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    SYSTEMS AND METHODS FOR UNIFORM LED LIGHTING
    1.
    发明申请
    SYSTEMS AND METHODS FOR UNIFORM LED LIGHTING 审中-公开
    LED照明系统与方法

    公开(公告)号：WO2016112001A3

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：PCT/US2016012166

    申请日：2016-01-05

    申请人： COOLEDGE LIGHTING INC ,  TISCHLER MICHAEL A

    发明人： TISCHLER MICHAEL A ,  PELEJO RICARDO A

    IPC分类号： F21K99/00 ,  F21V7/00 ,  F21V9/08

    CPC分类号： F21V7/0016 ,  F21K9/90 ,  F21S8/06 ,  F21V21/14 ,  F21Y2105/10 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10

    摘要： In accordance with certain embodiments, a lighting system comprisig: a flexible substrate; a first group of light-emitting elements disposed on the substrate and having a first distribution of correlated color temperature; and a second group of LEEs disposed on the substrate and having a second distribution of CCT different from the first distribution of CCT, wherein the substrate is shaped such that the first group of LEEs and the second group of LEEs are not simultaneously observable.

    摘要翻译： 根据某些实施例，照明系统包括：柔性基板; 第一组发光元件，设置在基板上并具有相关色温的第一分布; 以及第二组LEE，其设置在所述衬底上并且具有不同于CCT的第一分布的CCT的第二分布，其中所述衬底被成形为使得所述第一组LEE和所述第二组LEE不同时可观察到。

    SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
    9.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
    半导体结构和制造方法

    公开(公告)号：WO2009076509A2

    公开(公告)日：2009-06-18

    申请号：PCT/US2008086383

    申请日：2008-12-11

    申请人： HVVI SEMICONDUCTORS INC ,  GOGOI BISHNU PRASANNA ,  TISCHLER MICHAEL ALBERT

    发明人： GOGOI BISHNU PRASANNA ,  TISCHLER MICHAEL ALBERT

    IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/76232

    摘要： In various embodiments, semiconductor structures and methods to manufacture these structures are disclosed. In one embodiment, a structure includes a dielectric material and a void below a surface of a substrate. The structure further includes a doped dielectric material over the dielectric material, over the first void, wherein at least a portion of the dielectric material is between at least a portion of the substrate and at least a portion of the doped dielectric material. Other embodiments are described and claimed.

    摘要翻译： 在各种实施例中，公开了制造这些结构的半导体结构和方法。 在一个实施例中，结构包括电介质材料和位于衬底表面下方的空隙。 该结构进一步包括在第一空隙上的介电材料上的掺杂介电材料，其中介电材料的至少一部分介于至少一部分衬底和至少一部分掺杂介电材料之间。 描述并要求保护其他实施例。

    SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
    10.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
    半导体结构及其制造方法

    公开(公告)号：WO2008076651A1

    公开(公告)日：2008-06-26

    申请号：PCT/US2007/086609

    申请日：2007-12-06

    申请人： HVVI SEMICONDUCTORS, INC. ,  TISCHLER, Michael Albert

    发明人： TISCHLER, Michael Albert

    IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L21/764

    CPC分类号： H01L21/764 ,  H01L27/0611 ,  H01L27/08

    摘要： In various embodiments, semiconductor structures and methods to manufacture these structures are disclosed. In one embodiment, a semiconductor structure having a silicon-on-insulator (SOI) substrate and a dielectric region is disclosed. The dielectric region is adjacent to the active layer of the SOI substrate and the dielectric region includes a portion of a buried oxide (BOX) layer of the SOI substrate. At least a portion of the dielectric region extends from a surface of the active layer of the SOI substrate to a depth of at least about three microns or greater below the surface of the active layer. Other embodiments are described and claimed.

    摘要翻译： 在各种实施例中，公开了制造这些结构的半导体结构和方法。 在一个实施例中，公开了具有绝缘体上硅（SOI）衬底和电介质区域的半导体结构。 电介质区域与SOI衬底的有源层相邻，并且电介质区域包括SOI衬底的一部分掩埋氧化物（BOX）层。 电介质区域的至少一部分从SOI衬底的有源层的表面延伸到活性层表面下方至少约三微米或更大的深度。 描述和要求保护其他实施例。