公开(公告)号：WO2015107290A2

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/FR2015050052

申请日：2015-01-09

Applicant: COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： DEGUET CHRYSTEL ,  FOURNEL FRANK ,  MORICEAU HUBERT ,  SANCHEZ LOIC

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75841 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80019 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80385 ,  H01L2224/80424 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2924/05442 ,  H01L21/78

Abstract: This process comprises: placing (70) chips in preset locations by attracting a transfer layer of the chip using a pad, the attractive force between the transfer layer and the pad being a force chosen from the group composed of a magnetic force, an electrostatic force and an electromagnetic force; and bonding (74) the chips thus placed on respective receiving zones of an active side of a receiver substrate, this bonding comprising: preparing (30, 62, 72) bonding sides of the chips and the receiving zones so that they are able to bond without adhesive, then in step c), bringing (78) each bonding side into direct contact with its respective receiving zone and thus bonding the chips to the receiver substrate without adhesive.

Abstract translation: 该方法包括：通过使用焊盘吸引芯片的转移层来将（70）芯片放置在预设位置，转移层和焊盘之间的吸引力是从由磁力，静电力 和电磁力; 并且将由此放置在接收器基板的有源侧的相应接收区上的芯片接合（74），该接合包括：准备（30,62,72）将芯片和接收区域粘合在一起，使得它们能够结合 没有粘合剂，然后在步骤c）中，使（78）每个粘合侧与其相应的接收区域直接接触，并且因此将芯片粘合到接收器基底而没有粘合剂。

公开(公告)号：WO2014167867A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：PCT/JP2014/002091

申请日：2014-04-11

Applicant: 株式会社ニコン

Inventor： 菅谷　功

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/14 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/05552

Abstract: 　積層ステップを含む積層半導体製造方法であって、第１ウエハに形成された複数の第１回路と、前記複数の第１回路のそれぞれに対応する位置で第２ウエハに形成され、前記複数の第１回路のそれぞれとは異なる外形を有する複数の第２回路とがそれぞれ少なくとも部分的に重なり合うように前記第１ウエハと前記第２ウエハとを積層する。上記方法において、積層ステップは、複数の第１回路のそれぞれに形成された第１接続部と、複数の第２回路のそれぞれに第１接続部に対応する位置で形成された第２接続部とが、それぞれ少なくとも部分的に対向するように積層してもよい。

Abstract translation: 在包括层压步骤的层压半导体制造方法中，第一晶片和第二晶片彼此层叠，使得形成在第一晶片上的多个第一电路和多个第二电路至少部分地彼此重叠，所述 第二电路在与第一电路对应的位置处形成在第二晶片上，并且具有与第一电路不同的外形。 在该方法的层压步骤中，可以进行层叠，使得分别形成在第一电路中的第一连接部分和形成在第二电路中的第二连接部分分别对应于第一连接部分的位置至少部分地面对 彼此。

公开(公告)号：WO2014130353A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/US2014/016418

申请日：2014-02-14

Applicant: LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： GOLDA, Dariusz ,  HIGGINSON, John A. ,  BIBL, Andreas ,  PARKS, Paul Argus ,  BATHURST, Stephen Paul

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/07 ,  B65G47/91 ,  B25J11/00 ,  B25J19/02

CPC classification number: H01L24/75 ,  B25J7/00 ,  B25J9/0015 ,  B25J15/0052 ,  B25J15/0085 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75282 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75823 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: Systems and methods for transferring a micro device from a carrier substrate are disclosed. In an embodiment, a mass transfer tool manipulator assembly allows active alignment between an array of electrostatic transfer heads on a micro pick up array and an array of micro devices on a carrier substrate. Displacement of a compliant element of the mass transfer tool manipulator assembly may be sensed to control alignment between the array of electrostatic transfer heads and the array of micro devices.

Abstract translation: 公开了用于从载体衬底传送微器件的系统和方法。 在一个实施例中，质量传递工具操纵器组件允许在微拾取阵列上的静电转印头阵列和载体衬底上的微器件阵列之间的主动对准。 可以检测质量传递工具操纵器组件的柔性元件的位移，以控制静电转印头阵列与微器件阵列之间的对准。

公开(公告)号：WO2014093241A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/US2013/073917

申请日：2013-12-09

Applicant: LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： GOLDA, Dariusz ,  HIGGINSON, John A. ,  BIBL, Andreas

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/07 ,  B65G47/90

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L24/97 ,  H01L25/167 ,  H01L33/00 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75843 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T279/23 ,  H01L2924/00

Abstract: Systems and methods for transferring a micro device from a carrier substrate are disclosed. In an embodiment, a micro pick up array mount includes a pivot platform to allow a micro pick up array to automatically align with a carrier substrate. Deflection of the pivot platform may be detected to control further movement of the micro pick up array.

Abstract translation: 公开了用于从载体衬底传送微器件的系统和方法。 在一个实施例中，微拾取阵列安装件包括枢轴平台，以允许微拾取阵列自动对准载体衬底。 可以检测枢轴平台的偏转以控制微拾取阵列的进一步移动。

公开(公告)号：WO2013119671A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：PCT/US2013/024939

申请日：2013-02-06

Applicant: LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： BIBL, Andreas ,  HIGGINSON, John A. ,  HU, Hsin-Hua ,  LAW, Hung-Fai Stephen

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/60 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29183 ,  H01L2224/75261 ,  H01L2224/75281 ,  H01L2224/75282 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0103

Abstract: Electrostatic transfer head array assemblies and methods of transferring and bonding an array of micro devices to a receiving substrate are described. In an embodiment, a method includes picking up an array of micro devices from a carrier substrate with an electrostatic transfer head assembly supporting an array of electrostatic transfer heads, contacting a receiving substrate with the array of micro devices, transferring energy from the electrostatic transfer head assembly to bond the array of micro devices to the receiving substrate, and releasing the array of micro devices onto the receiving substrate.

Abstract translation: 描述了静电转印头阵列组件以及将微器件阵列转移和结合到接收衬底的方法。 在一个实施例中，一种方法包括从载体基板拾取微器件阵列，其中静电转印头组件支持静电转印头阵列，使接收基片与微器件阵列接触，将静电转印头 组件将微器件阵列接合到接收衬底，并将微器件阵列释放到接收衬底上。

公开(公告)号：WO2013074357A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：PCT/US2012/063993

申请日：2012-11-07

Applicant: LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： BIBL, Andreas ,  HIGGINSON, John, A. ,  LAW, Hung-Fai, Stephen ,  HU, Hsin-Hua

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/677 ,  H05K13/04

CPC classification number: H01L24/83 ,  B32B37/025 ,  B32B37/06 ,  B32B2457/20 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6833 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1707 ,  Y10T156/1744 ,  Y10T156/1749 ,  Y10T156/1776 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: A micro device transfer head and head array are disclosed. In an embodiment, the micro device transfer head includes a base substrate, a mesa structure with sidewalls, an electrode formed over the mesa structure, and a dielectric layer covering the electrode. A voltage can be applied to the micro device transfer head and head array to pick up a micro device from a carrier substrate and release the micro device onto a receiving substrate.

Abstract translation: 公开了一种微器件转印头和头阵列。 在一个实施例中，微器件转移头包括基底，具有侧壁的台面结构，形成在台面结构上的电极以及覆盖电极的电介质层。 可以将电压施加到微器件转移头和头阵列以从载体衬底拾取微器件并将微器件释放到接收衬底上。

公开(公告)号：WO2016096025A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2014/078585

申请日：2014-12-18

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： FEHKÜHRER, Andreas

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/18 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/80 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/1841 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/80051 ,  H01L2224/80093 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2221/68304

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4) mit einem zweiten Substrat (4'), wobei das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') vor dem Bonden gedünnt ist/wird. Die Substrate (4, 4') können Wafer, Halbleitersubstrate, metallische Substrate, mineralische Substrate, insbesondere Saphirsubstrate, Glassubstrate oder Polymersubstrate sein. Das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') werden zum Dünnen und/oder Bonden auf einem auf einer Trägeroberfläche (3o, 3o') eines, insbesondere einen ringförmigen Rahmen (2) aufweisenden, Trägers (3, 3') fixiert. Das erste Substrat (4) und das zweite Substrat (4') werden vor dem Bonden an Hand von korrespondierenden Ausrichtungsmarkierungen der Substrate (4, 4') zueinander ausgerichtet und anschließend, insbesondere magnetisch, vorfixiert. Substratfixierungen weisen jeweils eine Substratfixierfläche (9) zur Fixierung jeweils eines Substrats (4, 4') und jeweils eine die Substratfixierfläche (9) umgebende Trägerfixierfläche (8) oder Trägerfixierbereich zur gegenseitigen Fixierung der Substratfixierungen auf, wobei insbesondere die Trägerfixierfläche (8) oder der Trägerfixierbereich magnetisiert oder magnetisierbar ist, oder alternativ die Substratfixierungen mittels eines Klebers, über Klemmen, über ein Stecksystem oder elektrostatisch miteinander fixierbar sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与第二衬底（4“），其中，所述第一基板（4）和/或所述第二衬底（4”）在接合之前薄化接合第一基底（4）/是。 基板（4，4“）的晶片，半导体衬底，金属基材，矿物基底，特别是蓝宝石基板，玻璃基板或聚合物基板可以是。 在第一基板（4）和/或第二基底（4“）是在支撑表面上的研磨和/或键合（10-30，10-30的”）的，特别是环形框架（2），其具有，载流子（3,3 “）固定。 在第一基板（4）和第二衬底（4“）（相当于基板4的对准标记的，4）在粘接之前手”彼此，然后，特别是磁性，预置对准。 基板注视各自具有Substratfixierfläche（9），用于在每种情况下固定在一个基板（4,4“），每一个所述Substratfixierfläche（9）周围Trägerfixierfläche（8）或Trägerfixierbereich用于基板注视相互固定，其中特别地Trägerfixierfläche（8）或 Trägerfixierbereich磁化或可磁化，或者可替换地，衬底注视通过粘合剂的方式固定在一起，通过端子，连接器系统或静电。

公开(公告)号：WO2016060274A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/JP2015/079446

申请日：2015-10-19

Applicant: ボンドテック株式会社

Inventor： 山内　朗

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K20/023 ,  B23K20/233 ,  B23K20/24 ,  B23K37/0408 ,  B23K37/047 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L23/544 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/8003 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83908 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80009 ,  H01L2224/80121

Abstract: 【課題】基板どうしを接合する際に、基板どうしの間でのボイドの発生を防ぐとともに、ひずみを抑制して、高い位置精度で接合する。 【解決手段】第一の基板と第二の基板とを接合する方法であって、前記第一の基板及び前記第二の基板のそれぞれの接合面の表面に水又はＯＨ含有物質を付着させる親水化処理を行う工程と、前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記接合面どうしを対向させて配置するとともに、前記第一の基板を、前記接合面の外周部に対して中央部が前記第二の基板側に突出するように撓ませる工程と、前記第一の基板の前記接合面と前記第二の基板の前記接合面とを、前記中央部どうしで突き合わせる工程と、前記中央部どうしが非接合状態を維持する圧力で突き合わせた状態で、前記第一の基板の外周部と前記第二の基板の外周部との距離を縮め、前記第一の基板の前記接合面と前記第二の基板の前記接合面とを全面で突き合わせる突き合わせ工程と、を備える基板どうしの接合方法。

Abstract translation: 为了将基板粘合在一起，防止在基板之间形成空隙，使应变最小化，并且以高位置精度进行接合。 [解决方案]一种将第一基板和第二基板结合在一起的方法，其中所述方法具有：进行亲水处理的步骤，其中使水或含OH物质粘附到各个键合物的表面 第一基板和第二基板的表面; 用于将所述第一基板和所述第二基板布置成使得所述接合表面彼此面对并且使所述第一基板偏转以使得所述中心部分相对于所述接合表面的外周部分朝向所述第二基板侧突出的步骤; 使第一基板的接合面和第二基板的接合面在中心部彼此抵接的步骤; 并且一旦使中心部分在非粘合状态的压力下彼此抵接，则使得第一基板的外周部分与第二基板的外周部分之间的距离减小的邻接步骤 并且使得第一基板的接合表面和第二基板的接合表面在整个表面上彼此邻接。

公开(公告)号：WO2015099944A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/US2014/067501

申请日：2014-11-25

Applicant: LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： MCGRODDY, Kelly ,  HU, Hsin-Hua ,  BIBL, Andreas ,  CHAN, Clayton Ka Tsun ,  HAEGER, Daniel Arthur

IPC: H01L33/14 ,  H01L25/075 ,  G02F1/1335 ,  G09G3/32 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  G09G3/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/016 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/82203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods and structures for forming arrays of LED devices are disclosed. The LED devices in accordance with embodiments of the invention may include an internally confined current injection area to reduce non-radiative recombination due to edge effects. Several manners for confining current may include etch removal of a current distribution layer, etch removal of a current distribution layer and active layer followed by mesa re-growth, isolation by ion implant or diffusion, quantum well intermixing, and oxide isolation.

Abstract translation: 公开了用于形成LED器件阵列的方法和结构。 根据本发明的实施例的LED器件可以包括内部限制的电流注入区域，以减少由于边缘效应引起的非辐射复合。 限制电流的几种方式可以包括电流分布层的蚀刻去除，电流分布层和有源层的蚀刻去除，随后的台面再生长，通过离子注入或扩散的分离，量子阱混合和氧化物隔离。

公开(公告)号：WO2014093064A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/US2013/072914

申请日：2013-12-03

Applicant: LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： SAKARIYA, Kapil, V. ,  BIBL, Andreas ,  HU, Hsin-Hua

IPC: G09F9/33

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/75 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L27/1214 ,  H01L33/06 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75281 ,  H01L2224/75282 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: A display panel and a method of forming a display panel are described. The display panel may include a thin film transistor substrate including a pixel area and a non-pixel area. The pixel area includes an array of bank openings and an array of bottom electrodes within the array of bank openings. An array of micro LED devices are bonded to the corresponding array of bottom electrodes within the array of bank openings. An array of top electrode layers are formed electrically connecting the array of micro LED devices to a ground line in the non-pixel area.

Abstract translation: 描述显示面板和形成显示面板的方法。 显示面板可以包括包括像素区域和非像素区域的薄膜晶体管基板。 像素区域包括堤开口的阵列和堤开口阵列内的一组底部电极。 一组微型LED器件结合到阵列阵列内的相应阵列的底部电极。 形成将微型LED器件的阵列电连接到非像素区域中的接地线的顶部电极层的阵列。