截面的激光束引导到目标上，产生具有独特特征的激光烧蚀颗粒云，以及从激光烧蚀云提取和聚焦带电粒子束。 该方法特别适用于生产用于半导体器件分析和修改的聚焦离子束。

公开(公告)号：US08101525B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12371085

申请日：2009-02-13

申请人： Meihua Shen ,  Noel Sun ,  Nicolas Gani ,  Han-Hsiang Chen ,  Eric Pei ,  Weimin Zeng ,  Thorsten B. Lill ,  Uday Mitra ,  Ellie Y. Yieh

发明人： Meihua Shen ,  Noel Sun ,  Nicolas Gani ,  Han-Hsiang Chen ,  Eric Pei ,  Weimin Zeng ,  Thorsten B. Lill ,  Uday Mitra ,  Ellie Y. Yieh

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Methods for fabricating a semiconductor device having a lanthanum-family-based oxide layer are described. A gate stack having a lanthanum-family-based oxide layer is provided above a substrate. At least a portion of the lanthanum-family-based oxide layer is modified to form a lanthanum-family-based halide portion. The lanthanum-family-based halide portion is removed with a water vapor treatment.

摘要翻译： 描述了制造具有镧族氧化物层的半导体器件的方法。 具有镧族氧化物层的栅极叠层设置在基板的上方。 镧族氧化物层的至少一部分被改性以形成镧族卤化物部分。 用水蒸气处理除去镧族卤化物部分。

公开(公告)号：US06872322B1

公开(公告)日：2005-03-29

申请号：US09362924

申请日：1999-07-27

申请人： Waiching Chow ,  Raney Williams ,  Thorsten B. Lill ,  Arthur Y. Chen

发明人： Waiching Chow ,  Raney Williams ,  Thorsten B. Lill ,  Arthur Y. Chen

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01J37/32862 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32137

摘要： A process for etching multiple layers on a substrate 25 in an etching chamber 30 and cleaning a multilayer etchant residue formed on the surfaces of the walls 45 and components of the etching chamber 30. In multiple etching steps, process gas comprising different compositions of etchant gas is used to etch layers on the substrate 25 thereby depositing a compositionally variant etchant residue inside the chamber 30. In one cleaning step, a first cleaning gas is added to the process gas to clean a first residue or to suppress deposition of the first residue onto the chamber surfaces. In a second cleaning step, another residue composition is cleaned off the chamber surfaces using a second cleaning gas composition.

摘要翻译： 在蚀刻室30中蚀刻衬底25上的多个层并清洁形成在壁45的表面上的多层蚀刻残渣和蚀刻室30的部件的方法。在多个蚀刻步骤中，包括不同组成的蚀刻气体 用于蚀刻衬底25上的层，从而在室30内​​沉积组成变化的蚀刻剂残留物。在一个清洁步骤中，将第一清洁气体加入到工艺气体中以清洁第一残留物或抑制第一残留物沉积到 室表面。 在第二清洁步骤中，使用第二清洁气体组合物从室表面清除另外的残余物组合物。

公开(公告)号：US08871650B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13646113

申请日：2012-10-05

申请人： Srinivas D. Nemani ,  Nicolas J. Bright ,  Thorsten B. Lill ,  Yifeng Zhou ,  Jamie Saephan ,  Ellie Yieh

发明人： Srinivas D. Nemani ,  Nicolas J. Bright ,  Thorsten B. Lill ,  Yifeng Zhou ,  Jamie Saephan ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1063

摘要： Post etch treatments (PETs) of low-k dielectric films are described. For example, a method of patterning a low-k dielectric film includes etching a low-k dielectric layer disposed above a substrate with a first plasma process. The etching involves forming a fluorocarbon polymer on the low-k dielectric layer. The low-k dielectric layer is surface-conditioned with a second plasma process. The surface-conditioning removes the fluorocarbon polymer and forms an Si—O-containing protecting layer on the low-k dielectric layer. The Si—O-containing protecting layer is removed with a third plasma process.

摘要翻译： 描述了低k电介质膜的后蚀刻处理（PET）。 例如，图案化低k电介质膜的方法包括用第一等离子体工艺蚀刻设置在衬底上方的低k电介质层。 蚀刻涉及在低k电介质层上形成碳氟聚合物。 低k电介质层用第二等离子体工艺进行表面调节。 表面处理除去碳氟聚合物，并在低k电介质层上形成含有Si-O的保护层。 用第三等离子体工艺除去含Si-O的保护层。

公开(公告)号：US20130109187A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13646113

申请日：2012-10-05

申请人： Srinivas D. Nemani ,  Nicolas J. Bright ,  Thorsten B. Lill ,  Yifeng Zhou ,  Jamie Saephan ,  Ellie Yieh

发明人： Srinivas D. Nemani ,  Nicolas J. Bright ,  Thorsten B. Lill ,  Yifeng Zhou ,  Jamie Saephan ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1063

摘要： Post etch treatments (PETs) of low-k dielectric films are described. For example, a method of patterning a low-k dielectric film includes etching a low-k dielectric layer disposed above a substrate with a first plasma process. The etching involves forming a fluorocarbon polymer on the low-k dielectric layer. The low-k dielectric layer is surface-conditioned with a second plasma process. The surface-conditioning removes the fluorocarbon polymer and forms an Si—O-containing protecting layer on the low-k dielectric layer. The Si—O-containing protecting layer is removed with a third plasma process.

摘要翻译： 描述了低k电介质膜的后蚀刻处理（PET）。 例如，图案化低k电介质膜的方法包括用第一等离子体工艺蚀刻设置在衬底上方的低k电介质层。 蚀刻涉及在低k电介质层上形成碳氟聚合物。 低k电介质层用第二等离子体工艺进行表面调节。 表面处理除去碳氟聚合物，并在低k电介质层上形成含有Si-O的保护层。 用第三等离子体工艺除去含Si-O的保护层。

公开(公告)号：US20100009470A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12172106

申请日：2008-07-11

申请人： Matthew F. Davis ,  Thorsten B. Lill ,  Lei Lian

发明人： Matthew F. Davis ,  Thorsten B. Lill ,  Lei Lian

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/67207 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus for adaptive self-aligned dual patterning and method thereof. The method includes providing a substrate to a processing platform configured to perform an etch process and a deposition process and a metrology unit configured for in-vacuo critical dimension (CD) measurement. The in-vacuo CD measurement is utilized for feedforward adaptive control of the process sequence processing platform or for feedback and feedforward adaptive control of chamber process parameters. In one aspect, a first layer of a multi-layered masking stack is etched to form a template mask, an in-vacuo CD measurement of the template mask is made, and a spacer is formed, adjacent to the template mask, to a width that is dependent on the CD measurement of the template mask.

摘要翻译： 一种用于自适应自对准双重图案化的装置及其方法。 该方法包括向被配置为执行蚀刻工艺和沉积工艺的处理平台提供衬底以及配置用于真空临界尺寸（CD）测量）的测量单元。 真空CD测量用于过程序列处理平台的前馈自适应控制或者用于反馈和前馈自适应控制室工艺参数。 在一个方面，蚀刻多层掩模叠层的第一层以形成模板掩模，制成模板掩模的真空中的CD测量，并且将与模板掩模相邻的间隔物形成为宽度 这取决于模板掩码的CD测量。

公开(公告)号：US06924191B2

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US10463460

申请日：2003-06-16

申请人： Wei Liu ,  Thorsten B. Lill ,  David S. L. Mui ,  Christopher Dennis Bencher

发明人： Wei Liu ,  Thorsten B. Lill ,  David S. L. Mui ,  Christopher Dennis Bencher

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583

摘要： A method for fabricating features on a substrate having reduced dimensions. The features are formed by defining a first mask on regions of the substrate. The first mask is defined using lithographic techniques. A second mask is then conformably formed on one or more sidewalls of the first mask. The features are formed on the substrate by removing the first mask and then etching the substrate using the second mask as an etch mask.

摘要翻译： 一种在尺寸减小的基板上制造特征的方法。 特征通过在衬底的区域上限定第一掩模而形成。 第一个掩模使用光刻技术定义。 然后在第一掩模的一个或多个侧壁上顺应地形成第二掩模。 通过去除第一掩模在衬底上形成特征，然后使用第二掩模作为蚀刻掩模蚀刻衬底。

公开(公告)号：US06583065B1

公开(公告)日：2003-06-24

申请号：US09366509

申请日：1999-08-03

申请人： Raney Williams ,  Jeffrey Chinn ,  Jitske Trevor ,  Thorsten B. Lill ,  Padmapani Nallan ,  Tamas Varga ,  Herve Mace

发明人： Raney Williams ,  Jeffrey Chinn ,  Jitske Trevor ,  Thorsten B. Lill ,  Padmapani Nallan ,  Tamas Varga ,  Herve Mace

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32137

摘要： A process of reducing critical dimension (CD) microloading in dense and isolated regions of etched features of silicon-containing material on a substrate uses a plasma of an etchant gas and an additive gas. In one version, the etchant gas comprises halogen species absent fluorine, and the additive gas comprises fluorine species and carbon species, or hydrogen species and carbon species.

摘要翻译： 在衬底上的含硅材料的蚀刻特征的致密和隔离区域中减小临界尺寸（CD）微载荷的方法使用蚀刻剂气体和附加气体的等离子体。 在一个版本中，蚀刻剂气体包括不含氟的卤素物质，并且添加剂气体包括氟物质和碳物质，或氢物质和碳物质。

公开(公告)号：US6081334A

公开(公告)日：2000-06-27

申请号：US62520

申请日：1998-04-17

申请人： Michael N. Grimbergen ,  Thorsten B. Lill

发明人： Michael N. Grimbergen ,  Thorsten B. Lill

IPC分类号： G01B11/06 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  G01B9/02

CPC分类号： H01L22/26 ,  G01B11/0683 ,  H01L21/32137

摘要： A substrate 20 in a process chamber 42 is processed at process conditions suitable for processing a layer 30 on the substrate 20, the process conditions comprising one or more of process gas composition and flow rates, power levels of process gas energizers, process gas pressure, and substrate temperature. The intensity of a reflected light beam 78 reflected from the layer 30 on the substrate 20 is measured over time, to determine a measured waveform pattern. The measured waveform pattern is compared to a pretetermined characteristic waveform pattern, and when the two waveform patterns are similar or substantially the same, the process conditions are changed to change a rate of processing or a process selectivity ratio of the layer 30 on the substrate 20 before the entire layer 30 is completely processed.

摘要翻译： 处理室42中的衬底20在适于处理衬底20上的层30的工艺条件下进行处理，工艺条件包括工艺气体组成和流速中的一种或多种，​​工艺气体激发器的功率水平，工艺气体压力， 和基板温度。 在时间上测量从衬底20上的层30反射的反射光束78的强度，以确定测量的波形图案。 将测量的波形图案与预定特征波形图案进行比较，并且当两个波形图案相似或基本相同时，改变处理条件以改变基板20上的层30的处理速率或处理选择比率 在整个层30被完全处理之前。

公开(公告)号：US08617347B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12537179

申请日：2009-08-06

申请人： Jisoo Kim ,  Thorsten B. Lill

发明人： Jisoo Kim ,  Thorsten B. Lill

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

CPC分类号： H01L21/68785 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/185 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/182 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6719

摘要： A method and apparatus for vacuum processing of a workpiece, the apparatus including a flow equalizer disposed in a vacuum processing chamber between a workpiece support pedestal and a pump port located in a wall of the vacuum processing chamber. In an embodiment, the flow equalizer has a first annular surface concentric about the workpiece support pedestal to provide conductance symmetry about the workpiece support even when the pump port is asymmetrically positioned within the vacuum processing chamber. In an embodiment, the flow equalizer has a second annular surface facing a lower surface of the workpiece support pedestal to restrict conductance as the flow equalizer is moved is response to a chamber pressure control signal. In an embodiment, the apparatus for vacuum processing of a workpiece includes tandem vacuum processing chambers sharing a vacuum pump with each tandem chamber including a flow equalizer to reduce cross-talk between the tandem chambers.

摘要翻译： 一种用于真空处理工件的方法和装置，该装置包括设置在工件支撑基座和位于真空处理室的壁中的泵口之间的真空处理室中的流量均衡器。 在一个实施例中，流量均衡器具有围绕工件支撑基座同心的第一环形表面，以便即使当泵口不对称地位于真空处理室内时也能够提供关于工件支撑件的电导对称性。 在一个实施例中，流量均衡器具有面向工件支撑基座的下表面的第二环形表面，以在流量均衡器移动时限制电导响应于腔室压力控制信号。 在一个实施例中，用于真空处理工件的装置包括串联真空处理室，其共享真空泵，每个串联室包括流量均衡器以减少串联室之间的串扰。