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公开(公告)号：CN110739275A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911035681.4
申请日：2016-05-12
申请人： 艾马克科技公司
摘要： 一种指纹感测器装置和一种制作指纹感测器装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供各种指纹感测器装置及其制造方法，所述指纹感测器装置包括在裸片的底面上的感测区域，其不具有从顶面感测指纹的顶面电极，和/或所述指纹感测器装置包括直接电连接到板的导电元件的感测器裸片，其中通过所述板感测指纹。
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公开(公告)号：CN107180814A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710059847.0
申请日：2017-01-24
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/528
CPC分类号： H01L23/3107 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81203 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/16151 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L23/5283
摘要： 电子装置。一种具有增强的插入物质量的半导体装置，以及其制造方法。举例来说且不受限制，本发明的各种方面提供一种插入晶粒，其包括至少第一介电层和第一传导层的第一信号分布结构，其中所述信号分布结构在侧边缘处受到保护层保护。并且，举例来说，本发明的各种方面提供一种制造包括此插入晶粒的半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN110739275B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201911035681.4
申请日：2016-05-12
申请人： 艾马克科技公司
摘要： 一种指纹感测器装置和一种制作指纹感测器装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供各种指纹感测器装置及其制造方法，所述指纹感测器装置包括在裸片的底面上的感测区域，其不具有从顶面感测指纹的顶面电极，和/或所述指纹感测器装置包括直接电连接到板的导电元件的感测器裸片，其中通过所述板感测指纹。
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公开(公告)号：CN114843232A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210520244.7
申请日：2016-06-03
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L21/56 , G06V40/12
摘要： 指纹感测器以及其制造方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供各种指纹感测器装置以及其制造方法，所述指纹感测器装置包括互连结构，例如接合线，所述互连结构的至少一部分延伸到用来安放板的介电层中，和/或所述指纹感测器装置包括互连结构，所述互连结构从自所述板侧向地偏移的位置处的半导体裸片向上延伸。
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公开(公告)号：CN106252311A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610391114.2
申请日：2016-06-03
申请人： 艾马克科技公司
CPC分类号： H01L23/15 , G06K9/00053 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L23/4952 , H01L23/49805 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48165 , H01L2224/48227 , H01L2224/48992 , H01L2224/48997 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L23/48 , G06K9/00 , G06K11/06
摘要： 指纹感测器以及其制造方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供各种指纹感测器装置以及其制造方法，所述指纹感测器装置包括互连结构，例如接合线，所述互连结构的至少一部分延伸到用来安放板的介电层中，和/或所述指纹感测器装置包括互连结构，所述互连结构从自所述板侧向地偏移的位置处的半导体裸片向上延伸。
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公开(公告)号：CN107180814B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201710059847.0
申请日：2017-01-24
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/528
摘要： 电子装置。一种具有增强的插入物质量的半导体装置，以及其制造方法。举例来说且不受限制，本发明的各种方面提供一种插入晶粒，其包括包括至少第一介电层和第一传导层的第一信号分布结构，其中所述信号分布结构在侧边缘处受到保护层保护。并且，举例来说，本发明的各种方面提供一种制造包括此插入晶粒的半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN107658273A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201610816082.6
申请日：2016-09-09
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76885 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2221/68331 , H01L2221/68363 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/08238 , H01L2224/13101 , H01L2224/1329 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/80895 , H01L2224/92125 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3157 , H01L23/488 , H01L24/43
摘要： 本发明提供一种半导体装置及一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种态样提供一种具有小尺寸及细节距的可堆叠半导体装置以及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106169445A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610342189.1
申请日：2016-05-20
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/49822 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05573 , H01L2224/05575 , H01L2224/0558 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/0105 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/568 , H01L23/49827 , H01L23/49838
摘要： 用以制造具有多层模制导电基板和结构的半导体封装的方法。在一个实施例中，一种用于制造一半导体封装的方法包括提供一多层模制导电结构。该多层模制导电结构包括：一第一导电结构，其设置在一载板的一表面上；和一第一囊封剂，其覆盖该第一导电结构的至少部分，而其它部分暴露于该第一囊封剂中。一第二导电结构设置在该第一囊封剂上，并且电气连接到该第一导电结构。一第二囊封剂覆盖该第二导电结构的一第一部分，而该第二导电结构的一第二部分暴露到外部，并且该第二导电结构的一第三部分暴露于设置在该第二囊封剂中的一接收空间中。该方法包括：将一半导体晶粒电气连接至该第二导电结构，并在一些实施例中，移除该载板。
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公开(公告)号：CN116884961A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310806672.0
申请日：2017-01-24
申请人： 艾马克科技公司
摘要： 电子装置。一种具有增强的插入物质量的半导体装置，以及其制造方法。举例来说且不受限制，本发明的各种方面提供一种插入晶粒，其包括包括至少第一介电层和第一传导层的第一信号分布结构，其中所述信号分布结构在侧边缘处受到保护层保护。并且，举例来说，本发明的各种方面提供一种制造包括此插入晶粒的半导体装置的方法。
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