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公开(公告)号:WO2016096025A1
公开(公告)日:2016-06-23
申请号:PCT/EP2014/078585
申请日:2014-12-18
Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH
Inventor: FEHKÜHRER, Andreas
IPC: H01L21/98 , H01L21/18 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/68 , B32B37/10 , H01L25/065
CPC classification number: H01L24/80 , B32B37/0046 , B32B38/1841 , B32B38/1858 , B32B2309/105 , B32B2457/14 , H01L21/187 , H01L21/304 , H01L21/67092 , H01L21/6831 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/75 , H01L24/94 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/0224 , H01L2224/0381 , H01L2224/0382 , H01L2224/03831 , H01L2224/0384 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/75251 , H01L2224/75272 , H01L2224/75701 , H01L2224/75702 , H01L2224/75704 , H01L2224/75705 , H01L2224/75724 , H01L2224/75725 , H01L2224/75734 , H01L2224/75735 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/7598 , H01L2224/80 , H01L2224/80003 , H01L2224/80006 , H01L2224/8001 , H01L2224/80011 , H01L2224/8002 , H01L2224/80047 , H01L2224/80051 , H01L2224/80093 , H01L2224/80099 , H01L2224/8013 , H01L2224/80132 , H01L2224/80201 , H01L2224/80203 , H01L2224/80209 , H01L2224/80213 , H01L2224/80801 , H01L2224/80894 , H01L2224/80907 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/97 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2221/68304
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4) mit einem zweiten Substrat (4'), wobei das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') vor dem Bonden gedünnt ist/wird. Die Substrate (4, 4') können Wafer, Halbleitersubstrate, metallische Substrate, mineralische Substrate, insbesondere Saphirsubstrate, Glassubstrate oder Polymersubstrate sein. Das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') werden zum Dünnen und/oder Bonden auf einem auf einer Trägeroberfläche (3o, 3o') eines, insbesondere einen ringförmigen Rahmen (2) aufweisenden, Trägers (3, 3') fixiert. Das erste Substrat (4) und das zweite Substrat (4') werden vor dem Bonden an Hand von korrespondierenden Ausrichtungsmarkierungen der Substrate (4, 4') zueinander ausgerichtet und anschließend, insbesondere magnetisch, vorfixiert. Substratfixierungen weisen jeweils eine Substratfixierfläche (9) zur Fixierung jeweils eines Substrats (4, 4') und jeweils eine die Substratfixierfläche (9) umgebende Trägerfixierfläche (8) oder Trägerfixierbereich zur gegenseitigen Fixierung der Substratfixierungen auf, wobei insbesondere die Trägerfixierfläche (8) oder der Trägerfixierbereich magnetisiert oder magnetisierbar ist, oder alternativ die Substratfixierungen mittels eines Klebers, über Klemmen, über ein Stecksystem oder elektrostatisch miteinander fixierbar sind.
Abstract translation: 本发明涉及一种方法,用于与第二衬底(4“),其中,所述第一基板(4)和/或所述第二衬底(4”)在接合之前薄化接合第一基底(4)/是。 基板(4,4“)的晶片,半导体衬底,金属基材,矿物基底,特别是蓝宝石基板,玻璃基板或聚合物基板可以是。 在第一基板(4)和/或第二基底(4“)是在支撑表面上的研磨和/或键合(10-30,10-30的”)的,特别是环形框架(2),其具有,载流子(3,3 “)固定。 在第一基板(4)和第二衬底(4“)(相当于基板4的对准标记的,4)在粘接之前手”彼此,然后,特别是磁性,预置对准。 基板注视各自具有Substratfixierfläche(9),用于在每种情况下固定在一个基板(4,4“),每一个所述Substratfixierfläche(9)周围Trägerfixierfläche(8)或Trägerfixierbereich用于基板注视相互固定,其中特别地Trägerfixierfläche(8)或 Trägerfixierbereich磁化或可磁化,或者可替换地,衬底注视通过粘合剂的方式固定在一起,通过端子,连接器系统或静电。
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公开(公告)号:WO2013051395A1
公开(公告)日:2013-04-11
申请号:PCT/JP2012/073952
申请日:2012-09-19
Inventor: 菅 勝行
IPC: H01L21/02 , H01L21/677 , H01L27/12
CPC classification number: H01L24/80 , H01L21/67092 , H01L21/6776 , H01L24/08 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L27/1262 , H01L2224/08225 , H01L2224/75101 , H01L2224/75651 , H01L2224/80006 , H01L2224/80011 , H01L2224/80065 , H01L2224/80093 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/15788 , H01L2224/83
Abstract: 本発明の一態様に係る接着装置(20)は、伸縮性を有した、Siウエハー(1)を配することができる搬送用フィルム(7)と、接着室(9)および隣接室(10)に分断されるチャンバー(6)であって、接着室(9)において、Siウエハー(1)とガラス基板(2)とを接着する構成となっているチャンバー(6)と、接着室(9)の減圧等を行うことにより搬送用フィルム(7)を伸長させて、Siウエハー(1)をガラス基板(2)に接触させる圧力変化手段と、を備えている。
Abstract translation: 根据本发明实施例的接合装置(20)具有:弹性的输送膜(7),可以配置Si晶片(1); 分隔成粘合室(9)和相邻室(10)的室(6),所述粘结室(9)构造成将所述Si晶片(1)接合到玻璃基板(2)上; 以及降低粘合室(9)中的压力以使输送膜(7)延伸以使得Si晶片(1)与玻璃基板(2)接触的压力改变装置。
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