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公开(公告)号：CN102137906A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980133852.5
申请日：2009-08-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J179/08 , H01L21/52
CPC classification number: H01L24/83 , C08G73/1046 , C08G73/14 , C09J7/20 , C09J179/08 , C09J2201/134 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2479/08 , H01L23/293 , H01L24/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2936 , H01L2224/29386 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2924/00013 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , Y10T428/28 , Y10T428/2874 , Y10T428/2878 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/04642 , H01L2924/0503 , H01L2924/05432 , H01L2924/05032 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种两面粘接膜，其具备支持膜、在该支持膜的一面层叠的第一粘接剂层和在该支持膜的另一面层叠的第二粘接剂层，所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为100℃以下，所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层是能够采用包括如下工序的方法形成的层：将清漆直接涂布于所述支持膜，将涂布的清漆干燥。
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公开(公告)号：CN1313882A
公开(公告)日：2001-09-19
申请号：CN99809911.2
申请日：1999-08-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , C08L63/00 , C08L71/00 , C08L71/126 , C08L77/00 , C08L77/06 , C08L83/10 , C09D177/00 , C09D177/06 , C09D179/08 , H01L23/24 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , C08L2666/02 , C08L2666/08 , C08L2666/04 , C08L2666/14 , C08L2666/28 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20753
Abstract: 本发明涉及以(A)热塑性树脂、(B)环氧树脂、(C)偶合剂、(D)粉末状无机填充材料、(E)具有橡胶弹性的粉末及(F)有机溶剂为必要组分的糊状组合物,涂布并干燥后可形成空隙率在3体积%以上,40℃、90%RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的涂膜。还涉及将该糊状组合物涂布于半导体部件表面,干燥后形成的空隙率在3体积%以上,40℃、90%RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的保护膜及具有该保护膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102709201A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210191649.7
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/58 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/29 , C09J7/00 , C09J179/08 , C08G73/10
CPC classification number: C09J183/10 , C08G73/106 , C08G77/26 , C08G77/452 , C09D183/08 , C09J179/08 , C09J183/08 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/296 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/2826 , Y10T428/2896 , H01L2924/07025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
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公开(公告)号：CN101647096A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010712.4
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: C09J201/00 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D5/0082 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供既能够充分抑制芯片裂纹及毛刺的发生又能够从半导体晶片获得高合格率的半导体芯片的方法。该半导体芯片的制造方法具有以下工序：准备层叠体的工序，该层叠体顺次层叠半导体晶片、半导体用粘接膜以及切割胶带，从上述半导体晶片侧形成切槽，以使上述半导体晶片被分割为多个半导体芯片、并且上述半导体用粘接膜在厚度方向上的至少一部分不被切断而保留；以及将上述切割胶带在上述多个半导体芯片相互分离的方向上进行拉伸，由此沿着上述切槽来分割上述半导体用粘接膜的工序。上述半导体用粘接膜具有小于5％的拉伸断裂伸度，该拉伸断裂伸度小于最大负荷时的伸度的110％。
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公开(公告)号：CN1221610C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN99809911.2
申请日：1999-08-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , C08L63/00 , C08L71/00 , C08L71/126 , C08L77/00 , C08L77/06 , C08L83/10 , C09D177/00 , C09D177/06 , C09D179/08 , H01L23/24 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , C08L2666/02 , C08L2666/08 , C08L2666/04 , C08L2666/14 , C08L2666/28 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20753
Abstract: 本发明涉及以(A)热塑性树脂、(B)环氧树脂、(C)偶合剂、(D)粉末状无机填充材料、(E)具有橡胶弹性的粉末及(F)有机溶剂为必要组分的糊状组合物，涂布并干燥后可形成空隙率在3体积%以上，40℃、90%RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的涂膜。还涉及将该糊状组合物涂布于半导体部件表面，干燥后形成的空隙率在3体积%以上，40℃、90%RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的保护膜及具有该保护膜的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101647096B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200880010712.4
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: C09J201/00 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D5/0082 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供既能够充分抑制芯片裂纹及毛刺的发生又能够从半导体晶片获得高合格率的半导体芯片的方法。该半导体芯片的制造方法具有以下工序：准备层叠体的工序，该层叠体顺次层叠半导体晶片、半导体用粘接膜以及切割胶带，从上述半导体晶片侧形成切槽，以使上述半导体晶片被分割为多个半导体芯片、并且上述半导体用粘接膜在厚度方向上的至少一部分不被切断而保留；以及将上述切割胶带在上述多个半导体芯片相互分离的方向上进行拉伸，由此沿着上述切槽来分割上述半导体用粘接膜的工序。上述半导体用粘接膜具有小于5％的拉伸断裂伸度，该拉伸断裂伸度小于最大负荷时的伸度的110％。
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公开(公告)号：CN101641766A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009599.8
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/00 , C09J179/08 , C09J183/10 , H01L21/52
CPC classification number: H01L2224/29191 , H01L2924/10253 , H01L2924/0715 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由上述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
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公开(公告)号：CN1624045A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410088296.3
申请日：1999-08-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , C08L63/00 , C08L71/00 , C08L71/126 , C08L77/00 , C08L77/06 , C08L83/10 , C09D177/00 , C09D177/06 , C09D179/08 , H01L23/24 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , C08L2666/02 , C08L2666/08 , C08L2666/04 , C08L2666/14 , C08L2666/28 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20753
Abstract: 本发明涉及以(A)热塑性树脂、(B)环氧树脂、(C)偶合剂、(D)粉末状无机填充材料、(E)具有橡胶弹性的粉末及(F)有机溶剂为必要组分的糊状组合物，涂布并干燥后可形成空隙率在3体积％以上，40℃、90％RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的涂膜。还涉及将该糊状组合物涂布于半导体部件表面，干燥后形成的空隙率在3体积％以上，40℃、90％RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的保护膜及具有该保护膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102134451A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110040150.1
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J179/08 , C09J183/10 , C09J7/02 , H01L21/58 , H01L21/68 , H01L21/78 , H01L23/29
CPC classification number: C09J183/10 , C08G73/106 , C08G77/26 , C08G77/452 , C09D183/08 , C09J179/08 , C09J183/08 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/296 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/2826 , Y10T428/2896 , H01L2924/07025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
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公开(公告)号：CN101238188A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028477.4
申请日：2006-08-03
Applicant: 日立化成工业株式会社
Inventor： 北胜勉
IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , C09J179/08
CPC classification number: C09J179/08 , C08G59/08 , C08G59/4042 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L2666/02 , C08L2666/22 , C09J7/10 , C09J163/00 , C09J2463/00 , C09J2479/08 , H01L2224/29 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , Y10T428/31721 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种粘接薄膜，其为含有(A)聚酰亚胺树脂及(B)热固化性树脂的粘接薄膜，其特征在于，(A)聚酰亚胺树脂包含具有下述式(I)所表示的重复单元的聚酰亚胺树脂，且以150～230℃热处理0.3～5小时后的250℃的储能模量为0.2MPa以上，(式中，m个R1各自独立地表示2价有机基团；m个R1含有合计k个选自－CH2－、－CHR－及－CR2－的有机基团，其中的R表示碳原子数1～5的非环状烷基；m为8以上的整数，m与k满足k/m≥0.85的关系；R2表示四羧酸的残基。)
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