公开(公告)号：US20070123025A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11627812

申请日：2007-01-26

申请人： Ting Zhong ,  Valery Dubin ,  Ming Fang

发明人： Ting Zhong ,  Valery Dubin ,  Ming Fang

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/2885 ,  H01L21/7685 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a barrier layer on a substrate, wherein the barrier layer comprises molybdenum; and forming a lead free interconnect structure on the barrier layer.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括在衬底上形成阻挡层，其中阻挡层包含钼; 以及在阻挡层上形成无铅互连结构。

公开(公告)号：US07416980B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US11078611

申请日：2005-03-11

申请人： Ting Zhong ,  Valery Dubin ,  Ming Fang

发明人： Ting Zhong ,  Valery Dubin ,  Ming Fang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/2885 ,  H01L21/7685 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a barrier layer on a substrate, wherein the barrier layer comprises molybdenum; and forming a lead free interconnect structure on the barrier layer.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括在衬底上形成阻挡层，其中阻挡层包含钼; 以及在阻挡层上形成无铅互连结构。

公开(公告)号：US20060205234A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11078611

申请日：2005-03-11

申请人： Ting Zhong ,  Valery Dubin ,  Ming Fang

发明人： Ting Zhong ,  Valery Dubin ,  Ming Fang

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/2885 ,  H01L21/7685 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a barrier layer on a substrate, wherein the barrier layer comprises molybdenum; and forming a lead free interconnect structure on the barrier layer.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括在衬底上形成阻挡层，其中阻挡层包含钼; 以及在阻挡层上形成无铅互连结构。

公开(公告)号：US20060071340A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US10957117

申请日：2004-09-30

申请人： Ting Zhong ,  Fay Hua ,  Valery Dubin

发明人： Ting Zhong ,  Fay Hua ,  Valery Dubin

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/13 ,  C23C18/32 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  H01L21/288 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/36 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/0401

摘要： Metal alloy barrier layers formed of a group VII metal alloyed with boron (B) and/or phosphorous (P) and an at least one element from glyoxylic acid, such as carbon (C), hydrogen (H), or carbon and hydrogen (CH) formed by electoless plating are described. These barrier layers may be used as a barrier layer over copper bumps that are soldered to a tin-based solder in a die package. Such barrier layers may also be used as barrier layer liners within trenches in which copper interconnects or vias are formed and as capping layers over copper interconnects or vias to prevent the electromigration of copper.

摘要翻译： 由与硼（B）和/或磷（P）合金化的第Ⅶ族金属形成的金属合金阻挡层和来自乙醛酸如碳（C），氢（H）或碳和氢的至少一种元素 CH）由无电镀形成。 这些阻挡层可以用作在芯片封装中焊接到锡基焊料的铜凸块上的阻挡层。 这样的阻挡层也可以用作在其中形成铜互连或通孔的沟槽内的阻挡层衬垫，以及作为铜互连或通孔上的覆盖层以防止铜的电迁移。

公开(公告)号：US07087104B2

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：US10609443

申请日：2003-06-26

申请人： Hok-Kin Choi ,  Vani Thirumala ,  Valery Dubin ,  Chin-chang Cheng ,  Ting Zhong

发明人： Hok-Kin Choi ,  Vani Thirumala ,  Valery Dubin ,  Chin-chang Cheng ,  Ting Zhong

IPC分类号： C23C18/31 ,  B05D1/18

CPC分类号： C23C18/34 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1683 ,  C23C18/31 ,  C23C18/50

摘要： A system and method for storing a solution containing a subset of a group consisting of a metal ion, a complexing agent, an ammonium salt, and a strong base and then nearer to a time of use in an electroless deposition process, using the solution to form an electroless deposition solution containing the entire group. In one embodiment of the invention, the metal ion includes a cobalt ion, the complexing agent includes citric acid, the ammonium salt includes ammonium chloride, and the strong base includes tetramethylammonium hydroxide.

摘要翻译： 一种用于存储包含由金属离子，络合剂，铵盐和强碱组成的组的子集，然后在无电沉积过程中更接近使用时间的组的溶液的系统和方法， 形成包含整个组的无电沉积溶液。 在本发明的一个实施方案中，金属离子包括钴离子，络合剂包括柠檬酸，铵盐包括氯化铵，强碱包括四甲基氢氧化铵。

公开(公告)号：US06933171B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10691136

申请日：2003-10-21

申请人： Ming Fang ,  Valery Dubin ,  Daoqiang Lu

发明人： Ming Fang ,  Valery Dubin ,  Daoqiang Lu

IPC分类号： G02B6/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L27/15 ,  H01L29/267 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L24/16 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4232 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/29099

摘要： The invention provides bumps between a die and a substrate with a height greater than or equal to a height of a waveguide between the die and the substrate. The bumps may be formed on a die prior to that die being singulated from a wafer.

公开(公告)号：US07001782B1

公开(公告)日：2006-02-21

申请号：US10747824

申请日：2003-12-29

申请人： Daniel C. Diana ,  Ebrahim Andideh ,  Richard M. Steger ,  Valery Dubin ,  Ming Fang

发明人： Daniel C. Diana ,  Ebrahim Andideh ,  Richard M. Steger ,  Valery Dubin ,  Ming Fang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76877

摘要： Some embodiments for a method to fill interlayer vias with a suitable metal in a ferroelectric polymer memory die to reduce the step height and improve the thermal and electrical properties of the via. The method uses an electroless plating method to fill the vias, which is compatible with the ferroelectric polymer memory die processing temperature limits. The resulting process produces via fill metal plugs in the ferroelectric memory die, which allows for the deposition of a thin metal layer over the vias, while at the same time improving the electrical and thermal properties of the vias. Other embodiments are described and claimed herein.

摘要翻译： 用于在铁电聚合物存储器管芯中用合适的金属填充层间通孔的方法的一些实施例，以降低台阶高度并改善通孔的热和电特性。 该方法采用化学镀方法填充通孔，这与铁电聚合物记忆芯片加工温度的极限相兼容。 所得到的工艺通过铁电存储器管芯中的填充金属塞产生，其允许在通孔上沉积薄金属层，同时改善通孔的电气和热性能。 在此描述和要求保护的其它实施例。

公开(公告)号：US20050082551A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10691136

申请日：2003-10-21

申请人： Ming Fang ,  Valery Dubin ,  Daoqiang Lu

发明人： Ming Fang ,  Valery Dubin ,  Daoqiang Lu

IPC分类号： G02B6/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L27/15 ,  H01L29/267 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L24/16 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4232 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/29099

摘要： The invention provides bumps between a die and a substrate with a height greater than or equal to a height of a waveguide between the die and the substrate. The bumps may be formed on a die prior to that die being singulated from a wafer.

摘要翻译： 本发明提供了一种具有高于或等于管芯和衬底之间的波导高度的管芯和衬底之间的凸起。 在从芯片被切割成晶片之前，可以在模具上形成凸块。

公开(公告)号：US20060134902A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11019857

申请日：2004-12-21

申请人： Valery Dubin ,  Tzuen-Luh Huang ,  Ming Fang ,  Kevin Lee ,  Yuehai Liang ,  Margherita Chang

发明人： Valery Dubin ,  Tzuen-Luh Huang ,  Ming Fang ,  Kevin Lee ,  Yuehai Liang ,  Margherita Chang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D3/02 ,  C25D3/38 ,  C25D5/10 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0496

摘要： According to one aspect of the invention, a method for forming contact formations is provided. A substrate may be placed in an electrolytic solution. The substrate may have an exposed conductive portion and the electrolytic solution may include a plurality of metallic ions and an accelerator. The accelerator may include at least one of bis-(sodium sulfopropyl)-disulfide and 3-mercapto-1-propanesulfonic acid-sodium salt. A voltage may be applied across the electrolytic solution and the conductive portion of the substrate to cause the metallic ions to be changed into metallic particles and deposited on the conductive portion. The electrolytic solution may also include a protonated organic additive. The electrolytic solution may also include an acid and a surfactant. The acid may include at least one of sulfuric acid, methane sulfonic acid, benzene sulfonic acid, and picryl sulfonic acid. The surfactant may include at least one of polyethylene glycol and polypropylene glycol.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面，提供了形成接触层的方法。 衬底可以放置在电解溶液中。 基板可以具有暴露的导电部分，电解液可以包括多个金属离子和加速器。 促进剂可以包括双 - （磺基磺基丙基） - 二硫化物和3-巯基-1-丙磺酸钠盐中的至少一种。 可以在电解液和基板的导电部分之间施加电压，以使金属离子变成金属颗粒并沉积在导电部分上。 电解液还可以包括质子化的有机添加剂。 电解液还可以包含酸和表面活性剂。 酸可以包括硫酸，甲磺酸，苯磺酸和苦基磺酸中的至少一种。 表面活性剂可以包括聚乙二醇和聚丙二醇中的至少一种。

公开(公告)号：US07279720B2

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US10864188

申请日：2004-06-08

申请人： Ming Fang ,  Valery Dubin ,  Daoqiang Lu

发明人： Ming Fang ,  Valery Dubin ,  Daoqiang Lu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L24/16 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4232 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/29099

摘要： The invention provides bumps between a die and a substrate with a height greater than or equal to a height of a waveguide between the die and the substrate. The bumps may be formed on a die prior to that die being singulated from a wafer.

摘要翻译： 本发明提供了一种具有高于或等于管芯和衬底之间的波导高度的管芯和衬底之间的凸起。 在从芯片被切割成晶片之前，可以在模具上形成凸块。