公开(公告)号：WO2011032647A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/EP2010/005422

申请日：2010-09-03

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH ,  WIMPLINGER, Markus

Inventor： WIMPLINGER, Markus

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80815 ,  H01L2224/8082 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Verfahren zum Bonden einer Vielzahl von Chips (3) auf einen vorderseitig Chips (3') enthaltenden Basiswafer (1), wobei die Chips (3) in mindestens einer Lage rückseitig des Basiswafers (1) gestapelt werden und zwischen den vertikal benachbarten Chips (3, 3') elektrisch leitfähige Verbindungen (7) hergestellt werden, mit folgenden Schritten: a) Fixieren einer Vorderseite (2) des Basiswafers (1) auf einem Träger (5), b) Platzieren mindestens einer Lage von Chips (3) in definierten Positionen auf einer Rückseite (6) des Basiswafers (1) und c) Wärmebehandlung der Chips (3, 3') auf dem mit dem Träger (5) fixierten Basiswafer (1), dadurch gekennzeichnet, dass vor Schritt c) eine zumindest teilweise Vereinzelung der Chips (3') des Basiswafers (1) in getrennte Chipstapelabschnitte (1 c) des Basiswafers (1) erfolgt.

Abstract translation: 一种用于容纳基底晶片的前侧芯片（3“）上接合多个芯片（3）方法（1），所述芯片（3）在所述基底晶片的背面的至少一个位置（1）被堆叠和垂直相邻的芯片之间（3 ，3“）的导电连接（7）的制备，它具有下列步骤：a）固定前侧（2）上的支撑件（5）的基体晶片（1）的，b）将所定义的芯片（3）的至少一个层 在后侧的位置（6）的基体晶片（1）和c）热固定在（与载体5）基底晶片（1），其特征在于步骤c之前处理的芯片（3，3“））的至少部分地分割 的基底晶片（1）插入所述基底晶片（1）的单独的奇普·斯塔克部分（图1c）的芯片（3“）。

公开(公告)号：WO2013161891A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/062100

申请日：2013-04-24

Applicant: 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社

Inventor： 須賀　唯知 ,  山内　朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L25/0652 ,  B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/10 ,  H01L23/10 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/74 ,  H01L24/742 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/8023 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83355 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】接合界面に樹脂などの望ましくない残存物を残さないようにして、チップとウエハとの間又は積層された複数のチップ間の電気的接続を確立し機械的強度を上げる、ウエハ上にチップを効率よく接合する技術を提供すること。 【解決手段】金属領域を有するチップ側接合面を有する複数のチップを、複数の接合部を有する基板に接合する方法が、チップ側接合面の金属領域を、表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ１）と、基板の接合部を表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ２）と、表面活性化処理されかつ親水化処理された複数のチップを、それぞれ、チップの金属領域が基板の接合部に接触するように、表面活性化処理されかつ親水化処理された基板の対応する接合部上に取り付けるステップ（Ｓ３）と、基板と基板上に取り付けられた複数のチップとを含む構造体を加熱するステップ（Ｓ４）とを備える。

Abstract translation: [问题]提供一种用于将晶片高效地接合到晶片而不在接合界面上留下不需要的残留物（例如树脂）的技术，建立芯片和晶片之间或多个分层芯片之间的电连接并增加机械强度。 [解决方案]本发明的用于将包含金属区域的芯片侧接合表面的多个芯片接合到包括多个接合部分的基板的本发明的方法具有以下步骤：（S1）其中芯片的金属区域 接合表面进行表面活化处理和亲水化处理; 步骤（S2），其中对所述基板的接合部进行表面活化处理和亲水化处理; 已经进行表面活化处理和亲水化处理的多个芯片中的每一个被附着到已进行了表面活化处理和亲水化处理的基板上的相应接合部分的步骤（S3） 处理，使得芯片的金属区域与基板的接合部分接触; 以及步骤（S4），其中包括基板和附接到基板的多个芯片的结构被加热。

公开(公告)号：WO2013051395A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：PCT/JP2012/073952

申请日：2012-09-19

Applicant: シャープ株式会社 ,  菅 勝行

Inventor： 菅　勝行

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6776 ,  H01L24/08 ,  H01L24/75 ,  H01L24/97 ,  H01L27/1262 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80093 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/83

Abstract: 　本発明の一態様に係る接着装置（２０）は、伸縮性を有した、Ｓｉウエハー（１）を配することができる搬送用フィルム（７）と、接着室（９）および隣接室（１０）に分断されるチャンバー（６）であって、接着室（９）において、Ｓｉウエハー（１）とガラス基板（２）とを接着する構成となっているチャンバー（６）と、接着室（９）の減圧等を行うことにより搬送用フィルム（７）を伸長させて、Ｓｉウエハー（１）をガラス基板（２）に接触させる圧力変化手段と、を備えている。

Abstract translation: 根据本发明实施例的接合装置（20）具有：弹性的输送膜（7），可以配置Si晶片（1）; 分隔成粘合室（9）和相邻室（10）的室（6），所述粘结室（9）构造成将所述Si晶片（1）接合到玻璃基板（2）上; 以及降低粘合室（9）中的压力以使输送膜（7）延伸以使得Si晶片（1）与玻璃基板（2）接触的压力改变装置。