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公开(公告)号：CN101821833B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200880110812.4
申请日：2008-10-07
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/67132 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , B28D5/0052 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/8388 , H01L2224/83885 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法，其具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
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公开(公告)号：CN102137906A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980133852.5
申请日：2009-08-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J179/08 , H01L21/52
CPC classification number: H01L24/83 , C08G73/1046 , C08G73/14 , C09J7/20 , C09J179/08 , C09J2201/134 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2479/08 , H01L23/293 , H01L24/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2936 , H01L2224/29386 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2924/00013 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , Y10T428/28 , Y10T428/2874 , Y10T428/2878 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/04642 , H01L2924/0503 , H01L2924/05432 , H01L2924/05032 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种两面粘接膜，其具备支持膜、在该支持膜的一面层叠的第一粘接剂层和在该支持膜的另一面层叠的第二粘接剂层，所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为100℃以下，所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层是能够采用包括如下工序的方法形成的层：将清漆直接涂布于所述支持膜，将涂布的清漆干燥。
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公开(公告)号：CN102709201A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210191649.7
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/58 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/29 , C09J7/00 , C09J179/08 , C08G73/10
CPC classification number: C09J183/10 , C08G73/106 , C08G77/26 , C08G77/452 , C09D183/08 , C09J179/08 , C09J183/08 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/296 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/2826 , Y10T428/2896 , H01L2924/07025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
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公开(公告)号：CN101821834A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110828.5
申请日：2008-10-07
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/8388 , H01L2224/83885 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法，其具备以下工序：准备层叠体的工序，其至少将由多个半导体芯片构成的分割完成的半导体晶片、半导体用粘接膜和切割带进行层叠，所述由多个半导体芯片构成的分割完成的半导体晶片是通过在半导体晶片的一个面上以比半导体晶片的厚度小的深度形成将半导体晶片区分成多个半导体芯片的切痕、并将半导体晶片的未形成切痕的另一个面研削至达到所述切痕而得到的，所述半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％；将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
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公开(公告)号：CN101647096A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010712.4
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: C09J201/00 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D5/0082 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供既能够充分抑制芯片裂纹及毛刺的发生又能够从半导体晶片获得高合格率的半导体芯片的方法。该半导体芯片的制造方法具有以下工序：准备层叠体的工序，该层叠体顺次层叠半导体晶片、半导体用粘接膜以及切割胶带，从上述半导体晶片侧形成切槽，以使上述半导体晶片被分割为多个半导体芯片、并且上述半导体用粘接膜在厚度方向上的至少一部分不被切断而保留；以及将上述切割胶带在上述多个半导体芯片相互分离的方向上进行拉伸，由此沿着上述切槽来分割上述半导体用粘接膜的工序。上述半导体用粘接膜具有小于5％的拉伸断裂伸度，该拉伸断裂伸度小于最大负荷时的伸度的110％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102361016A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110314139.X
申请日：2008-10-07
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L21/67132 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , B28D5/0052 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/8388 , H01L2224/83885 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法中使用的半导体用粘接膜，所述制造方法具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
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公开(公告)号：CN102134451A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110040150.1
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J179/08 , C09J183/10 , C09J7/02 , H01L21/58 , H01L21/68 , H01L21/78 , H01L23/29
CPC classification number: C09J183/10 , C08G73/106 , C08G77/26 , C08G77/452 , C09D183/08 , C09J179/08 , C09J183/08 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/296 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/2826 , Y10T428/2896 , H01L2924/07025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
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公开(公告)号：CN102959688A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180027958.4
申请日：2011-06-14
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J7/20 , C09J2201/20 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 半导体装置制造用粘接片1，具备：基材薄膜10、配置于基材薄膜10上的粘接层20、配置于粘接层20上并且具有露出粘接层20的开口30a的粘接层30和配置于粘接层20中从开口30a露出的部分25上的芯片接合薄膜40，芯片接合薄膜40的外周的至少一部分与粘接层30相接。
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公开(公告)号：CN101647096B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200880010712.4
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: C09J201/00 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D5/0082 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供既能够充分抑制芯片裂纹及毛刺的发生又能够从半导体晶片获得高合格率的半导体芯片的方法。该半导体芯片的制造方法具有以下工序：准备层叠体的工序，该层叠体顺次层叠半导体晶片、半导体用粘接膜以及切割胶带，从上述半导体晶片侧形成切槽，以使上述半导体晶片被分割为多个半导体芯片、并且上述半导体用粘接膜在厚度方向上的至少一部分不被切断而保留；以及将上述切割胶带在上述多个半导体芯片相互分离的方向上进行拉伸，由此沿着上述切槽来分割上述半导体用粘接膜的工序。上述半导体用粘接膜具有小于5％的拉伸断裂伸度，该拉伸断裂伸度小于最大负荷时的伸度的110％。
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公开(公告)号：CN101821833A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110812.4
申请日：2008-10-07
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/67132 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , B28D5/0052 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/8388 , H01L2224/83885 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法，其具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
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