公开(公告)号：CN101630669A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200810135819.3

申请日：2008-07-14

申请人： MK电子株式会社

发明人： 曹宗秀 ,  文晶琸

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L2224/05554 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供了一种半导体封装，所述半导体封装利用可相对贵重金属保持优良的可靠性的Ag或Ag合金引线，并降低其制造成本。该半导体封装包括半导体衬底。半导体芯片连接到封装衬底，并具有包括贵重金属的一个或多个垫。并且一条或多条引线结合，以便使包括Ag或Ag合金的一个或多个垫与封装衬底电连接。

公开(公告)号：CN106119590A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610225123.4

申请日：2016-04-12

申请人： MK电子株式会社

发明人： 张教授 ,  金相烨 ,  许永一 ,  洪性在

IPC分类号： C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005 ,  H01L24/43 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01012

摘要： 本发明公开了一种银合金接合线及其制造方法，所述银合金接合线包含：约1至约20重量(wt)％的第一添加元素；约3至约100wt ppm的第二添加元素；和余量银(Ag)，其中第一添加元素包括金(Au)、钯(Pd)或它们的合金，所述第二添加元素包括选自以下各项中的至少一项：钙(Ca)、镧(La)、铍(Be)、锗(Ge)、镍(Ni)、铋(Bi)、钇(Y)、锰(Mn)、锡(Sn)、钛(Ti)、铁(Fe)、铜(Cu)和镁(Mg)，银合金接合线的伸长率在约15％至约25％范围内，并且银合金接合线的杨氏模量在约60GPa至约80GPa范围内。

公开(公告)号：CN105810652A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610031012.X

申请日：2016-01-18

申请人： MK电子株式会社

发明人： 朴钟珉 ,  许永一 ,  金承贤 ,  洪性在 ,  文晶琸

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45644

摘要： 本发明涉及一种接合线，其包含：线芯，其含有作为主要组分的银(Ag)和至少一种选自铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、锇(Os)、金(Au)和镍(Ni)中的元素，和在线芯的外表面上形成的金(Au)材料的涂层。

公开(公告)号：CN105392594A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480022154.9

申请日：2014-01-10

申请人： MK电子株式会社

发明人： 洪性在 ,  许永一 ,  金载善 ,  李钟哲 ,  文晶琸

IPC分类号： B23K35/30 ,  B23K35/18

CPC分类号： B23K35/30 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/3006 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/4554

摘要： 本发明构思涉及一种以银作为主组分的银合金接合线，且更具体地，涉及一种银合金接合线，其包含约1重量％至约4重量％的钯，并且“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”在约0.3至约3的范围内。本发明构思提供了具有出色的焊接特性焊球成形性和凸点上针脚(SOB)焊接性能且成本低廉的接合线。

公开(公告)号：CN104781920A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380057629.3

申请日：2013-09-04

申请人： MK电子株式会社

发明人： 金相烨 ,  文晶琸 ,  洪性在 ,  金承贤

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  B23K35/40 ,  B23K35/404 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/43 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049

摘要： 本发明涉及一种半导体器件用接合线及其制造方法，并且更具体地，涉及包括以下步骤的半导体器件用接合线的制造方法：在具有第一金属作为主要组分的芯材料上形成具有第二金属作为主要组分的第一涂层；对在其上形成了所述第一涂层的所述芯材料进行拉线；以及在已经完成了所述拉线的所述芯材料和所述第一涂层上形成具有第三金属作为主要组分的第二涂层。当使用本发明的接合线和其制造方法时，可以降低对芯片的损害，同时防止芯材料暴露，并且提高耐酸性和第二侧面的接合性。

公开(公告)号：CN104690440A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410725376.9

申请日：2014-12-03

申请人： MK电子株式会社 ,  湖西大学校产学协力团 ,  韩国科学技术院 ,  韩国生产技术研究院 ,  电子部品研究院

发明人： 洪性在 ,  金槿铢 ,  李昌祐 ,  方政丸 ,  高溶浩 ,  李爀模 ,  张宰源 ,  具滋显 ,  文晶琸 ,  李荣佑 ,  洪湲植 ,  金辉中 ,  李在洪

IPC分类号： B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  B23K101/42

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/025 ,  B23K2101/40 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  B23K35/362

摘要： 所提供的是无铅焊料、焊料膏和半导体器件，并且更具体地，一种无铅焊料，所述无铅焊料包含在约0.1重量％至约0.8重量％的范围内的Cu，在约0.001重量％至约0.1重量％的范围内的Pd，在约0.001重量％至约0.1重量％的范围内的Al，在约0.001重量％至约0.1重量％的范围内的Si，以及Sn和不可避免的杂质作为余量，焊料膏和半导体器件包括所述无铅焊料。所述的无铅焊料和所述焊料膏是环境友好的并且具有高的高温稳定性和高可靠性。

公开(公告)号：CN104094455A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280068592.X

申请日：2012-11-28

申请人： MK电子株式会社

发明人： 洪淳晧 ,  曺宗秀 ,  文晶琸

IPC分类号： H01M4/38 ,  H01M4/134 ,  H01M10/05

CPC分类号： H01M4/386 ,  H01M10/052 ,  H01M4/134

摘要： 本发明提供了一种可以提供诸如高容量与高效率的充电与放电特性的用于二次电池的阳极活性材料。用于二次电池的阳极活性材料包括：多于0at％(原子百分比)到30at％的第一元素组；多于0at％到20at％的第二元素组；硅与其它不可避免杂质的平衡物，其中，第一元素组包括铜(Cu)、铁(Fe)或其混合物，并且第二元素组包括钛(Ti)、镍(Ni)、锰(Mn)、铝(Al)、铬(Cr)、钴(Co)、锌(Zn)、硼(B)、铍(Be)、钼(Mo)、钽(Ta)、钠(Na)、锶(Sr)、磷(P)或其混合物。

公开(公告)号：CN103999269A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280061895.9

申请日：2012-11-28

申请人： MK电子株式会社

发明人： 洪淳晧 ,  曺宗秀 ,  文晶琸

IPC分类号： H01M4/38 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M10/052

CPC分类号： H01M4/364 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M10/052

摘要： 本发明提供一种用于二次电池的阳极活性材料，该材料能够提供高容量高效率充电和放电特征。根据本发明的一个实施方式的二次电池的阳极活性材料包括：单相硅和围绕所述单相硅分布的硅金属合金相，其中该硅金属合金相包括铜、铁、钛和镍。

公开(公告)号：CN103165559A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210543999.5

申请日：2012-12-14

申请人： MK电子株式会社

发明人： 李荣佑 ,  李林馥 ,  洪性在 ,  文晶琸

IPC分类号： H01L23/488 ,  C22C13/00

CPC分类号： B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供基于锡(Sn)的焊球和包含所述基于锡(Sn)的焊球的半导体封装。该基于锡的焊球包含约0.2至4重量％银(Ag)，约0.1至1重量％铜(Cu)，约0.001至0.3重量％铝(Al)，约0.001％至0.1重量％锗(Ge)，以及余量的锡和不可避免的杂质。该基于锡的焊球具有高耐氧化性。

公开(公告)号：CN105745339A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480048613.0

申请日：2014-09-04

申请人： MK电子株式会社

发明人： 金相烨 ,  许永一 ,  李钟哲 ,  金承贤 ,  文晶琸

IPC分类号： C22C5/06 ,  H01L21/301

CPC分类号： C22C5/06 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01049

摘要： 含有银(Ag)作为主要组分并且含有钯(Pd)和金(Au)的银合金接合线，其中钯(Pd)含量是约0.1重量％至约4.0重量％，并且金(Au)与钯(Pd)的重量含量比是约0.25至约1.0。银合金接合线的使用改善了接合球形状和在线尖端上形成的球的球形均匀性，并且提供了优异的可靠性、焊环线性度和接合强度。