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公开(公告)号：CN104037142B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310224396.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/10165 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。
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公开(公告)号：CN103794568B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310071559.9
申请日：2013-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/4853 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83385 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种集成电路，包括在顶面上方具有至少一个凹陷的衬底。至少一个焊料凸块设置在衬底上方。管芯设置在至少一个焊料凸块上方并通过至少一个焊料凸块与衬底电连接。底部填充物环绕至少一个焊料凸块并形成在衬底和管芯之间。至少一个凹陷设置在底部填充物周围以使来自底部填充物的任意溢出物保留在至少一个凹陷中。本发明还提供了集成电路底部填充方案。
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公开(公告)号：CN104037142A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310224396.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/10165 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中，一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。
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公开(公告)号：CN103794568A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310071559.9
申请日：2013-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/4853 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83385 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种集成电路，包括在顶面上方具有至少一个凹陷的衬底。至少一个焊料凸块设置在衬底上方。管芯设置在至少一个焊料凸块上方并通过至少一个焊料凸块与衬底电连接。底部填充物环绕至少一个焊料凸块并形成在衬底和管芯之间。至少一个凹陷设置在底部填充物周围以使来自底部填充物的任意溢出物保留在至少一个凹陷中。本发明还提供了集成电路底部填充方案。
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