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公开(公告)号：CN107078056A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052391.4
申请日：2015-09-28
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/00 , H01L23/522 , H01L23/538 , H01L27/00 , H01L27/04 , H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/369
CPC分类号： H01L23/5225 , H01L21/3205 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/00 , H01L23/49822 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L23/538 , H01L27/00 , H01L27/0207 , H01L27/04 , H01L27/146 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14806 , H01L2225/06537 , H01L2924/0002 , H01L2924/3025 , H04N5/357 , H04N5/369 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种能够抑从一个基板中产生的噪音对另一个基板造成的影响的层叠型装置、制造方法和电子设备。在一个基板的接合面上形成第一金属层，在与所述一个基板层叠的另一个基板的接合面上形成第二金属层。通过接合一个基板的金属层和另一个基板的金属层并由此固定电位，在一个基板和另一个基板之间形成用于阻断电磁波的电磁波屏蔽结构。例如，本发明可以应用于例如层叠型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN107039472A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610948687.0
申请日：2016-10-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14685 , H01L27/146
摘要： 本公开提供一种图像传感器以及包括该图像传感器的电子装置。电子装置可以包括至少一个图像传感器，该图像传感器包括：多个光感测器件；光电器件，在半导体基板的一侧并配置为选择性地感测第一可见光；以及多个滤色器，分别在相应的光感测器件上。该多个滤色器可以包括：第一滤色器，配置为选择性地透射不同于第一可见光的第二可见光；和第二滤色器，透射包括第二可见光的第一混合光。该电子装置可以包括多个滤色器单元阵列。该电子装置可以包括在不同的滤色器单元阵列上的不同光电器件。不同的光电器件可以配置为感测不同波长谱的光。
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公开(公告)号：CN103579270B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201310329302.9
申请日：2013-07-31
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/8238 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/146 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685
摘要： 本发明涉及能够抑制硅基板中界面的界面状态劣化的使用互补金属氧化物半导体（CMOS）的背照射式图像传感器、包括所述图像传感器的成像装置以及用于制造所述图像传感器的装置及方法，所述背照射式图像传感器包括：光接收单元，其形成于半导体基板中，并且用于接收入射光；抗反射膜，其形成于其中形成有所述光接收单元的所述半导体基板的背面侧上；以及氧化硅膜，其形成于所述抗反射膜的背面侧上，所述氧化硅膜具有低于氮化硅膜的折射率且其背面侧中的密度高于其正面侧中的密度。
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公开(公告)号：CN103988493B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201280060354.4
申请日：2012-11-20
申请人： 富士胶片株式会社
CPC分类号： G01T1/247 , A61B6/42 , A61B6/4233 , A61B6/4283 , A61B6/5258 , A61B6/54 , G01T1/17 , G01T1/208 , H01L27/146 , H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/14658 , H01L27/14676 , H01L27/14806 , H03K21/38 , H04N5/32 , H04N5/343 , H04N5/3741 , H04N5/37457 , H04N5/378
摘要： 一种放射线图像拍摄控制装置，具备：放射线检测器，排列有多个像素，所述像素包括传感器部和开关元件构成，所述传感器部产生与照射的放射线对应的电荷，所述开关元件用于读出该传感器部产生的电荷；放大单元，与所述放射线检测器的各像素对应设置，设置有对积分电容器中残留的电荷进行复位的复位单元，并且以预先确定的放大率放大所述开关元件从对应像素读出的电荷所产生的电信号；以及控制单元，控制为根据预先确定的条件，在进行所述复位单元的复位的至少部分期间内，改变向放大单元供给的偏置电流。
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公开(公告)号：CN106935602A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610849265.8
申请日：2016-09-26
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L21/563 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L27/146 , H01L27/14601 , H01L27/14683
摘要： 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、间隔元件与高度增加件，晶片具有影像感测区及相对的第一表面与第二表面，影像感测区位于第一表面上，间隔元件位于第一表面上且围绕影像感测区，高度增加件位于间隔元件上，使得间隔元件位于高度增加件与晶片之间。本发明可避免影像感测区接收到外部杂乱的光线而造成干扰，且不易产生眩光。
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公开(公告)号：CN106920810A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201611131894.3
申请日：2016-12-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/146 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14683
摘要： 本发明的实施例提供了背照式(BSI)图像传感器器件，该器件被描述为具有形成在牺牲衬底上的像素隔离结构。感光层外延生长在像素隔离结构上方。在感光层中邻近像素隔离结构形成辐射检测区域。像素隔离结构包括介电材料。辐射检测区域包括光电二极管。通过牺牲衬底的平坦化去除产生BSI图像传感器器件的背侧表面以物理暴露像素隔离结构或至少光学暴露感光层。本发明的实施例还提供了一种用于制造图像传感器器件的方法。
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公开(公告)号：CN103996684B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410217743.4
申请日：2014-05-20
申请人： 格科微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/34 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC分类号： H01L27/14687 , G02B1/11 , G02B5/208 , H01L24/45 , H01L27/146 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14649 , H01L27/14685 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要： 本发明公开了一种CMOS图像传感器结构及其封装方法，该方法包括如下步骤：提供经过研磨及切割后的图像传感器芯片和透明的封装基板，所述图像传感器芯片的正面有图像感应区和环绕所述图像感应区的焊盘区域；键合金属导线的第一端于图像传感器芯片的焊盘上，另一端悬空于图像传感器芯片焊盘的侧边外部；使用粘结方法使透明的封装基板与具有键合金属导线的图像传感器芯片形成一个可以通过外露悬空键合金属导线进行SMT或压焊组装的图像传感器封装件的方法。本发明可选择的采用辅助基板并将光学玻璃与图像传感器芯片直接固定，并通过金属导线直接与电路板连接。使用这种封装方法的图像传感器产品具有更优越的性能、可靠性及超低的封装成本。
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公开(公告)号：CN106847936A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611120663.2
申请日：2016-12-07
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/18
CPC分类号： H01L23/562 , H01L23/15 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L27/146 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/024 , H01L31/1804 , H01L2224/13144 , H01L2224/13166 , H01L2224/16235 , H01L2224/81203 , H01L2924/10253 , H01L2924/12043 , H01L2924/15788 , H01L2924/3512 , Y02P70/521 , H01L31/02002 , H01L31/18
摘要： 公开了一种基于金属键合的光电器件封装结构及其制造方法。根据实施例，一种光电器件封装结构可以包括光电芯片和封装基底。光电芯片包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；在衬底上形成的光电器件；以及在第一表面上形成的用于光电器件的电极。封装基底具有彼此相对的第一表面和第二表面，并包括从第一表面延伸到第二表面的导电通道。光电芯片以其第一表面面向封装基底的方式与封装基底叠置在一起，且光电芯片的第一表面上形成的电极与封装基底中的相应导电通道键合在一起。
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公开(公告)号：CN106601761A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610590141.2
申请日：2016-07-25
申请人： 采钰科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N9/077 , G02B3/005 , G02B5/201 , G02B5/208 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H04N5/332 , H04N5/374 , H04N9/045 , H01L27/146 , H01L27/14601
摘要： 一种具有黄色滤光单元的影像感测器，包括用以感测一光束的一感测层以及多个像素群组。每一像素群组包括一黄色滤光单元、一绿色滤光单元、以及一蓝色滤光单元。黄色滤光单元允许光束的一绿光组成以及一红光组成通过。绿色滤光单元允许光束的绿光组成通过。蓝色滤光单元允许光束的一蓝光组成通过。
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公开(公告)号：CN103648363B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201280032569.5
申请日：2012-05-14
申请人： 德普伊辛迪斯制品公司
发明人： 洛朗·布朗卡尔 , 乔舒亚·D·塔尔伯特 , 杰雷米亚·D·亨利 , 唐纳德·M·维歇恩
IPC分类号： A61B1/04
CPC分类号： A61B1/051 , A61B1/00009 , A61B1/0676 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L27/124 , H01L27/146 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L2924/0002 , H01L2924/381 , H04N5/2256 , H04N5/3742 , H04N5/37455 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N2005/2255 , H01L2924/00
摘要： 公开了具有混合成像传感器的实施例的内窥镜装置，其中，该混合成像传感器在堆叠的基板之间使用相关电路与最小化的纵向互连的放置的堆叠方案和其他特征来优化基板上的像素阵列区域。公开了最大化的像素阵列尺寸/裸片尺寸（区域最优化）实施例，并且还公开了最优化的成像传感器，该成像传感器为共用与数字成像行业的具体应用提供改进的图像质量、改进的功能和改进的形状因素。上述实施例可以包括用于在列中错开ADC或者列电路凸块的系统、方法和处理，或者还公开了使用纵向互连的子列混合图像传感器。
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