公开(公告)号：CN104704312A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380051489.9

申请日：2013-10-09

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 克劳斯·奥尔森 ,  拉尔斯·保尔森 ,  鲁迪格·布莱德特曼 ,  霍尔格·乌利齐

IPC分类号： F28F3/12 ,  F28F9/02 ,  F28F13/12 ,  H01L23/473

CPC分类号： F28F3/12 ,  F28F3/044 ,  F28F9/02 ,  F28F9/0268 ,  F28F13/06 ,  F28F13/12 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 在此披露了一种用于在一个有待冷却的表面上分配一个流体流的流分配模块(1)。该流分配模块(1)包括一个外壳(2)和一个盖板(3)。该外壳(2)限定至少一个流动池(5)，该或这些流动池(5)被定位的方式为使得在该有待冷却的表面上运输从一个入口开口(6)到一个出口开口(7)流过一个流动池(5)的一个流体流，每个流动池(5)被形成用于引起流过该流动池(5)的流体的流动方向上的至少一次变化。该盖板(3)邻近该或这些流动池(5)被安排并且限定该有待冷却的表面。由该盖板(3)限定的该有待冷却的表面的至少一部分配备有具有多个凸起表面部分和多个凹陷表面部分的一个表面图案(8)。

公开(公告)号：CN103460828A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280016278.7

申请日：2012-04-02

申请人： 丹佛斯动力公司

发明人： 克劳泽·奥勒森 ,  约根·霍尔斯特 ,  佐治·福塞尔 ,  彼得·勃兰特 ,  彼得·詹森 ,  斯蒂恩·霍恩斯莱特 ,  卡斯滕·罗斯曼

IPC分类号： H05K7/20

CPC分类号： F25B39/04 ,  H05K7/20309 ,  H05K7/20936

摘要： 本发明描述了一种用于功率模块(或一些其他功率电子器件装置)的冷却系统，所述冷却系统具有用于循环冷却流体的封闭的流动路径。所述流动路径具有降低至低于大气压强的压强。所述冷却流体沿着所述流动路径循环，以提供对功率模块的冷却。所述流动路径通过设置在所述流动路径和外部环境之间的空间与外部环境界定开，所述空间对于所述冷却流动路径是封闭的，所述空间对于外部环境是封闭的。所述流动路径具有低于大气压强的压强，在流动路径和外部环境之间的空间被抽真空，且典型地具有低于流动路径中的压强的压强。

公开(公告)号：CN103875067A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280050150.2

申请日：2012-09-10

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  加赛克·鲁兹基

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03438 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29399 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明涉及将具有上侧电势面的功率半导体芯片连接到厚布线或条片的方法，该方法包括以下步骤：提供与上侧电势面的形状相对应的金属成型体；将连接层涂覆到上侧电势面或金属成型体上；在厚布线结合到成型体的非被添加的上侧之前，布置金属成型体并且添加适合的材料、电导通的化合物到电势面。

公开(公告)号：CN101847589B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201010144079.7

申请日：2010-03-29

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 罗纳德·艾西尔 ,  马赛厄斯·科克 ,  特奥曼·森伊尔迪兹

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种制造刚性功率模块的方法，所述模块具有料层，所述料层电气绝缘并且导热良好且作为涂层沉积，所述结构具有以至少一种电气绝缘且导热良好的材料形成的融合在一起的喷涂颗粒，所述方法具有以下步骤：制造一件式引线框架；将半导体设备、可能的无源部件装设于引线框架中，并键合相应连接部；将如此装件的引线框架插入压力模具中，以保证接触引线框架的部分区域；将热成型压力模制化合物压入所述模具，同时闭合上述设置的引线框架：通过热喷涂而涂覆上述装件的引线框架下侧的至少导电区域，并且也覆盖以模制化合物填充的间隔的主要区域。

公开(公告)号：CN101847589A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010144079.7

申请日：2010-03-29

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 罗纳德·艾西尔 ,  马赛厄斯·科克 ,  特奥曼·森伊尔迪兹

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种制造刚性功率模块的方法，所述模块具有料层，所述料层电气绝缘并且导热良好且作为涂层沉积，所述结构具有以至少一种电气绝缘且导热良好的材料形成的融合在一起的喷涂颗粒，所述方法具有以下步骤：制造一件式引线框架；将半导体设备、可能的无源部件装设于引线框架中，并键合相应连接部；将如此装件的引线框架插入压力模具中，以保证接触引线框架的部分区域；将热成型压力模制化合物压入所述模具，同时闭合上述设置的引线框架：通过热喷涂而涂覆上述装件的引线框架下侧的至少导电区域，并且也覆盖以模制化合物填充的间隔的主要区域。

公开(公告)号：CN104979337B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201510151548.0

申请日：2015-04-01

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 亨宁·斯托贝尔-麦尔 ,  克里斯蒂安·爱根

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/49 ,  H02M7/00

摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块(10，10’)，该功率半导体模块包括设置在底板(20)上的至少四个基板(DCB1、DCB2、DCB3、DCB4、DCB5、DCB6)，每个基板都具有用于较高电势的第一连接点(a)和用于较低电势的第二连接点(b)，并且该功率半导体模块包括连接到用于较高电势的第一连接点(a)的第一母线(30)和连接到用于较低电势的第二连接点(b)的第二母线(40)。至少一个基板(DCB4)的连接点(b、a)的次序不同于其它基板(DCB1、DCB2、DCB3、DCB5、DCB6)的连接点(a、b)的次序。

公开(公告)号：CN103890924B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280050678.X

申请日：2012-09-10

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  杰克·鲁兹基

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/786 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011

摘要： 本发明涉及功率半导体芯片（10），其具有至少一个上侧电势面且接触厚布线（50）或条片，该功率半导体芯片包括：处于所述电势面上的结合层（1），以及处于所述结合层上的至少一个金属成型体（24、25），所述成型体的面对电势面的下方平坦侧基于结合工艺设有涂覆物以被涂覆至结合层（1），并且根据尺寸选择所述成型体的材料成分以及根据本方法用于接触的、布置在成型体上侧的相关厚布线（50）或条片的厚度。

公开(公告)号：CN103460828B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201280016278.7

申请日：2012-04-02

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 克劳泽·奥勒森 ,  约根·霍尔斯特 ,  佐治·福塞尔 ,  彼得·勃兰特 ,  彼得·詹森 ,  斯蒂恩·霍恩斯莱特 ,  卡斯滕·罗斯曼

IPC分类号： H05K7/20

CPC分类号： F25B39/04 ,  H05K7/20309 ,  H05K7/20936

摘要： 描述了一种用于功率模块(或一些其他功率电子器件装置)的冷却系统，所述冷却系统具有用于循环冷却流体的封闭的流动路径。所述流动路径具有降低至低于大气压强的压强。所述冷却流体沿着所述流动路径循环，以提供对功率模块的冷却。所述流动路径通过设置在所述流动路径和外部环境之间的空间与外部环境界定开，所述空间对于所述冷却流动路径是封闭的，所述空间对于外部环境是封闭的。所述流动路径具有低于大气压强的压强，在流动路径和外部环境之间的空间被抽真空，且典型地具有低于流动路径中的压强。

公开(公告)号：CN102768964B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210135698.9

申请日：2012-05-03

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： M.科克 ,  R.埃塞勒

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/568 ,  C23C4/01 ,  C23C4/02 ,  C23C4/134 ,  C23C4/18 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/93 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03418 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明涉及一种借助下述步骤制造半导体部件的方法：制造晶片（2），-将部件（1）的结构施加在晶片（2）上从而形成晶片组件，将金属涂层（5）施加在晶片（2）上，移除部件（1）的非接触区域的金属涂层（5），将围绕层施加在部件（1）的边缘区域上，将晶片（2）布置在由夹持环保持的薄片（4）上，将由薄片（4）承载的晶片组合物（1）的部件彼此分离开，将遮盖的掩模（3）布置在由薄片（4）承载的分离的部件（1）的未被涂布的区域上，将金属涂层（5）施加在由掩模（3）遮盖的分离的部件（1）上，移除掩模（3），以及从薄片（4）移除部件（1）并且进一步处理分离的部件（1）。

公开(公告)号：CN104979337A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510151548.0

申请日：2015-04-01

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 亨宁·斯托贝尔-麦尔 ,  克里斯蒂安·爱根

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/49 ,  H02M7/00

CPC分类号： H05K1/142 ,  H01L23/3735 ,  H01L25/072 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/141 ,  H05K1/18 ,  H05K2201/10272 ,  H05K2201/10522 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块(10，10’)，该功率半导体模块包括设置在底板(20)上的至少四个基板(DCB1、DCB2、DCB3、DCB4、DCB5、DCB6)，每个基板都具有用于较高电势的第一连接点(a)和用于较低电势的第二连接点(b)，并且该功率半导体模块包括连接到用于较高电势的第一连接点(a)的第一母线(30)和连接到用于较低电势的第二连接点(b)的第二母线(40)。至少一个基板(DCB4)的连接点(b、a)的次序不同于其它基板(DCB1、DCB2、DCB3、DCB5、DCB6)的连接点(a、b)的次序。