-
公开(公告)号：JP2016157882A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2015036099
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社日立製作所 , 株式会社 日立パワーデバイス
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/065 , H01L21/52 , H02M7/5387 , H01L21/28
CPC classification number: H02M7/537 , H01L21/283 , H01L21/78 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L29/45 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/039 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13387 , H01L2224/1403 , H01L2224/14131 , H01L2224/14135 , H01L2224/14154 , H01L2224/14177 , H01L2224/16145 , H01L2224/16238 , H01L2224/29147 , H01L2224/29387 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/81447 , H01L2224/8184 , H01L2224/83065 , H01L2224/83203 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L2924/01013 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/3511 , H02M7/003
Abstract: 【課題】成膜されたNi電極膜の膜欠損を低減できる半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置を提供する。 【解決手段】半導体装置100は、半導体素子150が形成された半導体基板108のn + 型半導体層108cの第1表面108dに、この半導体素子150と電気的に接続され、AlもしくはAl合金からなる第1のAl金属層105、Cu拡散防止層107、AlもしくはAl合金からなる第2のAl金属層106、およびNi層104がこの順に形成されている第1の半導体チップの電極構造体151と、Ni層104の表面104aに配置され、銅焼結層103を介して第1の半導体チップの電極構造体151と接合された導電部材102と、を備え、第2のAl金属層106の表面106aのAl結晶粒の結晶面方位が主に(110)面となっている。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供可以减少沉积的Ni电极膜的膜缺陷的半导体器件，半导体器件制造方法和功率转换器件。解决方案：半导体器件100包括在n型半导体的第一表面108d上 形成半导体元件150的半导体基板108的层108c，与半导体元件150电连接并且由Al或Al合金构成的第一Al金属层105的第一半导体芯片的电极结构151， 依次形成Cu扩散防止层107，由Al或Al合金构成的第二Al金属层106和Ni层104，以及布置在Ni层104的表面104a上并结合到 经由铜烧结层103的第一半导体芯片的电极结构151，其中第二Al金属的表面106a上的Al晶粒的晶面取向 层106主要是（110）平面。选择的图：图1
-
公开(公告)号：JP6300236B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2015036099
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社日立製作所 , 株式会社 日立パワーデバイス
IPC: H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/065 , H01L21/52 , H02M7/5387 , H01L21/28
CPC classification number: H02M7/537 , H01L21/283 , H01L21/78 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L29/45 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/039 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13387 , H01L2224/1403 , H01L2224/14131 , H01L2224/14135 , H01L2224/14154 , H01L2224/14177 , H01L2224/16145 , H01L2224/16238 , H01L2224/29147 , H01L2224/29387 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/81447 , H01L2224/8184 , H01L2224/83065 , H01L2224/83203 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/01013 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/3511 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/03 , H01L2924/0541 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2224/1413 , H01L2224/1415 , H01L2224/03464 , H01L21/304 , H01L21/22
-
公开(公告)号：JP2015142059A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014015049
申请日：2014-01-30
Applicant: 株式会社日立製作所 , 株式会社 日立パワーデバイス
CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/49838 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45032 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4903 , H01L2224/49107 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/85205 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
Abstract: 【課題】トランジスタ素子の高発熱部分を効率よく冷却でき、配線接合部の接続信頼性に優れたパワー半導体モジュールを提供する。 【解決手段】放熱板1と、放熱板1に接合材を介して接続され、絶縁基板2の表面に配線が形成された回路基板と、一方の面に形成された主電極6及び制御電極7と他方の面に形成された裏面電極を備え、裏面電極が回路基板に接合材を介して接続されたトランジスタ素子5と、主電極6に接合材を介して接合された第一の導電部材10と、第一の導電部材10と制御電極7を他の素子もしくは回路基板に電気的に接続するワイヤまたはリボン状の接続端子11、12とを備えたパワー半導体モジュールであって、制御電極7が主電極6の角部に配置され、第一の導電部材10が制御電極7の上部を切り欠いた形状であることを特徴とする。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够有效地冷却晶体管元件的高温部分的功率半导体模块，并且布线接头的连接可靠性优异。功率半导体模块包括散热器1，电路板 通过接合材料与散热器1连接，并且在绝缘基板2的表面上形成有布线的晶体管元件5，包括形成在一个表面上的主电极6和控制电极7以及形成在其上的背电极 表面，其中背面电极通过接合材料与电路板连接，通过接合材料接合到主电极6的第一导电构件10和用于电连接第一导电性的导线或带状连接端子11,12 构件10和具有其他元件或电路板的控制电极7。 控制电极7设置在主电极6的角部，第一导电部件10具有在第一导电部件10的上部开口的形状。
-
-
公开(公告)号：JP6286565B2
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：JP2016548847
申请日：2015-09-09
Applicant: 株式会社日立製作所
Inventor： 内藤 孝 , 児玉 一宗 , 青柳 拓也 , 菊池 茂 , 能川 玄也 , 森 睦宏 , 井出 英一 , 守田 俊章 , 紺野 哲豊 , 小野寺 大剛 , 三宅 竜也 , 宮内 昭浩
CPC classification number: H01L23/3733 , C03C3/122 , C03C3/125 , C03C3/21 , C03C8/02 , C03C8/08 , C03C8/18 , C03C8/24 , C09J1/00 , C09J11/04 , H01L21/52 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L24/29 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/29211 , H01L2224/29224 , H01L2224/29239 , H01L2224/29247 , H01L2224/29287 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6244272B2
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：JP2014133506
申请日：2014-06-30
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: H01L24/48 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/75981 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
-
公开(公告)号：JP2016167527A
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：JP2015046623
申请日：2015-03-10
Applicant: 株式会社日立製作所
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265
Abstract: 【課題】 高温環境であっても接続信頼性に優れる半導体モジュールを提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明に係る半導体モジュールは、配線層を有する基板と、基板に搭載され、表面に電極を有する半導体素子と、半導体素子の電極と焼結金属層を介して接合された導電板と、を備え、半導体素子表面の電極は、非アクティブエリアであるゲート配線部によって複数の電極に分割されており、焼結金属層は、非アクティブエリア上の領域が他の領域よりも焼結密度が低いことを特徴とする。 【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：即使在高温环境下也提供连接可靠性优异的半导体模块。本实施方式的半导体模块包括：具有布线层的基板; 半导体元件，其安装在所述基板上并且在表面上具有电极; 以及通过烧结金属层与半导体元件的电极接合的导电板。 半导体元件表面上的电极通过作为非活性区域的栅极布线部分分成多个电极，并且在烧结金属层中，非活性区域上的区域的烧结密度低于其它区域的烧结密度。 选择图：图4
-
公开(公告)号：JP2016143685A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015016283
申请日：2015-01-30
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265
Abstract: 【課題】ジャンクション温度が高くなっても接続信頼性に優れる半導体モジュールを提供することを目的とする。 【解決手段】表面電極及び裏面電極を備える半導体チップ101が回路基板に搭載された構成の半導体モジュールであって、半導体チップの裏面電極106’と回路基板の配線102を接続した第1の焼結接合層105と、半導体チップの表面電極106と導電板150とを接続した第2の焼結接合層105’を備え、第2の焼結接合層105’よりも第1の焼結接合層105の剛性が高いことを特徴とする。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供即使结温变高，连接可靠性优异的半导体模块。本发明公开了一种半导体模块，其具有如下构造：具有表面电极和背面电极的半导体芯片101 安装在电路板上。 该半导体模块包括：第一烧结结层105，其中半导体芯片的背电极106'和电路板的布线102连接; 和第二烧结结层105'，其中半导体芯片的表面电极106和导电板150连接。 第一烧结结层105的刚性高于第二烧结结层105'的刚性。图2
-
公开(公告)号：JP5905328B2
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：JP2012109939
申请日：2012-05-11
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055
-
公开(公告)号：JP2016012659A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2014133506
申请日：2014-06-30
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: H01L24/48 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/75981 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
Abstract: 【課題】半導体素子の主面に設けられた主電極及び制御電極とボンディングワイヤ等の接続配線との接続信頼性に優れ、制御電極と接続配線の接続作業性を向上可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体素子1の主面に設けられた制御電極4と主電極3が、導電部材を介してワイヤまたはリボン状の接続配線7,9と電気的に接続された構成を備え、導電部材は、制御電極4に接合された制御電極用導電部材6と、主電極3に接合された主電極用導電部材5に分割され、且つこれらが絶縁材13で固定されており、制御電極用導電部材6は制御電極4と接続される面よりも接続配線7と接続される面の面積の方が広いことを特徴とする。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体器件，其在设置在半导体元件的主表面上的主电极和控制电极之间的连接可靠性优异，具有诸如接合线的连接布线，并且可以提高连接可操作性 具有连接布线的控制电极。解决方案：半导体器件具有其中设置在半导体元件1的主表面上的控制电极4和主电极3与线或带状电连接的组成 连接配线7,9通过导电部件。 导电构件被分成与控制电极4接合的控制电极导电构件6，并且连接到主电极3的主电极导电构件5和控制电极导电构件6和主电极导电构件5通过绝缘体 材料13.控制电极导电部件6具有与控制电极4连接的面，比与连接配线7连接的面大的面积。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.031 seconds)
