公开(公告)号：WO2017005716A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/EP2016/065765

申请日：2016-07-05

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： FRANKE, Martin ,  FRÜHAUF, Peter ,  KNOFE, Rüdiger ,  MÜLLER, Bernd ,  NERRETER, Stefan ,  NIEDERMAYER, Michael ,  WITTREICH, Ulrich ,  ZÄSKE, Manfred

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/4878 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4275 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/08245 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2924/00014

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer kühlbaren elektronischen Komponente (12), indem ein Kühlelement (13) mit dieser verbunden wird. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Verbindung durch Anschieben, auch direktes Bonden genannt, erzeugt wird, wobei die Fügeflächen der elektronischen Komponente (12) und des Kühlelements (13) so glatt sind, dass in einem Übergang zwischen diesen beiden Bauteilen (15) Adhäsionskräfte zu einem Stoffschluss führen. Dieser Stoffschluss kann durch ein anschließendes Kaltverschweißen weiter gefestigt werden. Der Vorteil des entstandenen Übergangs (15) ist ein im Vergleich zu Übergängen mit einem Fügehilfsstoff geringerer thermischer Widerstand, weswegen vorteilhaft die elektronische Komponente (12) durch das Kühlelement (13) effektiver entwärmt werden kann. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Baugruppe, die nach dem genannten Verfahren hergestellt wurde.

Abstract translation: 本发明涉及通过冷却元件（13）与其连接的制造可冷却的电子元件（12）的方法。 根据本发明，它提供了通过推动连接，也直接接合称为产生，其中，所述电子元件（12）和所述冷却元件（13）的接合表面是十分光滑，在（15）至粘附这两个部件之间的过渡 导致材料连接。 这种粘结可通过随后的冷焊接得到进一步加强。 相比于具有接合佐剂通过冷却元件（13）转变较低的热阻，因此有利地将电子部件（12）所得到的过渡（15）的优点，被有效地冷却。 本发明也是一个组件，其通过相同的步骤制备。

公开(公告)号：WO2008005979A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：PCT/US2007/072737

申请日：2007-07-03

Applicant: THE ARIZONA BOARD OF REGENTS, A BODY CORPORATE ACTING FOR AND ON BEHALF OF ARIZONA STATE UNIVERSITY ,  O'ROURKE, Shawn

Inventor： O'ROURKE, Shawn

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L24/89 ,  C09J5/06 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2469/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4985 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/8085 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/007 ,  H05K3/386 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/083 ,  H05K2203/085 ,  H05K2203/1105 ,  Y10T29/49156 ,  H01L2924/00

Abstract: Method for temporarily attaching a substrates to a rigid carrier is described which includes forming a sacrificial layer of a thermally-decomposable polymer, e.g., poly(alkylene carbonate), and bonding the flexible substrate to the rigid carrier with the sacrificial layer positioned therebetween. Electronic components and/or circuits may then be fabricated or other semiconductor processing steps employed (e.g., backgrinding) on the attached substrate. Once fabrication is completed, the substrate may be detached from the rigid carrier by heating the assembly to decompose the sacrificial layer.

Abstract translation: 描述了将基板临时附接到刚性载体的方法，其包括形成可热分解的聚合物（例如聚（碳酸亚烷基酯））的牺牲层，并将柔性基板粘合到刚性载体上，牺牲层位于它们之间。 然后可以制造电子元件和/或电路或在所附接的衬底上采用其他半导体处理步骤（例如，背面研磨）。 一旦制造完成，可以通过加热组件来分解牺牲层，从而将基板从刚性载体上拆下。

公开(公告)号：WO2016096025A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2014/078585

申请日：2014-12-18

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： FEHKÜHRER, Andreas

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/18 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/80 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/1841 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/80051 ,  H01L2224/80093 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2221/68304

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4) mit einem zweiten Substrat (4'), wobei das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') vor dem Bonden gedünnt ist/wird. Die Substrate (4, 4') können Wafer, Halbleitersubstrate, metallische Substrate, mineralische Substrate, insbesondere Saphirsubstrate, Glassubstrate oder Polymersubstrate sein. Das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') werden zum Dünnen und/oder Bonden auf einem auf einer Trägeroberfläche (3o, 3o') eines, insbesondere einen ringförmigen Rahmen (2) aufweisenden, Trägers (3, 3') fixiert. Das erste Substrat (4) und das zweite Substrat (4') werden vor dem Bonden an Hand von korrespondierenden Ausrichtungsmarkierungen der Substrate (4, 4') zueinander ausgerichtet und anschließend, insbesondere magnetisch, vorfixiert. Substratfixierungen weisen jeweils eine Substratfixierfläche (9) zur Fixierung jeweils eines Substrats (4, 4') und jeweils eine die Substratfixierfläche (9) umgebende Trägerfixierfläche (8) oder Trägerfixierbereich zur gegenseitigen Fixierung der Substratfixierungen auf, wobei insbesondere die Trägerfixierfläche (8) oder der Trägerfixierbereich magnetisiert oder magnetisierbar ist, oder alternativ die Substratfixierungen mittels eines Klebers, über Klemmen, über ein Stecksystem oder elektrostatisch miteinander fixierbar sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与第二衬底（4“），其中，所述第一基板（4）和/或所述第二衬底（4”）在接合之前薄化接合第一基底（4）/是。 基板（4，4“）的晶片，半导体衬底，金属基材，矿物基底，特别是蓝宝石基板，玻璃基板或聚合物基板可以是。 在第一基板（4）和/或第二基底（4“）是在支撑表面上的研磨和/或键合（10-30，10-30的”）的，特别是环形框架（2），其具有，载流子（3,3 “）固定。 在第一基板（4）和第二衬底（4“）（相当于基板4的对准标记的，4）在粘接之前手”彼此，然后，特别是磁性，预置对准。 基板注视各自具有Substratfixierfläche（9），用于在每种情况下固定在一个基板（4,4“），每一个所述Substratfixierfläche（9）周围Trägerfixierfläche（8）或Trägerfixierbereich用于基板注视相互固定，其中特别地Trägerfixierfläche（8）或 Trägerfixierbereich磁化或可磁化，或者可替换地，衬底注视通过粘合剂的方式固定在一起，通过端子，连接器系统或静电。

公开(公告)号：WO2016060274A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/JP2015/079446

申请日：2015-10-19

Applicant: ボンドテック株式会社

Inventor： 山内　朗

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K20/023 ,  B23K20/233 ,  B23K20/24 ,  B23K37/0408 ,  B23K37/047 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L23/544 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/8003 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83908 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80009 ,  H01L2224/80121

Abstract: 【課題】基板どうしを接合する際に、基板どうしの間でのボイドの発生を防ぐとともに、ひずみを抑制して、高い位置精度で接合する。 【解決手段】第一の基板と第二の基板とを接合する方法であって、前記第一の基板及び前記第二の基板のそれぞれの接合面の表面に水又はＯＨ含有物質を付着させる親水化処理を行う工程と、前記第一の基板と前記第二の基板とを、前記接合面どうしを対向させて配置するとともに、前記第一の基板を、前記接合面の外周部に対して中央部が前記第二の基板側に突出するように撓ませる工程と、前記第一の基板の前記接合面と前記第二の基板の前記接合面とを、前記中央部どうしで突き合わせる工程と、前記中央部どうしが非接合状態を維持する圧力で突き合わせた状態で、前記第一の基板の外周部と前記第二の基板の外周部との距離を縮め、前記第一の基板の前記接合面と前記第二の基板の前記接合面とを全面で突き合わせる突き合わせ工程と、を備える基板どうしの接合方法。

Abstract translation: 为了将基板粘合在一起，防止在基板之间形成空隙，使应变最小化，并且以高位置精度进行接合。 [解决方案]一种将第一基板和第二基板结合在一起的方法，其中所述方法具有：进行亲水处理的步骤，其中使水或含OH物质粘附到各个键合物的表面 第一基板和第二基板的表面; 用于将所述第一基板和所述第二基板布置成使得所述接合表面彼此面对并且使所述第一基板偏转以使得所述中心部分相对于所述接合表面的外周部分朝向所述第二基板侧突出的步骤; 使第一基板的接合面和第二基板的接合面在中心部彼此抵接的步骤; 并且一旦使中心部分在非粘合状态的压力下彼此抵接，则使得第一基板的外周部分与第二基板的外周部分之间的距离减小的邻接步骤 并且使得第一基板的接合表面和第二基板的接合表面在整个表面上彼此邻接。