公开(公告)号：CN102217077B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN200980146099.3

申请日：2009-11-09

申请人： 美光科技公司

发明人： 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L29/861

CPC分类号： H01L29/88 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/1021 ,  Y10S438/957

摘要： 本发明揭示包括开放体积的选择装置，所述开放体积用作具有低介电常数的高带隙材料。所述开放体积可在所述选择装置中提供较非线性、不对称的I-V曲线及增强的整流行为。所述选择装置可包含(举例来说)金属绝缘体绝缘体金属(MIIM)装置。可使用各种方法来形成选择装置及包括此类选择装置的存储器系统。存储器装置及电子系统包括此类选择装置。

公开(公告)号：CN102664193A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210096583.3

申请日：2012-04-01

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 郑在纹 ,  黄秋平 ,  林盛实 ,  金童燮 ,  徐朝焕 ,  徐华伟 ,  陈正伟 ,  薛建设

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种导电结构及制造方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。其中所述导电结构包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。本发明利用多层导电结构阻止外部离子扩散进入铜层以及铜层铜离子的向外扩散，从而减少离子扩散对铜金属层的电学性能和化学耐腐蚀性能的不良影响，同时，由于阻挡层与衬底基板或半导体层之间具有良好的粘附性，能够提高导电结构的粘合稳固程度；并且，该导电结构中的各个层都具有类似的刻蚀选择性，有利于对多层导电结构的刻蚀/图案化处理。

公开(公告)号：CN102361004A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110379185.8

申请日：2002-09-09

申请人： 应用材料有限公司

发明人： 程华 ,  陈凌 ,  于基科 ,  常美

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： C23C14/06 ,  C23C30/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明一般地涉及通过沉积阻挡层、在阻挡层上沉积籽层和在籽层上沉积导电层来填充特征。在一个实施方式中，籽层包括沉积在阻挡层上的铜合金籽层。例如，铜合金籽层可以包括铜和金属，如铝、镁、钛、锆、锡及其组合。在另一个实施方式中，籽层包括沉积在阻挡层上的铜合金籽层和沉积在铜合金籽层上的第二籽层。铜合金籽层可以包括铜和金属，如铝、镁、钛、锆、锡及其组合。第二籽层可以包括金属，如非掺杂铜。在仍另一个实施方式中，籽层包括第一籽层和第二籽层。第一籽层可以包括金属，如铝、镁、钛、锆、锡及其组合。第二籽层可以包括金属，如非掺杂铜。

公开(公告)号：CN100474535C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN03823916.7

申请日：2003-09-19

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： J·霍滋 ,  K·舍弗 ,  H·图斯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41783

摘要： 本发明涉及一种具有局部源极/漏极绝缘的场效晶体管，以及一种相关的制造方法，其中，一源极凹陷(SV)以及一源极凹陷(DV)乃于一半导体基板(1)中彼此间隔的方式形成，一凹陷绝缘层(VI)乃至少会形成于该等源极以及漏极凹陷(SV，DV)的一底部区域中，以及一导电填充层(F)，其用于实现源极以及漏极区域(S，D)并填满该等源极以及漏极凹陷(SV，DV)。并且，伴随者一栅极介电质(3)以及一栅极层(4)而具有降低的接面电容的场效晶体管乃可由所述方法中获得。

公开(公告)号：CN1689149A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03823916.7

申请日：2003-09-19

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： J·霍滋 ,  K·舍弗 ,  H·图斯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41783

摘要： 本发明涉及一种具有局部源极/漏极绝缘的场效晶体管，以及一种相关的制造方法，其中，一源极凹陷(SV)以及一源极凹陷(DV)乃于一半导体基板(1)中彼此间隔的方式形成，一凹陷绝缘层(VI)乃至少会形成于该等源极以及漏极凹陷(SV，DV)的一底部区域中，以及一导电填充层(F)，其用于实现源极以及漏极区域(S，D)并填满该等源极以及漏极凹陷(SV，DV)。并且，伴随者一栅极介电质(3)以及一栅极层(4)而具有降低的接面电容的场效晶体管乃可由所述方法中获得。

公开(公告)号：CN108886055A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780017010.8

申请日：2017-02-02

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 须贺原和之 ,  冈部博明 ,  吉田基

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及半导体装置，具备：半导体层，配置于半导体基板上；第1半导体区域，设置于半导体层的上层部；第2半导体区域，设置于第1半导体区域的上层部；栅极绝缘膜；栅电极；第1主电极，设置于覆盖栅电极的层间绝缘膜上，经由接触孔而与第2半导体区域电连接；以及第2主电极，配置于半导体基板的第2主面上，第1主电极具有：基底电极膜，经由接触孔而与第2半导体区域连接；以及铜膜，设置于基底电极膜上，铜膜在至少一部分中包括其晶体粒径比铜膜的其它部分小的应力缓和层。

公开(公告)号：CN108604592A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680080729.1

申请日：2016-11-02

申请人： 索尼公司

发明人： 富樫秀晃 ,  中西康辅

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H04N5/369

CPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369

摘要： 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在半导体基板的第一表面侧；贯通电极，其通过在半导体基板的厚度方向上贯通半导体基板而设置，并将在半导体元件中获得的电荷引入半导体基板的第二表面侧；以及放大晶体管，其基于由贯通电极如此引入的电荷而输出电信号，放大晶体管将贯通电极用作栅电极并包括贯通电极周围的源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：CN108496244A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780008343.4

申请日：2017-01-16

申请人： 夏普株式会社

发明人： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC分类号： H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

CPC分类号： G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

摘要： 半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102)，第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上，第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35)，配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上，并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触，第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构，在第2层间绝缘层的开口的下方，上层(25u)具有第1开口部，主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部，当从基板的法线方向观看时，第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。

公开(公告)号：CN108475637A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079077.X

申请日：2016-01-21

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 野田麻奈美 ,  木村光太

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

摘要： 在沟槽(4)形成有栅极电极(10)，该沟槽(4)形成于半导体衬底(3)。以将栅极电极(10)等覆盖的方式形成有栅极层间绝缘膜(11)。以与栅极层间绝缘膜(11)接触的方式形成有栅极配线(15)以及发射极电极(17)。以将栅极配线(15)以及发射极电极(17)覆盖的方式形成有玻璃涂层膜(19)以及聚酰亚胺膜(21)。以将聚酰亚胺膜(21)覆盖的方式形成有焊料层(25)。栅极配线(15)以及发射极电极(17)例如由钨膜(14)形成。

公开(公告)号：CN108352321A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201580084162.0

申请日：2015-10-28

申请人： 奥林巴斯株式会社

发明人： 巢山拓郎

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

摘要： 半导体装置(1)具有：半导体元件(10)，其在第一主面(10SA)形成有半导体电路(11)，在第二主面(10SB)具有通孔(H10)，该通孔(H10)具有开口；第一布线(21A)，其配设于所述半导体元件(10)的所述第一主面(10SA)，与所述半导体电路(11)连接，该第一布线(21A)的一部分在所述通孔(H10)的底面露出；第一绝缘层(22A)，其覆盖所述第一布线(21A)；以及再布线(30)，其从在所述通孔(H10)的底面与所述第一布线(21A)接触的触头部(30A)经由所述通孔(H10)的内部延伸设置至所述第二主面(10SB)上，在所述第一布线(21A)上形成有第一贯通孔(H21A)，所述触头部(30A)与所述第一布线(21A)的多个面接触。