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    Pattern decomposition lithography techniques
    3.
    发明授权
    Pattern decomposition lithography techniques 有权
    图案分解光刻技术

    公开(公告)号：US09558947B2

    公开(公告)日：2017-01-31

    申请号：US13976082

    申请日：2011-12-29

    申请人： Charles H. Wallace ,  Hossam M. Abdallah ,  Elliot N. Tan ,  Swaminathan Sivakumar ,  Oleg Golonzka ,  Robert M. Bigwood

    发明人： Charles H. Wallace ,  Hossam M. Abdallah ,  Elliot N. Tan ,  Swaminathan Sivakumar ,  Oleg Golonzka ,  Robert M. Bigwood

    IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/263 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02 ,  H01L27/02 ,  G03F1/50 ,  G03F7/00 ,  G03F7/40

    CPC分类号： H01L24/09 ,  G03F1/50 ,  G03F1/70 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/16 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70741 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/0207 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08053 ,  H01L2224/0912 ,  H01L2924/14

    摘要： Techniques are disclosed for realizing a two-dimensional target lithography feature/pattern by decomposing (splitting) it into multiple unidirectional target features that, when aggregated, substantially (e.g., fully) represent the original target feature without leaving an unrepresented remainder (e.g., a whole-number quantity of unidirectional target features). The unidirectional target features may he arbitrarily grouped such that, within a grouping, all unidirectional target features share a common target width value. Where multiple such groupings are provided, individual groupings may or may not have the same common target width value. In some cases, a series of reticles is provided, each reticle having a mask pattern correlating to a grouping of unidirectional target features. Exposure of a photoresist material via the aggregated series of reticles substantially (e.g., fully) produces the original target feature/pattern. The pattern decomposition techniques may be integrated into any number of patterning processes, such as litho-freeze-litho-etch and litho-etch-litho-etch patterning processes.

    摘要翻译： 公开了用于通过将其分解（分解）成多个单向目标特征来实现二维目标光刻特征/图案的技术，其在聚合时基本上（例如，完全）代表原始目标特征而不留下未表示的余数（例如， 全数量的单向目标特征）。 单向目标特征可以任意分组，使得在分组内，所有单向目标特征共享共同的目标宽度值。 在提供多个这样的分组的情况下，个体分组可以具有或可以不具有相同的共同目标宽度值。 在一些情况下，提供一系列光罩，每个掩模版具有与单向目标特征的分组相关的掩模图案。 基本上（例如，完全）通过聚集的标线系列曝光光致抗蚀剂材料产生原始目标特征/图案。 图案分解技术可以集成到任何数量的图案化工艺中，例如光刻冷冻 - 光刻蚀刻和光蚀刻 - 光蚀刻图案化工艺。

    PATTERN DECOMPOSITION LITHOGRAPHY TECHNIQUES
    4.
    发明申请
    PATTERN DECOMPOSITION LITHOGRAPHY TECHNIQUES 有权
    图案分解光刻技术

    公开(公告)号：US20140117488A1

    公开(公告)日：2014-05-01

    申请号：US13976082

    申请日：2011-12-29

    申请人： Charles H. Wallace ,  Hossam M. Abdallah ,  Elliot N. Tan ,  Swaminathan Sivakumar ,  Oleg Golonzka ,  Robert M. Bigwood

    发明人： Charles H. Wallace ,  Hossam M. Abdallah ,  Elliot N. Tan ,  Swaminathan Sivakumar ,  Oleg Golonzka ,  Robert M. Bigwood

    IPC分类号： H01L21/263 ,  H01L27/02 ,  H01L21/02 ,  G03F7/20

    CPC分类号： H01L24/09 ,  G03F1/50 ,  G03F1/70 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/16 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70741 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/0207 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08053 ,  H01L2224/0912 ,  H01L2924/14

    摘要： Techniques are disclosed for realizing a two-dimensional target lithography feature/pattern by decomposing (splitting) it into multiple unidirectional target features that, when aggregated, substantially (e.g., fully) represent the original target feature without leaving an unrepresented remainder (e.g., a whole-number quantity of unidirectional target features). The unidirectional target features may he arbitrarily grouped such that, within a grouping, all unidirectional target features share a common target width value. Where multiple such groupings are provided, individual groupings may or may not have the same common target width value. In some cases, a series of reticles is provided, each reticle having a mask pattern correlating to a grouping of unidirectional target features. Exposure of a photoresist material via the aggregated series of reticles substantially (e.g., fully) produces the original target feature/pattern. The pattern decomposition techniques may be integrated into any number of patterning processes, such as litho-freeze-litho-etch and litho-etch-litho-etch patterning processes.

    摘要翻译： 公开了用于通过将其分解（分解）成多个单向目标特征来实现二维目标光刻特征/图案的技术，其在聚合时基本上（例如，完全）代表原始目标特征而不留下未表示的余数（例如， 全数量的单向目标特征）。 单向目标特征可以任意分组，使得在分组内，所有单向目标特征共享共同的目标宽度值。 在提供多个这样的分组的情况下，个体分组可以具有或可以不具有相同的共同目标宽度值。 在一些情况下，提供一系列光罩，每个掩模版具有与单向目标特征的分组相关的掩模图案。 基本上（例如，完全）通过聚集的标线系列曝光光致抗蚀剂材料产生原始目标特征/图案。 图案分解技术可以集成到任何数量的图案化工艺中，例如光刻冷冻 - 光刻蚀刻和光蚀刻 - 光蚀刻图案化工艺。

    DOUBLE PATTERNING TECHNIQUES AND STRUCTURES
    6.
    发明申请
    DOUBLE PATTERNING TECHNIQUES AND STRUCTURES 有权
    双重图案技术和结构

    公开(公告)号：US20090267175A1

    公开(公告)日：2009-10-29

    申请号：US12111702

    申请日：2008-04-29

    申请人： Charles H. Wallace ,  Matthew Tingey ,  Swaminathan Sivakumar

    发明人： Charles H. Wallace ,  Matthew Tingey ,  Swaminathan Sivakumar

    IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L27/00

    CPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088

    摘要： Double patterning techniques and structures are generally described. In one example, a method includes depositing a first photoresist to a semiconductor substrate, forming a first integrated circuit (IC) pattern in the first photoresist, the first IC pattern comprising one or more trench structures, protecting the first IC pattern in the first photoresist from actions that form a second IC pattern in a second photoresist, depositing the second photoresist to the first IC pattern, and forming the second IC pattern in the second photoresist, the second IC pattern comprising one or more structures that are sufficiently close to the one or more trench structures of the first IC pattern to cause scumming of the second photoresist in the one or more trench structures of the first IC pattern.

    摘要翻译： 通常描述双重图案形成技术和结构。 在一个实例中，一种方法包括将第一光致抗蚀剂沉积到半导体衬底，在第一光致抗蚀剂中形成第一集成电路（IC）图案，第一IC图案包括一个或多个沟槽结构，保护第一光致抗蚀剂中的第一IC图案 从在第二光致抗蚀剂中形成第二IC图案的动作，将第二光致抗蚀剂沉积到第一IC图案，以及在第二光致抗蚀剂中形成第二IC图案，第二IC图案包括一个或多个足够接近该一个的结构 或更多个沟槽结构，以使第一IC图案的一个或多个沟槽结构中的第二光致抗蚀剂浮渣。

    DOUBLE PATTERNING LITHOGRAPHY TECHNIQUES
    7.
    发明申请
    DOUBLE PATTERNING LITHOGRAPHY TECHNIQUES 有权
    双重图案平铺技术

    公开(公告)号：US20140017899A1

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：US13976090

    申请日：2011-12-29

    申请人： Charles H. Wallace ,  Swaminathan Sivakumar ,  Matthew L. Tingey ,  Chanaka D. Munasinghe ,  Nadia M. Rahhal-Orabi

    发明人： Charles H. Wallace ,  Swaminathan Sivakumar ,  Matthew L. Tingey ,  Chanaka D. Munasinghe ,  Nadia M. Rahhal-Orabi

    IPC分类号： H01L21/308

    CPC分类号： H01L21/3088 ,  H01L21/0337

    摘要： Techniques are disclosed for double patterning of a lithographic feature using a barrier layer between the pattern layers. In some cases, the techniques may be implemented with double patterning of a one- or two-dimensional photolithographic feature, for example. In some embodiments, the barrier layer is deposited to protect a first photoresist pattern prior to application of a second photoresist pattern thereon and/or to tailor (e.g., shrink) one or more of the critical dimensions of a trench, hole, or other etchable geometric feature to be formed in a substrate or other suitable surface via lithographic processes. In some embodiments, the techniques may be implemented to generate/print small features (e.g., less than or equal to about 100 nm) including one- and two-dimensional features/structures of varying complexity.

    摘要翻译： 公开了使用图案层之间的阻挡层对光刻特征进行双重图案化的技术。 在一些情况下，例如，可以通过双图案化一维或二维光刻特征来实现这些技术。 在一些实施例中，沉积阻挡层以在施加第二光致抗蚀剂图案之前保护第一光致抗蚀剂图案和/或定制（例如，收缩）沟槽，孔或其它可蚀刻的一个或多个临界尺寸 通过光刻工艺在衬底或其它合适的表面中形成的几何特征。 在一些实施例中，可以实施技术来生成/打印包括不同复杂度的一维和二维特征/结构的小特征（例如，小于或等于约100nm）。

    Double patterning techniques and structures
    9.
    发明授权
    Double patterning techniques and structures 有权
    双重图案化技术和结构

    公开(公告)号：US07915171B2

    公开(公告)日：2011-03-29

    申请号：US12111702

    申请日：2008-04-29

    申请人： Charles H. Wallace ,  Matthew Tingey ,  Swaminathan Sivakumar

    发明人： Charles H. Wallace ,  Matthew Tingey ,  Swaminathan Sivakumar

    IPC分类号： H01L21/306 ,  G03F1/00

    CPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088

    摘要： Double patterning techniques and structures are generally described. In one example, a method includes depositing a first photoresist to a semiconductor substrate, forming a first integrated circuit (IC) pattern in the first photoresist, the first IC pattern comprising one or more trench structures, protecting the first IC pattern in the first photoresist from actions that form a second IC pattern in a second photoresist, depositing the second photoresist to the first IC pattern, and forming the second IC pattern in the second photoresist, the second IC pattern comprising one or more structures that are sufficiently close to the one or more trench structures of the first IC pattern to cause scumming of the second photoresist in the one or more trench structures of the first IC pattern.

    摘要翻译： 通常描述双重图案形成技术和结构。 在一个实例中，一种方法包括将第一光致抗蚀剂沉积到半导体衬底，在第一光致抗蚀剂中形成第一集成电路（IC）图案，第一IC图案包括一个或多个沟槽结构，保护第一光致抗蚀剂 从在第二光致抗蚀剂中形成第二IC图案的动作，将第二光致抗蚀剂沉积到第一IC图案，以及在第二光致抗蚀剂中形成第二IC图案，第二IC图案包括一个或多个足够接近该一个的结构 或更多个沟槽结构，以使第一IC图案的一个或多个沟槽结构中的第二光致抗蚀剂浮渣。