公开(公告)号：WO2012000114A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：PCT/CA2011/050399

申请日：2011-06-29

Applicant: COOLEDGE LIGHTNING INC. ,  TISCHLER, Michael ,  SCHICK, Philippe ,  ASHDOWN, Ian ,  SHEEN, Calvin Wade ,  JUNGWIRTH, Paul

Inventor： TISCHLER, Michael ,  SCHICK, Philippe ,  ASHDOWN, Ian ,  SHEEN, Calvin Wade ,  JUNGWIRTH, Paul

IPC: H01L29/02 ,  H01L23/488 ,  H01L29/40

CPC classification number: F21K9/66 ,  F21K9/20 ,  F21K9/275 ,  F21K9/278 ,  F21K9/64 ,  F21K9/65 ,  F21V3/02 ,  F21V9/30 ,  F21V23/003 ,  F21V23/02 ,  F21V29/74 ,  F21Y2115/10 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0468 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/381 ,  H02S30/00 ,  H05B33/0854 ,  H05B37/0218 ,  H05B37/0227 ,  H05B37/0245 ,  H05K1/189 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/302 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: In accordance with certain embodiments, a semiconductor die is adhered directly to a yielding substrate with a pressure-activated adhesive notwithstanding any nonplanarity of the surface of the semiconductor die or non-coplanarity of the semiconductor die contacts.

Abstract translation: 根据某些实施例，尽管半导体管芯的表面具有任何非平面性或半导​​体管芯接触件的非共面性，半导体管芯也用压力激活的粘合剂直接粘附到屈服基底上。

公开(公告)号：WO2012136267A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：PCT/EP2011/055470

申请日：2011-04-08

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH ,  PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

Inventor： PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1082 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/20106

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Oberflächenschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), wobei die Oberflächenschicht (6) zumindest überwiegend aus einem nativen Oxidmaterial besteht, - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten. - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in einer Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats enthaltenen zweiten Edukt.

Abstract translation: 本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面（4）的第二基板（2）包括以下步骤的方法，尤其是以下序列： - 形成的贮存器（5）在一个 第一接触表面（3），其中，所述表面层（6）至少主要由天然氧化物材料，对表面层（6） - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组贮存器。 - 第一接触表面（3）与所述第二接触表面（4）接触，以形成键预连接， - 在形成第一和第二接触表面之间的永久粘结的（3，4），至少部分地由与第一反应物的反应增强 第二反应物的第二基底的在反应层中的（7）中含有。

公开(公告)号：WO2015036032A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/EP2013/069003

申请日：2013-09-13

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： WIMPLINGER, Markus

IPC: B81C3/00 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L24/83 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/036 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10251 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1026 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/10371 ,  H01L2924/10372 ,  H01L2924/10373 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/10377 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/10831 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0103

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer aus einer Grundschicht und einer Schutzschicht bestehenden Bondschicht auf ein Substrat mit folgenden Verfahrensschritten: Aufbringen eines oxidierbaren Grundmaterials als Grundschicht auf eine Bondseite des Substrats, zumindest teilweises Bedecken der Grundschicht mit einem in dem Grundmaterial zumindest teilweise lösbaren Schutzmaterial als Schutzschicht. Weiterhin betrifft die Erfindung ein korrespondierendes Substrat.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于施加由基本层和包括以下步骤在基底上的保护层粘结层的一个基团：在所述基板的接合侧上沉积可氧化的基体材料作为基体层至少部分地覆盖有至少部分可溶于基体层中的基体材料的保护材料为 保护层。 本发明还涉及一种相应的底物。

公开(公告)号：WO2012000114A8

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/CA2011050399

申请日：2011-06-29

Applicant: COOLEDGE LIGHTING INC ,  TISCHLER MICHAEL ,  SCHICK PHILIPPE ,  ASHDOWN IAN ,  SHEEN CALVIN WADE ,  JUNGWIRTH PAUL

Inventor： TISCHLER MICHAEL ,  SCHICK PHILIPPE ,  ASHDOWN IAN ,  SHEEN CALVIN WADE ,  JUNGWIRTH PAUL

IPC: H01L29/02 ,  H01L23/488 ,  H01L29/40

CPC classification number: F21K9/66 ,  F21K9/20 ,  F21K9/275 ,  F21K9/278 ,  F21K9/64 ,  F21K9/65 ,  F21V3/02 ,  F21V9/16 ,  F21V23/003 ,  F21V23/02 ,  F21V29/74 ,  F21Y2115/10 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0468 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/381 ,  H02S30/00 ,  H05B33/0854 ,  H05B37/0218 ,  H05B37/0227 ,  H05B37/0245 ,  H05K1/189 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/302 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: In accordance with certain embodiments, a semiconductor die is adhered directly to a yielding substrate with a pressure-activated adhesive notwithstanding any nonplanarity of the surface of the semiconductor die or non-coplanarity of the semiconductor die contacts.

Abstract translation: 根据某些实施例，尽管半导体管芯的表面有任何不平坦性或半导体管芯接触的非共面性，但半导体管芯利用压力激活的粘合剂直接粘附到屈服衬底。

公开(公告)号：WO2010061004A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/EP2009/066058

申请日：2009-11-30

Applicant: THIN MATERIALS AG ,  RICHTER, Franz

Inventor： RICHTER, Franz

IPC: H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B37/1018 ,  B32B37/12 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/10326 ,  H01L2924/10327 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Fläche (1a) und einer zweiten Fläche (7a) mittels einer Zwischenschicht (3), umfassend die Schritte: a) Bereitstellen eines ersten Gegenstandes (1) mit der ersten Fläche (1a), b) Bereitstellen von fließfähigem, verfestigbarem Material für die Zwischenschicht (3), c) Bereitstellen eines zweiten Gegenstandes (7) mit der zweiten Fläche (7a), d) Auftragen des Materials für die Zwischenschicht auf die erste Fläche (1a), so dass eine die Fläche umlaufende Aufwölbung (3a) entsteht, e) Anlegen eines Vakuums um den ersten Gegenstand (1) und den zweiten Gegenstand (2), f) Kontaktieren der zweiten Fläche (7a) des zweiten Gegenstandes (7) mit der umlaufenden Aufwölbung, so dass ein abgeschlossener Hohlraum (5) entsteht, g) Erhöhen des Umgebungsdruckes, so dass der Hohlraum (5) aufgehoben wird, ohne dass es zu einem Gaseinstrom in ihn kommt und h) Erhöhen der Viskosität des Materials für die Zwischenschicht.

Abstract translation: 本发明涉及由中间层（3）的装置接合的第一表面（1a）和第二表面（7a）的，包括以下步骤的方法：a）提供第一制品（1）与所述第一表面（1a）中，b）中 用于中间层（3）提供可流动的，可固化材料，c）提供第二物品（7）与第二表面（7a）中，d）将所述材料用于中间层的第一表面（1a）中，使得 表面环状凸起（3A）形成，E）将真空施加到所述第一对象（1）和（2）中，f）使所述第二物品（7）的与周向凸起的第二表面（7a）的第二个目的，使得 一个封闭的腔（5）中产生，克）提高环境压力，从而使所述腔（5）被释放，在不它和h使Gaseinstrom）增加材料的粘度为中间层。