公开(公告)号：CN101925992A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201080001021.5

申请日：2010-02-12

申请人： 新日铁高新材料株式会社 ,  日铁新材料股份有限公司

发明人： 宇野智裕 ,  寺嶋晋一 ,  山田隆 ,  大石良 ,  小田大造

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04

CPC分类号： C22C5/02 ,  B32B15/018 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/12 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： 本发明的目的是提供可以兼备球接合性、线加工性，并能提高环路稳定性、扯拉强度、楔接合性的多层线。本发明的半导体用接合线，其特征在于，具有以Cu、Au、Ag中的1种以上的元素为主成分的芯材和在所述芯材上的以Pd为主成分的外层，在线整体中含有的总计的氢浓度为0.0001～0.008质量％的范围。

公开(公告)号：CN101513671B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910004404.7

申请日：2005-11-25

申请人： 同和控股(集团)有限公司

发明人： 藤野剛聡 ,  尾木孝造

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F9/24

CPC分类号： H01G4/0085 ,  B22F1/0011 ,  B22F9/24 ,  C01P2006/13 ,  C22C5/06 ,  H01B1/22 ,  H05K1/092 ,  Y10T428/12014

摘要： 本发明涉及银粉及其制造方法。在含银离子的水反应体系中加入还原剂，还原沉积出银颗粒后，干燥银颗粒获得银粉，该银粉在高于100℃但低于400℃温度进行热处理。热处理后的银粉在50-800℃的最大热膨胀系数不大于1.5％，且银粉由50℃加热至800℃时没有加热峰。所述银粉被灼烧直到在800℃银粉重量恒定时的银粉灼烧损失不大于1.0％。银粉的堆密度不小于2g/cm3，BET比表面积不大于5m2/g。

公开(公告)号：CN101689519A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880024022.4

申请日：2008-12-02

申请人： 新日铁高新材料株式会社 ,  株式会社日铁微金属

发明人： 宇野智裕 ,  木村圭一 ,  山田隆

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00

CPC分类号： C22C5/04 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3861 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20658 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： 本发明涉及半导体装置用接合引线。本发明的目的在于提供引线的表面性状、环路的直线性、环路高度的稳定性、引线的接合形状的稳定化优良也适用于细线化、窄间距化、长跨度化、三维安装等的半导体安装技术的高性能的接合引线。作为具有包括导电性金属的芯材、和在该芯材上以与芯材不相同的面心立方晶格的金属为主要成分的表皮层的半导体装置用接合引线，特征为：所述表皮层的表面中的长度方向的晶体取向 中， 所占的比例为50％以上。

公开(公告)号：CN100574014C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200480013394.9

申请日：2004-04-17

申请人： 艾米多杜科有限公司 ,  维兰德-工厂股份公司

发明人： 弗朗斯·卡斯帕尔 ,  约阿希姆·甘兹 ,  埃沙贝尔·布雷施

IPC分类号： H01R13/03

CPC分类号： H01R13/03 ,  B32B15/015 ,  B32B15/018 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  C22C38/00 ,  H01H1/023 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12896

摘要： 本发明公开了一种用于生产工作于可能出现电弧的标称电压下的机动车辆中的电气DC电源系统中的插入式连接器中的插入式接头的半成品，具有由非贵重金属材料制成的导电主体，其至少部分地承载比该主体材料贵重的材料的接触涂层。根据本发明，所提供的涂层的厚度至少为0.3μm，并且由具有不与银或基于银的合金形成合金的添加物的银或基于银的合金组成，最多形成沉积合金，并且其熔点比银更高。

公开(公告)号：CN101445913A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810161076.7

申请日：2008-09-26

申请人： 株式会社钢臂功科研

发明人： 松崎均

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14

摘要： 本发明提供一种可用于形成面内均匀性非常优良的Ag系薄膜的Ag系溅射靶及Ag系薄膜。Ag系薄膜的Ag系溅射靶，在通过下述步骤(1)～(3)测定Ag系溅射靶的溅射面的平均晶粒直径dave时，平均晶粒直径dave在10μm以下，步骤(1)在溅射面的面内任意选择多个部位，以40～2000倍的倍率拍摄所选择的各部位的显微镜照片；步骤(2)对各显微镜照片，以井字状或放射线状画4条以上的直线，调查直线上的晶界数量n，对每条直线基于式d＝L/n/m算出晶粒直径d，式中，L表示直线的长度，n表示直线上的晶界数量，m表示显微镜照片的倍率；步骤(3)将所有选择部位的晶粒直径d的平均值作为溅射面的平均晶粒直径dave。

公开(公告)号：CN101376963A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810212643.7

申请日：2008-08-27

申请人： 株式会社钢臂功科研 ,  索尼碟片数位解决方案股份有限公司

发明人： 田内裕基 ,  松崎均 ,  大川直树

IPC分类号： C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F2003/244 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0466 ,  C22C5/06 ,  B22F3/24

摘要： 本发明涉及一种Ag－基合金溅射靶，所述Ag－基合金溅射靶包含总量为1至15重量％的选自Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al和Si的至少一种元素，其中所述Ag－基合金溅射靶在其溅射表面上具有2μm以上的算术平均粗糙度(Ra)以及20μm以上的最大高度(Rz)。

公开(公告)号：CN100408256C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200610097768.0

申请日：2006-11-26

申请人： 常熟市华银焊料有限公司

发明人： 顾文华 ,  顾立勇 ,  薛松柏 ,  顾建昌

IPC分类号： B23K35/30 ,  B23K35/28

CPC分类号： B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08

摘要： 一种含镓、铟、镍和铈的无镉银钎料，属于金属材料类及冶金领域的钎焊材料。其化学成分按质量百分数配比为：28.0%～35.0%的铜，28.0%～38.0%的锌，0.1%～2.5%的镓，0.1%～2.5%的铟，0.1%～2.5%的镍，0.002%～0.1%的铈，其余为银。优点：使用安全和有利于环保；可替代BAg35CuZnCd、BAg45CuZnCd银钎料；对母材具有良好的润湿性、铺展性和钎缝力学性能(σb、τ)；加入了适量的镓和铟，对原材料成本增加不多的情况下能降低本发明的钎料的熔点；加入适量的镍，改善钎料在紫铜、黄铜、碳钢、不锈钢以及镍基合金上的润湿性和钎焊接头的抗腐蚀性能，同时加入稀土元素铈，得以细化钎料的晶粒，提高钎料的塑性和综合力学性能。

公开(公告)号：CN1901055A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610107508.7

申请日：2006-07-20

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 藤井秀夫 ,  田内裕基 ,  中井淳一

IPC分类号： G11B7/24 ,  G11B7/258 ,  C22C5/06

CPC分类号： C23C14/165 ,  C22C5/06 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/256 ,  G11B7/258 ,  G11B7/259 ,  Y10T428/21

摘要： Ag合金反射膜含有作为组分的X1，并且具有位于距反射膜表面深2nm之内的区域中的富集层，其中组分X1以比X1在整个反射膜中的平均浓度更高的浓度富集在富集层内，其中X1是选自由下列元素组成的组中的至少一种合金元素：Bi、Si、Ge、Pb、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Tl、Sn、As和Sb。所述反射膜具有作为反射膜的稳定且优异的基本性质，比如初始反射率和耐久性，并且进一步满足诸如激光标记适应性之类的要求。光学信息记录介质包括所述反射膜，而且性能优异。

公开(公告)号：CN1901053A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610101951.3

申请日：2006-07-11

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 田内裕基 ,  中井淳一 ,  藤井秀夫

IPC分类号： G11B7/24 ,  G11B7/258 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/165 ,  C22C5/06 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/258 ,  G11B7/259 ,  Y10T428/21

摘要： 一种银合金反射膜被用于光学信息记录介质，并包含作为主成分的银、总共1－10原子％的至少一种稀土元素，和总共1－15原子％的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种，其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子％或更高。该银合金反射膜优选还包含0.01－3原子％的Bi和Sb中的至少一种。银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。

公开(公告)号：CN1826198A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480020988.2

申请日：2004-07-15

申请人： 三井金属矿业株式会社

发明人： 佐佐木卓也 ,  加藤政志 ,  吉丸克彦

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F9/24

CPC分类号： C22C5/06 ,  B22F9/24

摘要： 本发明目的在于提供一种以往没有的微粒银粉，该微粒银粉具有粉粒的凝聚少且更加接近单分散的分散性，并且杂质量少。为了达到上述目的，通过使银氨络合物水溶液S1流经规定的流路(以下称之为“第一流路”)、设置合流在第一流路的途中的第二流路b、通过该第二流路b流入有机还原剂以及根据需要的添加剂S2、在第一流路a和第二流路b的合流点m上进行接触混合并还原析出，用过量乙醇进行洗涤，从而得到a.根据扫描型电子显微镜图像的图像分析所得到的一次粒子的平均粒径D1A为0.6μm以下；b.微晶直径为10nm以下；c.烧结开始温度为240℃以下；d.碳含量为0.25wt％以下的、具有以往没有的粉体特性的微粒银粉。