公开(公告)号：WO2016096025A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2014/078585

申请日：2014-12-18

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： FEHKÜHRER, Andreas

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/18 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/80 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/1841 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/80051 ,  H01L2224/80093 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2221/68304

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4) mit einem zweiten Substrat (4'), wobei das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') vor dem Bonden gedünnt ist/wird. Die Substrate (4, 4') können Wafer, Halbleitersubstrate, metallische Substrate, mineralische Substrate, insbesondere Saphirsubstrate, Glassubstrate oder Polymersubstrate sein. Das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') werden zum Dünnen und/oder Bonden auf einem auf einer Trägeroberfläche (3o, 3o') eines, insbesondere einen ringförmigen Rahmen (2) aufweisenden, Trägers (3, 3') fixiert. Das erste Substrat (4) und das zweite Substrat (4') werden vor dem Bonden an Hand von korrespondierenden Ausrichtungsmarkierungen der Substrate (4, 4') zueinander ausgerichtet und anschließend, insbesondere magnetisch, vorfixiert. Substratfixierungen weisen jeweils eine Substratfixierfläche (9) zur Fixierung jeweils eines Substrats (4, 4') und jeweils eine die Substratfixierfläche (9) umgebende Trägerfixierfläche (8) oder Trägerfixierbereich zur gegenseitigen Fixierung der Substratfixierungen auf, wobei insbesondere die Trägerfixierfläche (8) oder der Trägerfixierbereich magnetisiert oder magnetisierbar ist, oder alternativ die Substratfixierungen mittels eines Klebers, über Klemmen, über ein Stecksystem oder elektrostatisch miteinander fixierbar sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与第二衬底（4“），其中，所述第一基板（4）和/或所述第二衬底（4”）在接合之前薄化接合第一基底（4）/是。 基板（4，4“）的晶片，半导体衬底，金属基材，矿物基底，特别是蓝宝石基板，玻璃基板或聚合物基板可以是。 在第一基板（4）和/或第二基底（4“）是在支撑表面上的研磨和/或键合（10-30，10-30的”）的，特别是环形框架（2），其具有，载流子（3,3 “）固定。 在第一基板（4）和第二衬底（4“）（相当于基板4的对准标记的，4）在粘接之前手”彼此，然后，特别是磁性，预置对准。 基板注视各自具有Substratfixierfläche（9），用于在每种情况下固定在一个基板（4,4“），每一个所述Substratfixierfläche（9）周围Trägerfixierfläche（8）或Trägerfixierbereich用于基板注视相互固定，其中特别地Trägerfixierfläche（8）或 Trägerfixierbereich磁化或可磁化，或者可替换地，衬底注视通过粘合剂的方式固定在一起，通过端子，连接器系统或静电。

公开(公告)号：WO2012131075A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/055894

申请日：2012-03-30

Applicant: SOITEC ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier ,  DI CIOCCIO, Lea

Inventor： SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier ,  DI CIOCCIO, Lea

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/034

Abstract: Methods of bonding together semiconductor structures include annealing a first metal feature on a first semiconductor structure, bonding the first metal feature to a second metal feature of a second semiconductor structure to form a bonded metal structure that comprises the first metal feature and the second metal feature, and annealing the bonded metal structure. Annealing the first metal feature may comprise subjecting the first metal feature to a pre-bonding thermal budget, and annealing the bonded metal structure may comprise subjecting the bonded metal structure to a post-bonding thermal budget that is less than the pre-bonding thermal budget. Bonded semiconductor structures are fabricated using such methods.

Abstract translation: 将半导体结构结合在一起的方法包括退火第一半导体结构上的第一金属特征，将第一金属特征结合到第二半导体结构的第二金属特征，以形成包含第一金属特征和第二金属特征 ，并对结合的金属结构进行退火。 退火第一金属特征可以包括使第一金属特征经受预结合热预算，并且对接合的金属结构进行退火可以包括使结合的金属结构经受低于预粘合热预算的后粘合热预算 。 使用这种方法制造粘合的半导体结构。

公开(公告)号：WO2017052652A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：PCT/US2015/052475

申请日：2015-09-25

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： JUN, Kimin ,  MUELLER, Brennen ,  FISCHER, Paul

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/73201 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81099 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/08 ,  H01L2924/014

Abstract: Hybrid bonding is described for combining one semiconductor die with another. Some embodiments include attaching small dies on a wafer to a temporary carrier, aligning the dies over a plurality of larger host dies on a host wafer using the temporary carrier, applying the small dies against the host dies using the temporary carrier so that a subset of the small dies bond to respective host dies, separating the temporary carrier so that the subset of bonded small dies are attached to a respective host die and the remaining small dies are separated with the temporary carrier, singulating the host dies, and packaging the host dies.

Abstract translation: 描述了用于将一个半导体管芯与另一个半导体管芯组合的混合结合。 一些实施例包括将晶片上的小模具附接到临时载体上，使用临时载体将模具对准主晶片上的多个较大的主模具，使用临时载体将小模具施加到主模具上，使得 小型管芯与相应的主体管芯接合，分离临时载体，使得粘合的小型管芯的子集连接到相应的主管模具上，剩余的小型管芯与临时载体分离，分离主体模具，并将主体模具 。

公开(公告)号：WO2012130730A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/055119

申请日：2012-03-22

Applicant: SOITEC ,  SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier

Inventor： SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0805 ,  H01L2224/0807 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/8583 ,  H01L2224/85897 ,  H01L2224/85898 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: Methods of bonding together semiconductor structures include annealing metal of a feature on a semiconductor structure prior to directly bonding the feature to a metal feature of another semiconductor structure to form a bonded metal structure, and annealing the bonded metal structure after the bonding process. The thermal budget of the first annealing process may be at least as high as a thermal budget of a later annealing process. Additional methods involve forming a void in a metal feature, and annealing the metal feature to expand the metal of the feature into the void. Bonded semiconductor structures and intermediate structures are formed using such methods.

Abstract translation: 将半导体结构结合在一起的方法包括在将特征直接接合到另一半导体结构的金属特征之前的半导体结构上的特征的退火金属，以形成接合的金属结构，以及在接合工艺之后使接合的金属结构退火。 第一退火工艺的热预算可以至少等于后续退火工艺的热预算。 附加的方法包括在金属特征中形成空隙，并退火金属特征以将特征的金属扩展到空隙中。 使用这种方法形成结合的半导体结构和中间结构。