公开(公告)号：US20200317511A1

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：US16906214

申请日：2020-06-19

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Hyeon-jin SHIN ,  Jae-young CHOI ,  Yun-sung WOO ,  Seon-mi YOON

IPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  C23C16/26 ,  C01B32/186 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56

摘要： A method of preparing crystalline graphene includes performing a first thermal treatment including supplying heat to an inorganic substrate in a reactor, introducing a vapor carbon supply source into the reactor during the first thermal treatment to form activated carbon, and binding of the activated carbon on the inorganic substrate to grow the crystalline graphene.

公开(公告)号：US20140141265A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：US14165819

申请日：2014-01-28

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Hyeon-jin SHIN ,  Jae-young CHOI ,  Joung-real AHN ,  Jung-tak SEO

IPC分类号： B32B9/04

CPC分类号： B32B9/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/778 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01M4/96 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/086 ,  H01M8/1007 ,  H01M8/1011 ,  H01M8/103 ,  H01M8/1041 ,  Y02E10/50 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56

摘要： A method of directly growing graphene of a graphene-layered structure, the method including ion-implanting at least one ion of a nitrogen ion and an oxygen ion on a surface of a silicon carbide (SiC) thin film to form an ion implantation layer in the SiC thin film; and heat treating the SiC thin film with the ion implantation layer formed therein to graphenize a SiC surface layer existing on the ion implantation layer.

摘要翻译： 一种直接生长石墨烯层状结构的石墨烯的方法，该方法包括在碳化硅（SiC）薄膜的表面上离子注入氮离子和氧离子的至少一个离子以形成离子注入层 SiC薄膜; 以及利用其中形成的离子注入层对SiC薄膜进行热处理以对存在于离子注入层上的SiC表面层进行石墨化。

公开(公告)号：US20140014970A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13937563

申请日：2013-07-09

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Yun-sung WOO ,  Seon-mi YOON ,  Hyeon-jin SHIN ,  Dong-wook LEE ,  Jae-young CHOI

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L21/02527 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/8213 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7781 ,  Y10S977/734

摘要： A method of fabricating a single-layer graphene on a silicon carbide (SiC) wafer includes forming a plurality of graphene layers on the SiC wafer such that the plurality of graphene layers are on a buffer layer of the SiC wafer, the buffer layer being formed of carbon; removing the plurality of graphene layers from the buffer layer; and converting the buffer layer to a single-layer graphene.

摘要翻译： 在碳化硅（SiC）晶片上制造单层石墨烯的方法包括在SiC晶片上形成多个石墨烯层，使得多个石墨烯层位于SiC晶片的缓冲层上，形成缓冲层 的碳; 从缓冲层去除多个石墨烯层; 并将缓冲层转化为单层石墨烯。

公开(公告)号：US20170282502A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：US15628891

申请日：2017-06-21

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd. ,  Sungkyunkwan University Foundation for Corporate Collaboration

发明人： Hyeon-jin SHIN ,  Sang-Woo KIM ,  Jin yeong LEE

IPC分类号： B32B15/04 ,  C23C16/34 ,  H01L21/02 ,  C23C28/00

CPC分类号： B32B15/04 ,  B32B2457/00 ,  C23C16/342 ,  C23C28/34 ,  H01L21/02458 ,  Y10T428/31678

摘要： A substrate assembly includes a first hexagonal boron nitride sheet directly bonded to a surface of a substrate, and a metal layer on the first hexagonal boron nitride sheet.

公开(公告)号：US20150194233A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：US14588734

申请日：2015-01-02

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Seong-jun JEONG ,  Seong-jun PARK ,  Hyeon-jin SHIN ,  Yea-hyun GU ,  Hyoung-sub KIM ,  Jae-hyun YANG

IPC分类号： H01B1/04 ,  H01B13/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455 ,  H01L29/16 ,  C23C16/06

CPC分类号： H01B1/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7781 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30

摘要： Example embodiments relate to a stacking structure having a material layer formed on a graphene layer, and a method of forming the material layer on the graphene layer. In the stacking structure, when the material layer is formed on the graphene layer by using an ALD method, an intermediate layer as a seed layer may be formed on the graphene layer by using a linear type precursor.

摘要翻译： 示例性实施例涉及具有在石墨烯层上形成的材料层的堆叠结构，以及在石墨烯层上形成材料层的方法。 在堆叠结构中，当通过使用ALD方法在石墨烯层上形成材料层时，可以通过使用线型前体在石墨烯层上形成作为种子层的中间层。

公开(公告)号：US20150155287A1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：US14265965

申请日：2014-04-30

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Jin-seong HEO ,  Seong-jun PARK ,  Hyeon-jin SHIN ,  Jae-ho LEE

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/43 ,  H01L29/51 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/1606 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/7606 ,  H01L45/149

摘要： Disclosed are memory devices including a two-dimensional (2D) material, methods of manufacturing the same, and methods of operating the same. A memory device may include a transistor, which includes graphene and 2D semiconductor contacting the graphene, and a capacitor connected to the transistor. The memory device may include a first electrode, a first insulation layer, a second electrode, a semiconductor layer, a third electrode, a second insulation layer, and a fourth electrode which are sequentially arranged. The second electrode may include the graphene, and the semiconductor layer may include the 2D semiconductor. Alternatively, the memory device may include first and second electrode elements, a graphene layer between the first and second electrode elements, a 2D semiconductor layer between the graphene layer and the first electrode element, and a dielectric layer between the graphene layer and the second electrode.

摘要翻译： 公开了包括二维（2D）材料，其制造方法及其操作方法的存储器件。 存储器件可以包括晶体管，其包括与石墨烯接触的石墨烯和2D半导体以及连接到晶体管的电容器。 存储器件可以包括依次布置的第一电极，第一绝缘层，第二电极，半导体层，第三电极，第二绝缘层和第四电极。 第二电极可以包括石墨烯，并且半导体层可以包括2D半导体。 或者，存储器件可以包括第一和第二电极元件，在第一和第二电极元件之间的石墨烯层，在石墨烯层和第一电极元件之间的2D半导体层，以及在石墨烯层和第二电极之间的电介质层 。

公开(公告)号：US20150137074A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：US14334028

申请日：2014-07-17

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Jae-ho LEE ,  Kyung-eun BYUN ,  Hyun-jae SONG ,  Hyeon-jin SHIN ,  Min-Hyun LEE ,  In-kyeong YOO ,  Seong-jun PARK

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/267 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/66977 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

摘要： A graphene device including separated junction contacts and a method of manufacturing the same are disclosed. The graphene device is a field effect transistor (FET) in which graphene is used as a channel. A source electrode and a drain electrode do not directly contact the graphene channel, and junction contacts formed by doping semiconductor are separately disposed between the graphene channel and the source electrode and between the graphene channel and the drain electrode. Therefore, in an off state where a voltage is not applied to a gate electrode, due to a barrier between the graphene channel and the junction contacts, carriers may not move. As a result, the graphene device may have low current in the off state.

摘要翻译： 公开了一种包括分离的接点的石墨烯器件及其制造方法。 石墨烯装置是其中使用石墨烯作为通道的场效应晶体管（FET）。 源电极和漏电极不直接接触石墨烯通道，并且由掺杂半导体形成的结接点分别设置在石墨烯通道和源电极之间以及石墨烯通道和漏电极之间。 因此，在由于石墨烯通道和接合点之间的阻挡而不向栅电极施加电压的关闭状态下，载体可能不移动。 结果，石墨烯器件在断开状态下可能具有低电流。

公开(公告)号：US20140231752A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：US14180928

申请日：2014-02-14

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Hyeon-jin SHIN ,  Kyung-eun BYUN ,  Hyun-jae SONG ,  Seong-jun PARK ,  David SEO ,  Yun-sung WOO ,  Dong-wook LEE ,  Jae-ho LEE ,  Hyun-jong CHUNG ,  Jin-seong HEO ,  In-kyeong YOO

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L33/34 ,  H01L31/028 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

摘要： A graphene device and an electronic apparatus including the same are provided. According to example embodiments, the graphene device includes a transistor including a source, a gate, and a drain, an active layer through which carriers move, and a graphene layer between the gate and the active layer. The graphene layer may be configured to function both as an electrode of the active layer and a channel layer of the transistor.

摘要翻译： 提供了石墨烯装置和包括该石墨烯装置的电子装置。 根据示例性实施例，石墨烯装置包括晶体管，其包括源极，栅极和漏极，载流子移动的有源层以及栅极和有源层之间的石墨烯层。 石墨烯层可以被配置为既用作有源层的电极和晶体管的沟道层。

公开(公告)号：US20140141600A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：US13917786

申请日：2013-06-14

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Dong Wook LEE ,  Hyeon-jin SHIN ,  Seong-jun PARK ,  Kyung-eun BYUN ,  David SEO ,  Hyun-jae SONG ,  Yun-sung WOO ,  Jae-ho LEE ,  Hyun-jong CHUNG ,  Jin-seong HEO

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02527 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/1606

摘要： A method of preparing graphene includes forming a silicon carbide thin film on a substrate, forming a metal thin film on the silicon carbide thin film, and forming a metal composite layer and graphene on the substrate by heating the silicon carbide thin film and the metal thin film.

摘要翻译： 制备石墨烯的方法包括在基板上形成碳化硅薄膜，在碳化硅薄膜上形成金属薄膜，通过加热碳化硅薄膜和金属薄膜，在基板上形成金属复合层和石墨烯 电影。

公开(公告)号：US20150194234A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：US14337741

申请日：2014-07-22

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Hyeon-jin SHIN ,  Seong-jun PARK ,  Jae-ho LEE ,  Seong-Jun JEONG

IPC分类号： H01B1/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  H01B1/02 ,  C23C16/44

CPC分类号： H01B1/08 ,  C23C14/025 ,  C23C14/08 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/40 ,  Y10T428/265

摘要： A thin film structure includes a metal seed layer, and a method of forming an oxide thin film on a conductive substrate by using the metal seed layer is disclosed. The thin film structure includes a transparent conductive substrate, a metal seed layer that is deposited on the transparent conductive substrate, and a metal oxide layer that is deposited on the metal seed layer.

摘要翻译： 公开了一种薄膜结构，包括金属种子层，以及通过使用金属种子层在导电性基板上形成氧化物薄膜的方法。 薄膜结构包括透明导电基板，沉积在透明导电基板上的金属籽晶层和沉积在金属籽晶层上的金属氧化物层。