公开(公告)号：WO2008062715A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：PCT/JP2007/072201

申请日：2007-11-15

申请人： 出光興産株式会社 ,  齊藤 雅俊 ,  中野 裕基 ,  中村 浩昭

发明人： 齊藤 雅俊 ,  中野 裕基 ,  中村 浩昭

IPC分类号： H01L51/30 ,  C09K11/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/0074 ,  C09K9/02 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1037 ,  C09K2211/1044 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5296 ,  H05B33/14

摘要： 　少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース－ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心にアセチレン又はオレフィン構造を有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース－ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタによって、応答速度が高速で、しかもオン／オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。

摘要翻译： 公开了一种有机薄膜晶体管，其中在基板上形成至少三个端子，即栅电极，源电极和漏电极，绝缘层和有机半导体层，并且源极 - 漏极电流通过施加 向栅电极施加电压。 在该有机薄膜晶体管中，有机半导体层含有在中心具有乙炔或烯烃结构的特定的有机化合物。 该有机薄膜晶体管具有高响应速度和高开/关比。 还公开了使用这种有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管，其中通过利用有机薄膜晶体管中的源极 - 漏极电流而获得发光，同时通过向栅极施加电压来控制发光 电极。

公开(公告)号：WO2008054477A2

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：PCT/US2007/006779

申请日：2007-03-19

申请人： NORTHWESTERN UNIVERSITY ,  PURDUE RESEARCH FOUNDATION ,  MARKS, Tobin, J. ,  YE, Peide ,  FACCHETTI, Antonio ,  LU, Gang ,  LIN, Han, Chung

发明人： MARKS, Tobin, J. ,  YE, Peide ,  FACCHETTI, Antonio ,  LU, Gang ,  LIN, Han, Chung

IPC分类号： H01L29/812

CPC分类号： H01L51/052 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/3122

摘要： Field effect transistor devices comprising III-V semiconductors and organic gate dielectric materials, such dielectric materials as can afford flexibility in device design and fabrication.

摘要翻译： 包括III-V族半导体和有机栅极电介质材料的场效应晶体管器件，这种电介质材料可以在器件设计和制造中提供灵活性。

公开(公告)号：WO2007106189A3

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：PCT/US2006061807

申请日：2006-12-08

申请人： UNIV COLUMBIA ,  BANERJEE SARBAJIT ,  HERMAN IRVING P

发明人： BANERJEE SARBAJIT ,  HERMAN IRVING P

IPC分类号： H01L21/326 ,  H01L51/40

CPC分类号： H05K1/02 ,  B81C3/007 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D13/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/052 ,  H05K1/03

摘要： A method for positioning carbon nanotubes on a substrate, the substrate including a first electrode and a second electrode thereon, the second electrode being positioned oppositely from the first electrode; the method includes: applying a first AC voltage across the first and second electrodes; providing a first resistance in series with the first AC voltage; and introducing a solution including at least one carbon nanotube; wherein, when the first AC voltage is applied through the first resistance across the first and second electrodes, the at least one carbon nanotube attaches to the first and second electrodes. Another aspect of the invention includes providing a metallic area between the first and second electrodes. In an additional aspect of the invention, the substrate includes a third electrode and a fourth electrode thereon, the fourth electrode being positioned oppositely from the third electrode, the third electrode being positioned adjacent to the first electrode; the method further includes: removing the first AC voltage; applying a second AC voltage to the third and fourth electrodes, the second AC voltage causing the first and second electrodes to have a floating potential; and providing a second resistance in series with the second AC voltage; wherein when the first AC voltage is applied across the first and second electrodes, the first AC voltage causes the third and fourth electrodes to have a floating potential, and wherein, when the second AC voltage is applied through the second resistance across the third and fourth electrodes, a second carbon nanotube attaches to the third and fourth electrodes.

摘要翻译： 一种在基板上定位碳纳米管的方法，所述基板包括第一电极和第二电极，所述第二电极与所述第一电极相对设置; 该方法包括：跨第一和第二电极施加第一AC电压; 提供与第一AC电压串联的第一电阻; 并引入包含至少一种碳纳米管的溶液; 其中，当所述第一AC电压通过所述第一和第二电极穿过所述第一电阻施加时，所述至少一个碳纳米管附接到所述第一和第二电极。 本发明的另一方面包括在第一和第二电极之间提供金属区域。 在本发明的另一方面中，所述基板包括第三电极和第四电极，所述第四电极与所述第三电极相对地定位，所述第三电极邻近所述第一电极定位; 该方法还包括：去除第一AC电压; 对第三和第四电极施加第二AC电压，使得第一和第二电极具有浮置电位的第二AC电压; 并提供与所述第二AC电压串联的第二电阻; 其中当第一AC电压跨越第一和第二电极施加时，第一AC电压使得第三和第四电极具有浮置电位，并且其中当第二AC电压通过跨越第三和第四电极的第二电阻施加时 电极，第二碳纳米管附接到第三和第四电极。

公开(公告)号：WO2008016110A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/JP2007/065175

申请日：2007-08-02

申请人： 三菱化学株式会社 ,  荒牧 晋司 ,  酒井 良正

发明人： 荒牧 晋司 ,  酒井 良正

IPC分类号： C08F12/30 ,  H01L21/312 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/052 ,  C08F212/14 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  C08F220/30

摘要： For the purpose of providing an insulting layer which enables to improve device characteristics when used in an electronic device, a polymer insulator containing a repeating unit represented by the formula below is contained in the insulating layer. In the formula, R a represents a direct bond or an arbitrary linking group; Ar represents an optionally substituted divalent aromatic group; and R b represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group.

摘要翻译： 为了提供在电子设备中使用时能够提高器件特性的绝缘层，在绝缘层中包含含有下式所示的重复单元的聚合物绝缘体。 在该式中，R a a表示直接键或任意连接基团; Ar表示任选取代的二价芳族基团; R b表示氢原子，氟原子或一价有机基团。

公开(公告)号：WO2007086237A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：PCT/JP2006/326392

申请日：2006-12-27

申请人： RICOH COMPANY, LTD. ,  KONDO, Hiroshi

发明人： KONDO, Hiroshi

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0554 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

摘要： A disclosed electronic element includes: a substrate; a first electrode layer formed on a portion of the substrate; an insulating layer formed on the first electrode layer; a conductive layer formed on the insulating layer formed on an area where the first electrode layer is formed; a second electrode layer formed on one area where the first electrode layer on the substrate is not formed; a third electrode layer formed on the other area where neither the first electrode layer on the substrate nor the second electrode layer is formed; and a semiconductor layer formed so as to cover between the conductive layer and the second electrode layer and to cover between the conductive layer and the third electrode layer.

摘要翻译： 所公开的电子元件包括：基板; 形成在所述基板的一部分上的第一电极层; 形成在所述第一电极层上的绝缘层; 形成在形成有所述第一电极层的区域上的所述绝缘层上的导电层; 在不形成基板上的第一电极层的一个区域上形成的第二电极层; 形成在基板上的第一电极层和第二电极层都不形成的另一区域上的第三电极层; 以及形成为覆盖在导电层和第二电极层之间并覆盖在导电层和第三电极层之间的半导体层。

公开(公告)号：WO2005094287A3

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：PCT/US2005010232

申请日：2005-03-25

申请人： UNIV OHIO STATE ,  EPSTEIN ARTHUR J ,  WALDMANN OLIVER B ,  PARK JUNE HYOUNG ,  CHIOU NAN-RONG ,  KIM YOUNGMIN

发明人： EPSTEIN ARTHUR J ,  WALDMANN OLIVER B ,  PARK JUNE HYOUNG ,  CHIOU NAN-RONG ,  KIM YOUNGMIN

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L31/0256 ,  H01L29/786 ,  H01L51/20 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

摘要： Electric field driven devices and methods of operation are provided. Each device use one or more doped conducting polymers to provide multifunctional responses to applied electric field. The device includes an electrically conductive layer operative (30) to provide a gate contact (22) for the device (10); a conducting polymer layer (14) operative to provide source (24) and drain (26) contacts for the device (10), and an active layer (14); and an insulating polymer layer (16) formed between the electrically conductive layer (12) and the conducting polymer layer (14), wherein the layers in combination allow the device (10) to be operative to perform at least two of a plurality of response functions.

摘要翻译： 提供电场驱动装置和操作方法。 每个器件使用一种或多种掺杂的导电聚合物来提供对施加的电场的多功能响应。 该装置包括用于为装置（10）提供栅极接触（22）的可操作的导电层（30）。 可操作地为装置（10）提供源极（24）和漏极（26）触点的导电聚合物层（14）和有源层（14）; 以及形成在所述导电层（12）和所述导电聚合物层（14）之间的绝缘聚合物层（16），其中所述层组合允许所述装置（10）可操作以执行多个响应中的至少两个 功能。

公开(公告)号：WO2004088728A3

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：PCT/IB2004050357

申请日：2004-03-30

申请人： KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV ,  GIESBERS JACOBUS B ,  BEENHAKKERS MONIQUE J ,  RIJPERT CORNELIS J H A ,  GELINCK GERWIN H ,  TOUWSLAGER FREDERICUS J

发明人： GIESBERS JACOBUS B ,  BEENHAKKERS MONIQUE J ,  RIJPERT CORNELIS J H A ,  GELINCK GERWIN H ,  TOUWSLAGER FREDERICUS J

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L21/68 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L51/0097 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5387 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78681 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： An electrical element, such as a thin-film transistor, is defined on a flexible substrate (1),in at the substrate (1) is attached to a carrier (20) by an adhesive layer (15), and is delaminated after definition of the transistor. This is for instance due to illumination by UV-radiation. An opaque coating (3, 24) is provided to protect any semiconductor material (5). A heat treatment is preferably given before application of the layers of the transistor to reduce stress in the adhesive layer.

摘要翻译： 在柔性基板（1）上限定了诸如薄膜晶体管的电气元件，在基板（1）上通过粘合剂层（15）将载体（20）附着到载体（20）上，并在定义之后被分层 的晶体管。 这是因为例如由于UV辐射的照明。 提供不透明涂层（3,24）以保护任何半导体材料（5）。 在施加晶体管层之前优选进行热处理以减少粘合剂层中的应力。

公开(公告)号：WO2005064681A2

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：PCT/IB2004/052580

申请日：2004-11-29

申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  MARSMAN, Albert, W. ,  DE LEEUW, Dagobert, M. ,  GELINCK, Gerwin, H.

发明人： MARSMAN, Albert, W. ,  DE LEEUW, Dagobert, M. ,  GELINCK, Gerwin, H.

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L27/1052 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/55 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/052

摘要： The present invention relates to non-volatile ferroelectric memory devices (30) comprising a transistor (22) and a capacitor (23), and more particularly to non-volatile electrically erasable programmable ferroelectric memory elements, and a method for processing such non-volatile ferroelectric memory devices (30). The method according to the invention comprises a limited number of mask steps because a gate dielectric layer of the transistor (22) and a dielectric layer of the capacitor (23) are made from the same organic or inorganic ferroelectric layer (14).

摘要翻译： 本发明涉及包括晶体管（22）和电容器（23）的非挥发性铁电存储器件（30），更具体地涉及非易失性电可擦除可编程铁电存储元件，以及用于处理非易失性 铁电存储器件（30）。 根据本发明的方法包括有限数量的掩模步骤，因为晶体管（22）的栅极电介质层和电容器（23）的电介质层由相同的有机或无机铁电层（14）制成。

公开(公告)号：WO2005022663A8

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：PCT/DE2004001816

申请日：2004-08-14

申请人： POLYIC GMBH & CO KG ,  FIX WALTER ,  MARTIN RONAN ,  ULLMANN ANDREAS

发明人： FIX WALTER ,  MARTIN RONAN ,  ULLMANN ANDREAS

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0021 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/052 ,  H01L51/10

摘要： The invention relates to an electronic component that is made of primarily organic materials with high resolution structuring, especially an organic field effect transistor (OFET) having a small source-drain distance, and a method for the production thereof. The organic electronic component is provided with recesses and/or modified areas in which the strip conductors/electrodes can be arranged and which are created by means of a laser during the production. The strip conductors/electrodes can be metallic, for example.

摘要翻译： 本发明涉及的具有高分辨率的图案化有机主要材料，特别是，有机场效应晶体管（OFET）具有小的源极 - 漏极距离和其制造方法的电子部件。 有机电子元件具有凹槽和/或在其中带状导体/电极，其可以是金属的，例如，通过激光的装置，被布置和制造在制备改性区域。

公开(公告)号：WO2005041302A1

公开(公告)日：2005-05-06

申请号：PCT/JP2004/015934

申请日：2004-10-27

申请人： 株式会社イデアルスター ,  笠間 泰彦 ,  表 研次 ,  工藤 昇

发明人： 笠間 泰彦 ,  表 研次 ,  工藤 昇

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L27/10805 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/11226 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7881 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/052 ,  H01L51/057

摘要： 　半導体メモリー、イメージセンサー、PLAなどの集積回路は、シリコン基板などリジッドで平面状の基板に形成されていた。そのため、形状に柔軟性がなく、応用が限定されていた。また、複数の回路素子を平面上に連続して形成しているため、すべての回路素子を欠陥なく作製しないと良品の半導体メモリーを製造することができず、歩留まり向上が困難であった。 　線状素子を布状に織る、または編むことにより、平面状の半導体メモリーを作製したり、線状素子を束ねて線状の半導体メモリーを作製することにした。線状素子からなる集積回路は、柔軟性があり軽いので多様な用途に用いることができる。一度、線状素子を作製して、良品の線状素子のみ選択して集積回路を作製できるので、集積回路の製造歩留まりが向上する。

摘要翻译： 通常，诸如半导体存储器，图像传感器和PLA之类的集成电路已经在诸如硅衬底的刚性平面衬底上制造。 因此，形状缺乏灵活性，其应用受到限制。 由于电路元件连续地设置在平坦表面上，所以不可能制造可接受的半导体存储器，除非制造没有缺陷的所有电路元件，并且难以提高产量。 平面半导体存储器通过将线性元件编织到织物中而制成，或者通过捆扎线性元件制造线性半导体存储器。 由线性元件组成的集成电路灵活轻便，因此具有各种用途。 由于可以通过仅选择制造的可接受的线性元件来生产集成电路，所以提高了集成电路的生产成本。