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公开(公告)号：CN106132909B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201580015352.7
申请日：2015-06-25
申请人： 三菱综合材料株式会社
摘要： 本发明提供一种接合陶瓷部件和铝部件而成的陶瓷‑铝接合体的制造方法，接合前的所述铝部件由纯度99.0质量%以上且99.9质量%以下的铝构成，该制造方法具备：在400℃以上且小于固相线温度的范围对所述铝部件进行热处理的热处理工序；以及通过含有Si的钎料接合所述热处理工序后的所述铝部件与所述陶瓷部件的接合工序。
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公开(公告)号：CN104813466B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201380061034.5
申请日：2013-12-03
申请人： 三菱综合材料株式会社
发明人： 石塚博弥
CPC分类号： H05K3/20 , B23K1/0016 , B23K1/19 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C04B2237/704 , H01L21/4871 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K2203/04 , H01L2924/00
摘要： 本发明在散热器接合时抑制陶瓷基板与散热层的剥离。本发明为一种在陶瓷基板(11)的一面接合由铜构成的电路层(12)，且在陶瓷基板(11)的另一面接合由铝构成的散热层(13)的功率模块用基板(10)的制造方法，其具备：电路层接合工序，在陶瓷基板(11)上将电路层(12)钎焊接合；表面处理工序，在电路层接合工序之后，使陶瓷基板(11)的所述另一面的氧化膜厚度，至少在陶瓷基板(11)与散热层(13)的接合预定区域的周缘部，成为3.2nm以下；及散热层接合工序，在表面处理工序之后，在陶瓷基板(11)的所述另一面将散热层(13)钎焊接合。
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公开(公告)号：CN101849445B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880114640.8
申请日：2008-11-06
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： B23K1/20 , C04B35/584 , C04B37/026 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/96 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/52 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4807 , H01L21/481 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/0306 , H05K3/0029 , H05K3/0052 , H05K3/38 , H05K3/381 , H05K2201/0355 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , H05K2203/095 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
摘要： 含有硅的陶瓷基板，该基板表面的二氧化硅和硅的复合氧化物的浓度为2.7Atom％以下。
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公开(公告)号：CN106132909A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015352.7
申请日：2015-06-25
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： H01L23/3735 , B32B9/005 , B32B37/06 , B32B2309/105 , C04B37/02 , C04B37/025 , C04B2237/16 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/525 , C04B2237/60 , C04B2237/706 , H01L21/4864 , H01L21/4882 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L2224/32225
摘要： 本发明提供一种接合陶瓷部件和铝部件而成的陶瓷‑铝接合体的制造方法，接合前的所述铝部件由纯度99.0质量%以上且99.9质量%以下的铝构成，该制造方法具备：在400℃以上且小于固相线温度的范围对所述铝部件进行热处理的热处理工序；以及通过含有Si的钎料接合所述热处理工序后的所述铝部件与所述陶瓷部件的接合工序。
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公开(公告)号：CN104205324A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380016243.8
申请日：2013-03-29
申请人： 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H05K7/209 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/286 , C04B37/026 , C04B2235/6584 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029
摘要： 本发明的自带散热器的功率模块用基板具备：功率模块用基板，在绝缘层的一面配设有电路层；及散热器，被接合在该功率模块用基板的另一面侧，其中所述散热器的接合面及所述功率模块用基板的接合面分别由铝或铝合金构成，在所述散热器与所述功率模块用基板的接合界面形成有接合层(50)，该接合层(50)通过包含Mg的含Mg化合物(52)分散在Al-Si共晶组织中而成，其中，该含Mg化合物不包含MgO，接合层(50)的厚度t被设在5μm以上80μm以下的范围内。
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公开(公告)号：CN101971329A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980109188.0
申请日：2009-03-11
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L2224/32225 , Y10T29/49126 , Y10T29/49227
摘要： 本发明涉及带散热片的功率模块用基板及其制造方法、以及带散热片的功率模块、功率模块用基板。该带散热片的功率模块用基板具有：功率模块用基板(11)，该功率模块用基板(11)具有具备第一面(12a)以及第二面(12b)的绝缘基板(12)、在所述第一面(12a)形成的电路层(13)、在所述第二面(12b)形成的金属层(14)；散热片(17)，与所述金属层(14)直接接合，对所述功率模块用基板(11)进行冷却，其中，在使所述电路层(13)的厚度为A、使所述金属层(14)的厚度为B的情况下，比率B/A设定在1.5≤B/A≤20的范围内。
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公开(公告)号：CN105900189B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201580003821.3
申请日：2015-01-07
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： H01C1/084 , H01C1/01 , H01C1/14 , H01C1/142 , H01C1/144 , H01C17/006 , H01C17/28 , H01C17/281 , H01C17/283 , H01L2224/40 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 该电阻器中，散热器(Al部件)(23)与陶瓷基板(11)的另一面(11b)通过Al‑Si系钎料接合。Al‑Si系钎料的熔点为600～700℃左右。通过使用这种Al‑Si系钎料接合散热器(23)与陶瓷基板(11)，能够同时防止耐热性的劣化及接合时的热劣化。
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公开(公告)号：CN101849445A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114640.8
申请日：2008-11-06
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： B23K1/20 , C04B35/584 , C04B37/026 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/96 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/52 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L21/4807 , H01L21/481 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/0306 , H05K3/0029 , H05K3/0052 , H05K3/38 , H05K3/381 , H05K2201/0355 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , H05K2203/095 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
摘要： 含有硅的陶瓷基板，该基板表面的二氧化硅和硅的复合氧化物的浓度为2.7Atom％以下。
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公开(公告)号：CN104205324B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201380016243.8
申请日：2013-03-29
申请人： 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H05K7/209 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/286 , C04B37/026 , C04B2235/6584 , C04B2237/121 , C04B2237/128 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029
摘要： 本发明的自带散热器的功率模块用基板具备：功率模块用基板，在绝缘基板的一面配设有电路层；及散热器，被接合在该功率模块用基板的另一面侧，其中所述散热器的接合面及所述功率模块用基板的接合面分别由铝或铝合金构成，在所述散热器与所述功率模块用基板的接合界面形成有接合层(50)，该接合层(50)通过包含Mg的含Mg化合物(52)分散在Al‑Si共晶组织中而成，其中，该含Mg化合物不包含MgO，接合层(50)的厚度t被设在5μm以上80μm以下的范围内。
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公开(公告)号：CN105900189A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201580003821.3
申请日：2015-01-07
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： H01C1/084 , H01C1/01 , H01C1/14 , H01C1/142 , H01C1/144 , H01C17/006 , H01C17/28 , H01C17/281 , H01C17/283 , H01L2224/40 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 该电阻器中，散热器(Al部件)(23)与陶瓷基板(11)的另一面(11b)通过Al?Si系钎料接合。Al?Si系钎料的熔点为600～700℃左右。通过使用这种Al?Si系钎料接合散热器(23)与陶瓷基板(11)，能够同时防止耐热性及接合时的热劣化。
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