公开(公告)号：US4412119A

公开(公告)日：1983-10-25

申请号：US260813

申请日：1981-05-05

申请人： Hideo Komatsu ,  Shinya Iida ,  Tatsumi Mizutani ,  Kazuyoshi Ueki

发明人： Hideo Komatsu ,  Shinya Iida ,  Tatsumi Mizutani ,  Kazuyoshi Ueki

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/32136 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

摘要： A dry-etching method for working SiO.sub.2, phospho-silicate glass, Si, Mo, W, Cr, TiW, Si.sub.3 N.sub.4 or the like by the use of a glow discharge plasma involves the steps of introducing He, Ar, N.sub.2, O.sub.2 or a mixed gas thereof into a reaction chamber from the outside; and effecting the plasma discharge in the reaction chamber so that a reactive gas is liberated from a high molecular resin material arranged in the reaction chamber and containing fluorine atoms. The dry-etching method requires and uses no expensive gas containing a fluorocarbon, but has sufficient etching rate and selectivity.

摘要翻译： 通过使用辉光放电等离子体，对SiO 2，磷硅酸盐玻璃，Si，Mo，W，Cr，TiW，Si 3 N 4等进行加工的干式蚀刻方法包括引入He，Ar，N 2，O 2或 其混合气体从外部进入反应室; 并且在反应室中进行等离子体放电，使得反应气体从布置在反应室中的含有氟原子的高分子树脂材料释放出来。 干蚀刻方法需要并且不使用含有碳氟化合物的昂贵的气体，但是具有足够的蚀刻速率和选择性。

公开(公告)号：US4308089A

公开(公告)日：1981-12-29

申请号：US148283

申请日：1980-05-09

申请人： Shinya Iida ,  Kazuyoshi Ueki ,  Tatsumi Mizutani ,  Hideo Komatsu ,  Kado Hirobe

发明人： Shinya Iida ,  Kazuyoshi Ueki ,  Tatsumi Mizutani ,  Hideo Komatsu ,  Kado Hirobe

IPC分类号： C23F4/00 ,  C23F15/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52 ,  C23F1/02 ,  C23C15/00 ,  C23G1/02

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C23F4/00 ,  H01L21/321

摘要： Disclosed is a method for preventing corrosion of Al and Al alloys processed by the dry-etching method, which comprises (i) the step of sputtering Al or Al alloy in an ammonia-containing atmosphere and (ii) the step of washing the sputtered Al or Al alloy with an alkaline aqueous solution and then with water after termination of the step (i).According to this method, corrosion of Al or Al alloy by halogen element-containing substances stuck to Al or Al alloy during the dry-etching treatment can be effectively prevented.

摘要翻译： 本发明公开了一种防腐蚀方法，该方法包括：（i）在含氨气氛中溅射Al或Al合金的步骤，以及（ii）将溅射的Al 或Al合金与碱性水溶液反应，然后在步骤（i）终止后与水合并。 根据该方法，可以有效地防止在干法蚀刻处理中在Al或Al合金上粘附含卤素元素的Al或Al合金的腐蚀。

公开(公告)号：US4289188A

公开(公告)日：1981-09-15

申请号：US150939

申请日：1980-05-19

申请人： Tatsumi Mizutani ,  Kazuyoshi Ueki ,  Shinya Iida ,  Hideo Komatsu

发明人： Tatsumi Mizutani ,  Kazuyoshi Ueki ,  Shinya Iida ,  Hideo Komatsu

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/32136 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02019

摘要： Method and apparatus for monitoring a dry etching process using gas plasma, wherein a ratio of a spectrum intensity which varies depending on the process of the etching process to a spectrum intensity which is independent of the process of the etching process is determined and a resulting signal intensity is monitored. The completion of the etching process can be exactly determined irrespective of variation of the etching conditions.

摘要翻译： 用于使用气体等离子体监测干蚀刻工艺的方法和装置，其中确定根据蚀刻工艺的过程而变化的光谱强度与不同于蚀刻工艺的工艺的光谱强度的比率，并且得到所得到的信号 监测强度。 蚀刻工艺的完成可以精确地确定，而与蚀刻条件的变化无关。

公开(公告)号：US4352974A

公开(公告)日：1982-10-05

申请号：US173364

申请日：1980-07-29

申请人： Tatsumi Mizutani ,  Norio Kanai ,  Kunio Harada ,  Hideo Komatsu ,  Shinya Iida

发明人： Tatsumi Mizutani ,  Norio Kanai ,  Kunio Harada ,  Hideo Komatsu ,  Shinya Iida

IPC分类号： B23K10/00 ,  C30B33/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3215 ,  B23K9/00 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B23K10/00 ,  C30B33/00 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/32155

摘要： A plasma etcher wherein the provision of a gas outlet directly in an etching chamber is avoided and wherein a subchamber having a sufficient capacity is connected to the etching chamber through a joint part, the gas outlet being provided in this subchamber. With the apparatus, the distribution of etching rates in plasma etching becomes uniform.

摘要翻译： 一种等离子体蚀刻器，其中避免了直接在蚀刻室中提供气体出口，并且其中具有足够容量的子室通过接头部分连接到蚀刻室，气体出口设置在该子室中。 利用该装置，等离子体蚀刻中的蚀刻速率的分布变得均匀。

公开(公告)号：US4267013A

公开(公告)日：1981-05-12

申请号：US45744

申请日：1979-06-05

申请人： Shinya Iida ,  Kazuyoshi Ueki ,  Hideo Komatsu ,  Tatsumi Mitzutani

发明人： Shinya Iida ,  Kazuyoshi Ueki ,  Hideo Komatsu ,  Tatsumi Mitzutani

IPC分类号： C09K13/10 ,  C23F4/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C09K13/10 ,  C23F4/00

摘要： A method for dry-etching Al and Al alloys is disclosed, which comprises producing plasma discharges with a mixed gas comprising boron trichloride and freon and/or oxygen incorporated therein and patterning Al or an Al alloy by the produced discharges. In this dry etching method, the etch rate of Al or an Al alloy can be remarkably improved over the etch rate attainable according to the conventional techniques, and the difference of the etch rate between Al or an Al alloy and other material can be remarkably increased.

摘要翻译： 公开了一种用于干法蚀刻Al和Al合金的方法，其包括用包含三氯化硼和氟利昂和/或氧气的混合气体产生等离子体放电，并通过产生的放电图案化Al或Al合金。 在这种干蚀刻方法中，Al或Al合金的蚀刻速率可以比根据常规技术可获得的蚀刻速率显着提高，Al或Al合金与其它材料之间的蚀刻速率差可以显着增加 。

公开(公告)号：US4511429A

公开(公告)日：1985-04-16

申请号：US453894

申请日：1982-12-15

申请人： Tatsumi Mizutani ,  Toshihide Ohgata ,  Hideo Komatsu

发明人： Tatsumi Mizutani ,  Toshihide Ohgata ,  Hideo Komatsu

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  C23F1/02 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/302 ,  C23F4/00 ,  H01L21/32136

摘要： This invention relates to a fine processing of aluminum and aluminum alloy layers, and to a method for dry etching by a plasma in a gas containing hydrogen and/or a gaseous hydrogen compound and further containing a gaseous chloride. The fine processing without suffering from the side-etching is feasible even in case using an inorganic material as a mask.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP82 / 00116 Sec。 371日期1982年12月15日 102（e）1982年12月15日日期PCT提交1982年4月9日PCT公布。 出版物WO82 / 03636 日本特开1982年10月28日。本发明涉及铝和铝合金层的精细加工，以及通过含有氢气和/或气态氢化合物的气体中的等离子体进行干蚀刻并进一步含有气态氯化物的方法。 即使在使用无机材料作为掩模的情况下，也不会受到侧面蚀刻的精细加工。

公开(公告)号：US4581101A

公开(公告)日：1986-04-08

申请号：US657524

申请日：1984-10-04

申请人： Makoto Senoue ,  Kunihiko Terase ,  Shinya Iida ,  Hideo Komatsu

发明人： Makoto Senoue ,  Kunihiko Terase ,  Shinya Iida ,  Hideo Komatsu

IPC分类号： C09K13/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/02071 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  Y10S438/906

摘要： A dry-etching process comprising dry-etching treatment of semiconductor material by action of a gas and, if necessary, cleaning treatment, characterized in that at least one of the dry-etching and cleaning treatments is conducted under action of a gas composed essentially of a fluorinated ether.

摘要翻译： 一种干式蚀刻工艺，其包括通过气体的作用对半导体材料进行干法蚀刻处理，并且如果需要，进行清洁处理，其特征在于，干蚀刻和清洁处理中的至少一种在主要由以下组成的气体的作用下进行： 氟化醚。

公开(公告)号：US4256573A

公开(公告)日：1981-03-17

申请号：US12246

申请日：1979-02-14

申请人： Chiaki Shimodaira ,  Yoshinori Yushina ,  Hiroshi Kamata ,  Hideo Komatsu ,  Akinori Kurima ,  Osamu Mabu ,  Yoshiharu Tanaka

发明人： Chiaki Shimodaira ,  Yoshinori Yushina ,  Hiroshi Kamata ,  Hideo Komatsu ,  Akinori Kurima ,  Osamu Mabu ,  Yoshiharu Tanaka

IPC分类号： C02F3/08 ,  B01J8/22 ,  C02F3/12 ,  C02F3/28 ,  C02F3/34 ,  C12M1/40

CPC分类号： C02F3/087 ,  B01J8/22 ,  C02F3/2806 ,  C12M25/16 ,  C12M25/18 ,  C12M27/24 ,  C12M29/02 ,  C12M47/12 ,  Y02W10/15

摘要： This invention relates to biological treatment of waste water using a carrier floatable on water, and more particularly to a novel process for treatment of waste water utilizing a fluidized bed which is formed by supplying waste water in a downflow operation. The process for treatment of waste water of this invention is applicable to both anaerobic and aerobic biological treatment. A good example of the former anaerobic biological treatment to which this invention is applicable is the process wherein the nitrate or nitrite nitrogen which is one of the nitrogen compounds that are at present believed to be one cause of the eutrophication in rivers, lakes, seas, etc. is treated with denitrifying bacteria in an anaerobic condition to be released in the form of nitrogen gas, and the typical of the latter aerobic treatment is the practice in the utilization of the action of the aerobic bacteria which can oxidize organic substances in sewage, industrial waste waters, etc.

摘要翻译： 本发明涉及使用可漂浮在水上的载体的废水的生物处理，更具体地说，涉及利用在下流操作中供给废水形成的流化床来处理废水的新方法。 本发明废水处理方法适用于厌氧和需氧生物处理。 本发明可应用的前一种厌氧生物处理的一个很好的例子是其中作为目前认为是河流，湖泊，海洋中的富营养化的一个原因的硝酸盐或亚硝酸盐氮， 在厌氧条件下用脱氮细菌处理以氮气的形式释放，后一种好氧处理的典型应用是利用可以氧化污水中有机物质的需氧细菌的作用， 工业废水等

公开(公告)号：US6149848A

公开(公告)日：2000-11-21

申请号：US95141

申请日：1998-06-10

申请人： Masayuki Makise ,  Michio Narita ,  Seiji Maeno ,  Hideo Komatsu

发明人： Masayuki Makise ,  Michio Narita ,  Seiji Maeno ,  Hideo Komatsu

IPC分类号： B29C47/00 ,  C08J3/20 ,  C08J3/22 ,  C04B35/00

CPC分类号： C08J3/201 ,  B29C47/0004 ,  C08J3/226 ,  B29C47/0009 ,  B29K2067/00 ,  B29K2069/00 ,  B29K2075/00 ,  B29K2079/085 ,  B29K2105/16 ,  B29K2707/04 ,  B29K2995/0005

摘要： A method for preparing a conductive thermoplastic resin composition or an electric conductor includes the step of kneading (a) conductive resin master batch pellets of conductive carbon black and a thermoplastic resin in which the conductive carbon black accounts for 5 to 50% by weight relative to the total amount 100 parts by weight of the conductive carbon black and the thermoplastic resin, (b) a thermoplastic resin in a weight ratio: (a+b)/(a) ranging from 1.01 to 1.5. This method permits the production of a conductive carbon black-containing conductive resin composition and an electric conductor which show stable conductivity even within a high resistance region (having a surface resistivity ranging from 10.sup.6 to 10.sup.16 .OMEGA.), wherein the control of the conductivity is difficult.

摘要翻译： 导电性热塑性树脂组合物或导电体的制造方法包括：（a）导电性炭黑的导电性树脂母料和导热性炭黑相对于导电性炭黑相对于5〜50重量％的热塑性树脂 总量为100重量份的导电性炭黑和热塑性树脂，（b）重量比为（a + b）/（a）的热塑性树脂为1.01〜1.5。 该方法允许生产含导电性炭黑的导电树脂组合物和电导体，即使在高电阻区域（表面电阻率范围为106〜1016欧姆）的情况下也能显示出稳定的导电性，其中导电性的控制困难 。

公开(公告)号：US4555542A

公开(公告)日：1985-11-26

申请号：US564342

申请日：1983-12-21

申请人： Hideo Komatsu ,  Hiroyuki Harada ,  Tomiji Matsuki

发明人： Hideo Komatsu ,  Hiroyuki Harada ,  Tomiji Matsuki

IPC分类号： C08L67/00 ,  C08K5/20 ,  C08K5/57 ,  C08L67/02 ,  C08L77/00

CPC分类号： C08K5/20 ,  C08K5/56 ,  C08K5/57

摘要： A polyester-polyether copolymer composition which comprises a polyester-polyether copolymer composed mainly of an aromatic dicarboxylic acid, 1,4-butanediol, and a polyalkylene glycol of average molecular weight from about 400 to 6,000, an effective amount of organotin compound, and an amide-containing phenolic antioxidant having the following general moiety: ##STR1## (where R is a secondary or tertiary alkyl group, R' is a hydrogen atom or a secondary or tertiary alkyl group, and n is from 0 to 6).

摘要翻译： 一种聚酯 - 聚醚共聚物组合物，其包含主要由芳族二羧酸，1,4-丁二醇和平均分子量为约400至6000的聚亚烷基二醇组成的聚酯 - 聚醚共聚物，有机量的有机锡化合物和 含酰胺的酚类抗氧化剂具有以下通用部分：其中R为仲或叔烷基，R'为氢原子或仲或叔烷基，n为0至6）。