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公开(公告)号：CN102543763A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110421727.3
申请日：2011-12-16
申请人： 甲骨文美国公司
IPC分类号： H01L21/48
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L21/50 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/27334 , H01L2224/27849 , H01L2224/29109 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/75 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75755 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83014 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83211 , H01L2224/83815 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16171 , H01L2924/16251 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01023 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032
摘要： 公开了高功率密度芯片的金属热接合，给出了一种装配半导体封装的方法，包括通过反向溅射来清洁芯片的表面和排热器件的表面。该方法包括在目标接合区域上，顺序地涂敷芯片的表面和排热器件的表面以粘合剂层、阻挡层和保护层。芯片和排热器件被放入夹具内并预加热到目标温度。然后，金属热界面材料预制件被机械地碾压到芯片的表面上，并且第一和第二承载夹具被附接到一起，使得通过无焊剂工艺把芯片表面上的金属热界面材料层与排热器件的被涂敷表面接合。该方法包括在回流炉中加热被接合的承载夹具。
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公开(公告)号：CN102543763B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110421727.3
申请日：2011-12-16
申请人： 甲骨文美国公司
IPC分类号： H01L21/48
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L21/50 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/27334 , H01L2224/27849 , H01L2224/29109 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/75 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75755 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83014 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83211 , H01L2224/83815 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16171 , H01L2924/16251 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01023 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032
摘要： 公开了高功率密度芯片的金属热接合，给出了一种装配半导体封装的方法，包括通过反向溅射来清洁芯片的表面和排热器件的表面。该方法包括在目标接合区域上，顺序地涂敷芯片的表面和排热器件的表面以粘合剂层、阻挡层和保护层。芯片和排热器件被放入夹具内并预加热到目标温度。然后，金属热界面材料预制件被机械地碾压到芯片的表面上，并且第一和第二承载夹具被附接到一起，使得通过无焊剂工艺把芯片表面上的金属热界面材料层与排热器件的被涂敷表面接合。该方法包括在回流炉中加热被接合的承载夹具。
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公开(公告)号：CN105247666B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201480029861.0
申请日：2014-03-27
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L24/49 , B23K20/004 , B23K35/3006 , C22C5/06 , H01L23/49 , H01L23/49513 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/26175 , H01L2224/2733 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/32507 , H01L2224/4501 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/48225 , H01L2224/48499 , H01L2224/48507 , H01L2224/49173 , H01L2224/83011 , H01L2224/83014 , H01L2224/8309 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/85801 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明的目的在于在将接合对象物之间接合了的接合部处，形成空隙少的高熔点的金属间化合物。本发明的半导体装置(30)的特征在于，具备在形成于安装基板(电路基板(12))的第一Ag层(4)与形成于半导体元件(9)的第二Ag层(10)之间挟持了的合金层(13)，合金层(13)具有由第一Ag层(4)以及第二Ag层(10)的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线(5)从该合金层(13)的外周侧延伸地配置。
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公开(公告)号：CN105247666A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480029861.0
申请日：2014-03-27
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L24/49 , B23K20/004 , B23K35/3006 , C22C5/06 , H01L23/49 , H01L23/49513 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/26175 , H01L2224/2733 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/32507 , H01L2224/4501 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/48225 , H01L2224/48499 , H01L2224/48507 , H01L2224/49173 , H01L2224/83011 , H01L2224/83014 , H01L2224/8309 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/85801 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明的目的在于在将接合对象物之间接合了的接合部处，形成空隙少的高熔点的金属间化合物。本发明的半导体装置(30)的特征在于，具备在形成于安装基板(电路基板(12))的第一Ag层(4)与形成于半导体元件(9)的第二Ag层(10)之间挟持了的合金层(13)，合金层(13)具有由第一Ag层(4)以及第二Ag层(10)的Ag成分和Sn形成了的Ag3Sn的金属间化合物，包含Ag的多根导线(5)从该合金层(13)的外周侧延伸地配置。
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公开(公告)号：CN102376653A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110199454.2
申请日：2011-07-12
申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
发明人： G·戈丹
IPC分类号： H01L23/00
CPC分类号： H01L29/0657 , B81C3/001 , B81C2203/036 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27452 , H01L2224/27616 , H01L2224/2781 , H01L2224/27848 , H01L2224/279 , H01L2224/29187 , H01L2224/32145 , H01L2224/83014 , H01L2224/83193 , H01L2224/832 , H01L2224/83896 , H01L2224/94 , H01L2924/1461 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2224/27 , H01L21/78 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种低温键合方法，是一种用于组装第一元件和第二元件的方法，所述第一元件包括至少一个第一衬底或者至少一个芯片，所述第二元件包括至少一个第二衬底，该方法包括：a)在每个衬底上形成被称为键合层的表面层，这些键合层的至少其中之一是在小于或等于300℃的温度下形成的；b)在组装之前对所述键合层进行被称为脱气退火的第一退火，所述第一退火至少部分在至少等于后续的键合界面强化温度(Tr)但低于450℃的温度下进行；c)通过使所述键合层的暴露表面接触来组装所述衬底；d)组装好的结构在低于450℃的键合界面强化温度(Tr)下退火。
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