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公开(公告)号：CN110010503A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811487556.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/64
Abstract: 根据本发明的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括在第一介电层上方形成金属杆，在第一介电层上方附接第二介电层，将器件管芯、第二介电层、屏蔽结构和金属杆密封在密封材料中，平坦化密封材料以暴露器件管芯、屏蔽结构和金属杆，并且形成电连接至器件管芯的天线。天线具有与器件管芯的部分垂直对准的部分。根据本发明的实施例还提供了另一种形成半导体器件的方法以及一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN104037142A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310224396.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/10165 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中，一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。
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公开(公告)号：CN103855114A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310161102.7
申请日：2013-05-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L23/538 , H01L25/16 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/24 , H01L21/481 , H01L21/4885 , H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92125 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H05K1/181 , H05K2201/049 , H05K2201/10378 , H05K2201/10515 , H05K2201/10734 , H05K2201/2036 , Y02P70/611 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了用于封装管芯的具有阻拦件的中介层的方法和装置。中介层可以包括位于衬底上方的金属层。一个或多个阻拦件可以形成在金属层上方。阻拦件围绕一区域，该区域的尺寸大于可以被连接至该区域内的金属层上方的接触焊盘的管芯的尺寸。阻拦件可以包含导电材料或非导电材料，或两者都包含。底部填充物可以形成在管芯下方、金属层上方且包含在阻拦件所围绕的区域内，从而可以使底部填充物不溢出到阻拦件所围绕的区域外。另一封装件可以放置在连接至中介层的管芯上方以形成堆叠式封装结构。
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公开(公告)号：CN109103568A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201710684039.3
申请日：2017-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01Q1/22
Abstract: 本发明实施例公开一种具有多频带天线的集成扇出式封装。一种集成扇出式封装包括半导体管芯、模制层、以及多个集成扇出式穿孔。所述模制层位于所述半导体管芯旁边。所述集成扇出式穿孔穿过所述模制层且被排列以形成多个偶极天线。所述多个偶极天线中的至少一个包括两个偶极臂，所述两个偶极臂各自具有发射带及连接到所述发射带的辐射带，且所述辐射带具有第一部分、第二部分及位于所述第一部分与所述第二部分之间且与所述第一部分及所述第二部分接触的滤波器部分。所述滤波器部分的横截面积小于所述辐射带的所述第一部分或所述第二部分的横截面积。
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公开(公告)号：CN103839894B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310028297.8
申请日：2013-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5385 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 一种方法，包括将半导体管芯附接在晶圆的第一面上，将第一顶部封装件附接在晶圆的第一面上以及将第二顶部封装件附接在晶圆的第一面上。方法进一步包括将封装层沉积在晶圆的第一面上方，其中，第一顶部封装件和第二顶部封装件嵌入到封装层中，对晶圆的第二面施加减薄工艺，将晶圆切割成多个芯片封装件以及将芯片封装件附接至衬底。本发明还提供了形成叠层封装结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106960837A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201610905679.8
申请日：2016-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L25/16 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/78 , H01L23/3178 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/17 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/02371 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/08137 , H01L2224/08148 , H01L2224/08238 , H01L2224/16148 , H01L2224/18 , H01L2924/1434 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L25/16
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件，包括半导体管芯。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。接触件耦合至集成半导体封装件并且配置为半导体封装件的接地端。半导体器件还具有基本密封集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩，其中EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径与接触件耦合。本发明的实施例还提供了3D(三维)半导体封装件以及制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN104037142B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310224396.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/10165 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。
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公开(公告)号：CN103855114B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310161102.7
申请日：2013-05-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L23/538 , H01L25/16 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/24 , H01L21/481 , H01L21/4885 , H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92125 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H05K1/181 , H05K2201/049 , H05K2201/10378 , H05K2201/10515 , H05K2201/10734 , H05K2201/2036 , Y02P70/611 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了用于封装管芯的具有阻拦件的中介层的方法和装置。中介层可以包括位于衬底上方的金属层。一个或多个阻拦件可以形成在金属层上方。阻拦件围绕一区域，该区域的尺寸大于可以被连接至该区域内的金属层上方的接触焊盘的管芯的尺寸。阻拦件可以包含导电材料或非导电材料，或两者都包含。底部填充物可以形成在管芯下方、金属层上方且包含在阻拦件所围绕的区域内，从而可以使底部填充物不溢出到阻拦件所围绕的区域外。另一封装件可以放置在连接至中介层的管芯上方以形成堆叠式封装结构。
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公开(公告)号：CN103794568B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310071559.9
申请日：2013-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/4853 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83385 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种集成电路，包括在顶面上方具有至少一个凹陷的衬底。至少一个焊料凸块设置在衬底上方。管芯设置在至少一个焊料凸块上方并通过至少一个焊料凸块与衬底电连接。底部填充物环绕至少一个焊料凸块并形成在衬底和管芯之间。至少一个凹陷设置在底部填充物周围以使来自底部填充物的任意溢出物保留在至少一个凹陷中。本发明还提供了集成电路底部填充方案。
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公开(公告)号：CN106653735A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610719305.7
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/81 , H01L24/96 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/81024 , H01L2224/81815 , H01L2224/81911 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件，包括：半导体管芯，半导体管芯具有设置在半导体管芯的周边中的防护环。半导体器件还包括位于防护环上方的导电焊盘。半导体器件还具有部分地覆盖导电焊盘的钝化件和位于钝化件上方的钝化后互连件(PPI)，并且钝化件包括凹槽以暴露导电焊盘的一部分。在半导体器件中，导体从凹槽向上延伸并且连接至PPI的一部分。本发明的实施例还提供了半导体器件及其制造方法。
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