公开(公告)号：WO2015045877A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/JP2014/073965

申请日：2014-09-10

Applicant: デクセリアルズ株式会社

Inventor： 森山　浩伸

IPC: H01L21/60 ,  C08G59/18

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G59/18 ,  C08G59/24 ,  C08G59/4207 ,  C08G59/686 ,  C08K5/14 ,  C08L33/10 ,  C08L63/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/921 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

Abstract: 　ボイドレス実装及び良好なハンダ接合性を実現するアンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。エポキシ樹脂と、硬化剤とを含有し、示差走査熱量計を用いた小沢法により算出された２４０℃での反応率の２０％に到達する時間が、２．０ｓｅｃ以下であり、該反応率の６０％に到達する時間が、３．０ｓｅｃ以上であるアンダーフィル材を用いる。これにより、ボイドレス実装及び良好なハンダ接合性を実現することができる。

Abstract translation: 本发明提供：底部填充材料，其允许无空间安装和良好的焊接性能; 以及使用所述底部填充材料制造半导体器件的方法。 所述底部填充材料含有环氧树脂和硬化剂。 通过使用差示扫描量热计的Ozawa方法在240℃下所述底部填充材料的反应速率最多为2.0s，达到20％和至少3.0s，达到60％。 使用所述底部填充材料允许无空隙安装和良好的焊接性能。

公开(公告)号：WO2015037632A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/JP2014/073963

申请日：2014-09-10

Applicant: デクセリアルズ株式会社

Inventor： 小山　太一

IPC: H01L21/60 ,  C09J7/00 ,  C09J11/06 ,  C09J133/04 ,  C09J163/08

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G59/4284 ,  C08J5/18 ,  C08J2333/16 ,  C08J2363/02 ,  C08J2433/16 ,  C08J2463/02 ,  C08L63/00 ,  C09J133/04 ,  C09J163/08 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805 ,  C08L33/00

Abstract: 　ボイドレス実装及び良好なハンダ接合性を可能とするアンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。エポキシ樹脂と、酸無水物と、アクリル樹脂と、有機過酸化物とを含有し、最低溶融粘度が、１０００Ｐａ・ｓ以上２０００Ｐａ・ｓ以下であり、最低溶融粘度到達温度より１０℃高い温度から該温度より１０℃高い温度までの溶融粘度の傾きが、９００Ｐａ・ｓ／℃以上３１００Ｐａ・ｓ／℃以下であるアンダーフィル材（２０）を、ハンダ付き電極が形成された半導体チップ（１０）に予め貼り合わせ、ハンダ付き電極と対向する対向電極が形成された回路基板（３０）に搭載し、第１の温度から第２の温度まで所定の昇温速度で昇温させるボンディング条件で半導体チップ（１０）と回路基板（３０）とを熱圧着する。

Abstract translation: 本发明提供：底部填充材料，其允许无空间安装和良好的焊接性能; 以及使用所述底部填充材料制造半导体器件的方法。 所述底部填充材料（20）含有环氧树脂，酸酐，丙烯酸树脂和有机过氧化物。 所述底部填充材料（20）的最小熔融粘度为1000-2000Pa·s，熔融粘度的斜率比达到所述最小熔融粘度的温度高10℃，温度 高于900至3,100 Pa∙s /°C（含）的10°C。 所述底部填充材料（20）预先接合到其上形成有焊料轴承电极的半导体芯片（10）。 所述半导体芯片（10）安装到电路板（30）上，在该电路板（30）上形成面向所述焊接轴承电极的面对电极，并且将所述半导体芯片（10）和所述电路板（30）进行热压接 温度以规定的速度从第一温度升高到第二温度的接合条件。

公开(公告)号：WO2013036481A2

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/US2012/053662

申请日：2012-09-04

Applicant: CREE, INC. ,  ANDREWS, Peter, Scott ,  JOO, Sung, Chul

Inventor： ANDREWS, Peter, Scott ,  JOO, Sung, Chul

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/48 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754

Abstract: Light emitter packages and devices having improved wire bonding and related methods are disclosed. In one embodiment a light emitter package can include at least one light emitting diode (LED) chip electrically connected to an electrical element via a wire bond. The wire bond can be provided at improved wire bonding parameters such as a temperature of approximately 150°C or less, a bonding time of approximately 100 ms or less, a power of approximately 1700 mW or less, and a force of approximately 100 grams force (gf) or less, or combinations thereof.

Abstract translation: 公开了具有改进的引线键合和相关方法的光发射器封装和器件。 在一个实施例中，光发射器封装可以包括经由引线键合电连接到电气元件的至少一个发光二极管（LED）芯片。 引线接合可以提供在改进的引线接合参数，例如约150℃或更低的温度，约100ms或更小的接合时间，约1700mW或更小的功率，以及约100克的力 （gf）以下，或其组合。

公开(公告)号：WO1994023448A1

公开(公告)日：1994-10-13

申请号：PCT/JP1994000571

申请日：1994-04-06

Applicant: TOKUYAMA CORPORATION ,  MIYAHARA, Kenichiro

Inventor： TOKUYAMA CORPORATION

IPC: H01L23/04

CPC classification number: H01L23/057 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/00012

Abstract: A package for a semiconductor chip having the following features: (a) a power-supply layer, a ground layer, and a signal layer are formed in multilayer through intermediate layers including insulating layers; (b) the power-supply layer and ground layer each comprise an inner lead region exposed from the intermediate layers, an outer lead region, and a conductive region sandwiched by these two regions and covered by the intermediate layers; and (c) the conductive regions of the power-supply layer and ground layer consist of planar conductive members. The self-inductances of the power-supply and ground layers of this package are low, and the capacitance of the capacitor formed by these layers is low. Therefore, the noise of the power-supply system is little.

Abstract translation: 一种用于半导体芯片的封装，具有以下特征：（a）电源层，接地层和信号层，形成为包括绝缘层在内的多层中间层; （b）电源层和接地层各自包括从中间层露出的内引线区域，外引线区域和夹在这两个区域之间并被中间层覆盖的导电区域; 和（c）电源层和接地层的导电区域由平面导电构件构成。 该封装的电源层和接地层的自感性较低，由这些层形成的电容器的电容较低。 因此，电源系统的噪音很小。

公开(公告)号：WO2016175612A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/KR2016/004546

申请日：2016-04-29

Applicant: 주식회사 엘지화학

Inventor： 김희정 ,  김세라 ,  김정학 ,  남승희 ,  조정호 ,  이광주 ,  김영국

IPC: C09D163/00 ,  C08L63/00 ,  C09J201/00 ,  C09J7/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: C09J7/00 ,  B32B7/12 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B2457/14 ,  C08L63/00 ,  C09D163/00 ,  C09J7/10 ,  C09J7/20 ,  C09J161/12 ,  C09J163/00 ,  C09J163/04 ,  C09J201/00 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/006 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2467/005 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643

Abstract: 본 발명은 반도체 기판의 배선이나 반도체 칩에 부설된 와이어 등의 요철을 보다 용이하게 매립할 수 있으면서도， 다양한 절단 방법에 큰 제한 없이 적용되어 우수한 분단성을 구현하여 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있는 특정 물성을 갖는 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于半导体的具有能够提高半导体封装工艺的可靠性和效率的特定性质的粘合剂膜，该粘合剂膜更好地有助于将半导体衬底上的不均匀布线或连接到半导体芯片上的电线等等 而不显着限制各种切割方法的应用，从而允许实现极好的可分割性。

公开(公告)号：WO2015155542A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/GB2015/051096

申请日：2015-04-10

Applicant: ALPHA METALS, INC. ,  SETNA, Rohan P

Inventor： GHOSHAL, Shamik ,  CHAKI, Nirmalya Kumar ,  ROY, Poulami Sengupta ,  SARKAR, Siuli ,  RUSTOGI, Anubhav

IPC: B22F1/00 ,  B22F7/04 ,  H01L21/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/29 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F7/04 ,  B22F2007/047 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/45 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/56 ,  H01B1/22 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L51/5246 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H05K3/321 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0493 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: A sintering powder comprising: a first type of metal particles having a mean longest dimension of from 100 nm to 50 μm.

Abstract translation: 一种烧结粉末，其特征在于，包括：平均最长尺寸为100nm〜50μm的第一种金属粒子。

公开(公告)号：WO2014015912A9

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/EP2012064736

申请日：2012-07-26

Applicant: EV GROUP E THALLNER GMBH ,  WIMPLINGER MARKUS

Inventor： WIMPLINGER MARKUS

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention relates to a method for bonding a first contact area (3) of a first, at least predominantly transparent substrate (1) to a second contact area (4) of a second, at least predominantly transparent substrate (2) wherein an oxide is used at at least one of the contact areas for bonding, from which oxide an at least predominantly transparent connecting layer (14) having: an electrical conductivity of at least 10e1 S/cm2 (measurement: four-point method, relative to temperature of 300K) and an optical transmittance of greater than 0.8 (for a wavelength range of 400 nm to 1500 nm) is formed at the first and second contact areas (3 4).

Abstract translation: 本发明涉及一种接合第一接触表面的方法（3）的第一，至少基本上透明的基板（1）具有第二接触表面（4）的第二的，至少基本上透明的基板（2），其中，所述用于接合的接触表面的至少一个 使用氧化物，从其中至少主要透明粘接层（14），包括：至少10E1 S / cm 2的导电性（测量：四点基于的300K温度的方法），和光透射比大于0.8（为一个波长范围内的 400纳米至1500纳米）形成在第一和第二接触表面（3,4）上。

公开(公告)号：WO2014087397A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/IL2013/050962

申请日：2013-11-24

Applicant: ELTA SYSTEMS LTD.

Inventor： MAYDAR, Yaniv ,  JOSEPH, Yohai

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/486 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/053 ,  H01L23/055 ,  H01L23/147 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/66 ,  H01L24/17 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0652 ,  H01L2223/6605 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20101 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/207

Abstract: An integrated circuit device and a method of fabricating the same are presented. The integrated circuit device (1) includes two or more active components (30a, 30b), possibly fabricated by different semiconductor technologies, and an interposer structure (10) adapted for carrying the two or more active components such that at least one of the active components is carried on a top surface of the interposer structure. The integrated circuit device also includes at least one metal cap (40), furnished on the top surface of the interposer structure and encapsulating at least one of the active components. Some variants of the integrated circuit device of the invention are suited for operation under extreme conditions.

Abstract translation: 提出了一种集成电路器件及其制造方法。 集成电路器件（1）包括可能由不同半导体技术制造的两个或多个有源部件（30a，30b）和适于承载两个或多个有源部件的插入器结构（10），使得至少一个有源部件 组件被承载在插入器结构的顶表面上。 集成电路器件还包括至少一个金属盖（40），其设置在插入器结构的顶表面上并且封装至少一个有源部件。 本发明的集成电路装置的一些变型适用于极端条件下的操作。

公开(公告)号：WO2012100786A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/EP2011/000299

申请日：2011-01-25

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GmbH ,  PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

Inventor： PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Oberflächenschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in einer Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats enthaltenen zweiten Edukt.

Abstract translation: 本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面（4）的第二基板（2）包括以下步骤的方法，尤其是以下序列： - 形成的贮存器（5）在一个 第一接触表面（3）上的表面层（6）， - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组，储存器 - 第一接触表面接触（3）与所述第二接触表面（4），以形成一个 预键合连接， - 在形成第一和第二接触表面（3,4），至少部分地由所述第二反应物的第二基板（7）包含有在反应层中的第一反应物的反应增强之间的永久粘结的。

公开(公告)号：WO2016175611A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/KR2016/004545

申请日：2016-04-29

Applicant: 주식회사 엘지화학

Inventor： 김희정 ,  김세라 ,  김정학 ,  남승희 ,  조정호 ,  이광주 ,  김영국

IPC: C09D163/00 ,  C08L63/00 ,  C09J201/00 ,  C09J7/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: C09J7/00 ,  B32B7/12 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B2457/14 ,  C08L63/00 ,  C09D163/00 ,  C09J7/10 ,  C09J7/20 ,  C09J161/12 ,  C09J163/00 ,  C09J163/04 ,  C09J201/00 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/006 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2467/005 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643

Abstract: 본 발명은 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지; 70 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제; 고상 에폭시 수지;및 액상 에폭시 수지;를 포함하고, 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6인 반도체 접착용 수지 조성물과, 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 반도체용 접착 필름과, 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층을 포함한 다이싱 다이본딩 필름과, 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及半导体接合用树脂组合物，半导体用粘合膜，其包含半导体接合用树脂组合物，包含由半导体接合用树脂组合物构成的粘合层的切割片接合膜，以及利用 切割接合膜，半导体接合用树脂组合物，包括：热塑性树脂，-10-20℃玻璃转移温度; 包含软化点为70℃以上的酚醛树脂的固化剂; 固体环氧树脂; 和液体环氧树脂，其中热塑性树脂与固体和液体环氧树脂的总含量的重量比为1.6-2.6。