-
公开(公告)号：TW201533793A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103145999
申请日：2014-12-29
发明人： 蔡再宗 , TSAI, TSAI TSUNG , 呂文雄 , LU, WEN HSIUNG , 蔡鈺芃 , TSAI, YU PENG , 林威宏 , LIN, WEI HUNG , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L23/544
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L24/81 , H01L2221/68313 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 製造半導體裝置的方法包含提供晶圓，研磨該晶圓的背側，放置背側膜於該晶圓的該背側上，切割該晶圓以從該晶圓切單複數個晶粒，以及藉由雷射操作在該複數個晶粒的各個晶粒之背側膜上形成標記。
简体摘要： 制造半导体设备的方法包含提供晶圆，研磨该晶圆的背侧，放置背侧膜于该晶圆的该背侧上，切割该晶圆以从该晶圆切单复数个晶粒，以及借由激光操作在该复数个晶粒的各个晶粒之背侧膜上形成标记。
-
公开(公告)号：TW201523832A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW102145088
申请日：2013-12-09
发明人： 黃惠暖 , HUANG, HUEI NUAN , 詹慕萱 , CHAN, MU HSUAN , 林畯棠 , LIN, CHUN TANG
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/4846 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0655 , H01L2221/68331 , H01L2221/68372 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/81005 , H01L2224/92 , H01L2224/95 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/3841 , H05K1/181 , H05K3/284 , H05K2201/10378 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2221/68304 , H01L21/56 , H01L21/304 , H01L2221/68381
摘要： 一種半導體封裝件之製法，其係包括：提供一承載件，其上設置有至少一具有相對之第一表面與第二表面的半導體晶片，且該半導體晶片係以其第一表面接置於該承載件上，且該第二表面上接置有複數第一導電元件；將一具有相對之第三表面與第四表面的中介板以其第三表面接置於該等第一導電元件上，該中介板具有複數嵌埋其中且電性連接該第三表面的導電柱；於該承載件上形成包覆該半導體晶片與中介板的封裝層，令該封裝層具有面向該承載件之底面與其相對之頂面；從該中介板的第四表面移除部分厚度的該中介板與封裝層，以外露該導電柱之一端於該第四表面；以及移除該承載件。本發明能增進接合品質。
简体摘要： 一种半导体封装件之制法，其系包括：提供一承载件，其上设置有至少一具有相对之第一表面与第二表面的半导体芯片，且该半导体芯片系以其第一表面接置于该承载件上，且该第二表面上接置有复数第一导电组件；将一具有相对之第三表面与第四表面的中介板以其第三表面接置于该等第一导电组件上，该中介板具有复数嵌埋其中且电性连接该第三表面的导电柱；于该承载件上形成包覆该半导体芯片与中介板的封装层，令该封装层具有面向该承载件之底面与其相对之顶面；从该中介板的第四表面移除部分厚度的该中介板与封装层，以外露该导电柱之一端于该第四表面；以及移除该承载件。本发明能增进接合品质。
-
公开(公告)号：TW201522269A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103131078
申请日：2014-09-10
发明人： 三和晋吉 , MIWA, SHINKICHI , 池田光 , IKEDA, HIKARU
IPC分类号： C03C3/093 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/68757 , C03C3/093 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/12105 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511
摘要： 一種支持玻璃基板，支持加工基板且使加工基板難以產生尺寸變化，所述支持玻璃基板的特徵在於，在20℃~200℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為50×10-7/℃以上且66×10-7/℃以下。
简体摘要： 一种支持玻璃基板，支持加工基板且使加工基板难以产生尺寸变化，所述支持玻璃基板的特征在于，在20℃~200℃的温度范围内的平均线热膨胀系数为50×10-7/℃以上且66×10-7/℃以下。
-
公开(公告)号：TW201517218A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103126865
申请日：2014-08-06
申请人： 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人： 林 耀劍 , LIN, YAOJIAN , 陳 康 , CHEN, KANG , 高 英華 , GOH, HIN HWA , 沈一權 , SHIM, IL KWON
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/488 , H01L23/495
CPC分类号： H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24155 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/82
摘要： 一種半導體裝置係具有一基板。一導電貫孔係穿過該基板來加以形成。複數個第一接觸墊係形成在該基板的一第一表面之上。複數個第二接觸墊係形成在該基板的一第二表面之上。一仿真圖案係形成在該基板的第二表面之上。一凹口係形成在該基板的一側壁中。一開口係穿過該基板來加以形成。一種囊封體係沉積在該開口中。一絕緣層係形成在該基板的第二表面之上。一仿真開口係形成在該絕緣層中。一半導體晶粒係相鄰該基板而被設置。一種囊封體係沉積在該半導體晶粒及基板之上。該基板的第一表面係包含一寬度是大於該基板的第二表面的一寬度。
简体摘要： 一种半导体设备系具有一基板。一导电贯孔系穿过该基板来加以形成。复数个第一接触垫系形成在该基板的一第一表面之上。复数个第二接触垫系形成在该基板的一第二表面之上。一仿真图案系形成在该基板的第二表面之上。一凹口系形成在该基板的一侧壁中。一开口系穿过该基板来加以形成。一种囊封体系沉积在该开口中。一绝缘层系形成在该基板的第二表面之上。一仿真开口系形成在该绝缘层中。一半导体晶粒系相邻该基板而被设置。一种囊封体系沉积在该半导体晶粒及基板之上。该基板的第一表面系包含一宽度是大于该基板的第二表面的一宽度。
-
公开(公告)号：TW201515121A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103127900
申请日：2014-08-14
发明人： 中村朋陽 , NAKAMURA, TOMOAKI , 塩原利夫 , SHIOBARA, TOSHIO , 秋葉秀樹 , AKIBA, HIDEKI , 関口晋 , SEKIGUCHI, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00
摘要： 本發明之課題為提供一種半導體裝置之製造方法，其係無須進行因應於以往因填料所導致的翹曲對策及密封層形成時的不良元件數目之樹脂填充量的調整，而減少繁雜的步驟，同時能夠製造減低翹曲，且耐熱性、耐濕性優異的半導體裝置。 本發明之解決手段為一種半導體裝置之製造方法，其係具有：於半導體元件非搭載基板上，載置比密封層之形成所需要的量更多量的熱硬化性樹脂之樹脂載置步驟；將第1空腔內從室溫加熱至200℃，將半導體元件搭載基板配置於成形模具之上模具及下模具其中一方的模具，並將半導體元件非搭載基板配置於另一方的模具之配置步驟；將上模具及下模具進行加壓並將多餘的熱硬化性樹脂排出至第1空腔的外部之樹脂排出步驟；以及一邊將上模具及下模具進行加壓一邊使熱硬化性樹脂成形，使半導體元件搭載基板、半導體元件非搭載基板、及密封層一體化之一體化步驟。
简体摘要： 本发明之课题为提供一种半导体设备之制造方法，其系无须进行因应于以往因填料所导致的翘曲对策及密封层形成时的不良组件数目之树脂填充量的调整，而减少繁杂的步骤，同时能够制造减低翘曲，且耐热性、耐湿性优异的半导体设备。 本发明之解决手段为一种半导体设备之制造方法，其系具有：于半导体组件非搭载基板上，载置比密封层之形成所需要的量更多量的热硬化性树脂之树脂载置步骤；将第1空腔内从室温加热至200℃，将半导体组件搭载基板配置于成形模具之上模具及下模具其中一方的模具，并将半导体组件非搭载基板配置于另一方的模具之配置步骤；将上模具及下模具进行加压并将多余的热硬化性树脂排出至第1空腔的外部之树脂排出步骤；以及一边将上模具及下模具进行加压一边使热硬化性树脂成形，使半导体组件搭载基板、半导体组件非搭载基板、及密封层一体化之一体化步骤。
-
公开(公告)号：TWI479632B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW100141699
申请日：2011-11-15
发明人： 黃美玲 , NG, CATHERINE BEE LIANG , 李潤基 , LE, KRIANGSAK SAE , 袁敬強 , WANG, CHUEN KHIANG , 撒切黃桑 納撒尼爾 , SUTHIWONGSUNTHORN, NATHAPONG
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/20 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
-
公开(公告)号：TW201513239A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103125386
申请日：2014-07-24
发明人： 志賀豪士 , SHIGA, GOJI , 盛田浩介 , MORITA, KOSUKE , 飯野智繪 , IINO, CHIE , 石坂剛 , ISHIZAKA, TSUYOSHI
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L21/568 , B32B7/00 , B32B7/02 , B32B7/12 , B32B27/00 , B32B27/06 , B32B27/18 , B32B2305/72 , B32B2307/20 , B32B2307/202 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/14181 , H01L2224/16146 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/73104 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
摘要： 本發明之半導體裝置之製造方法包括如下步驟：準備將半導體晶片固定於支持體上而成之積層體的步驟A；準備具有25℃~200℃下之最低熔融黏度為10000Pa‧s以上之硬質層與25℃~200℃下之最低熔融黏度為50Pa‧s~9000Pa‧s之範圍內之埋入用樹脂層之密封用片材的步驟B；將半導體晶片埋入密封用片材之埋入用樹脂層中，而形成密封用片材中埋入有半導體晶片之密封體的步驟C；及於步驟C後，使密封用片材進行熱硬化之步驟D。
简体摘要： 本发明之半导体设备之制造方法包括如下步骤：准备将半导体芯片固定于支持体上而成之积层体的步骤A；准备具有25℃~200℃下之最低熔融黏度为10000Pa‧s以上之硬质层与25℃~200℃下之最低熔融黏度为50Pa‧s~9000Pa‧s之范围内之埋入用树脂层之密封用片材的步骤B；将半导体芯片埋入密封用片材之埋入用树脂层中，而形成密封用片材中埋入有半导体芯片之密封体的步骤C；及于步骤C后，使密封用片材进行热硬化之步骤D。
-
公开(公告)号：TW201513238A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103124660
申请日：2014-07-18
申请人： 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人： 王 建銘 , HENG, KIAN MENG , 高 英華 , GOH, HIN HWA , 卡普拉斯 瓊斯 阿爾文 , CAPARAS, JOSE ALVIN , 陳 康 , CHEN, KANG , 鄒 勝源 , CHOW, SENG GUAN , 林 耀劍 , LIN, YAOJIAN
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/09 , H01L24/19 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/96 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/12105 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要： 一種半導體裝置具有基板，帶有設置在所述基板上方的硬化層。所述基板的形狀為圓形或矩形。複數個半導體晶粒被設置在所述基板的一部分上方，同時留下所述基板的不含所述半導體晶粒的一開放區域。所述基板的不含所述半導體晶粒的所述開放區域包括中央區域或在所述半導體晶粒之間的間隙位置。所述半導體晶粒被設置於圍繞所述基板的周圍。囊封體沉積在所述半導體晶粒和所述基板上方。將所述基板移除，並且互連結構形成在所述半導體晶粒上方。藉由留下所述基板的不含所述半導體晶粒的所述預定區域，在所述半導體晶粒的熱膨脹係數和除去所述基板後重組的晶圓上的囊封體的熱膨脹係數之間的任何不匹配的翹曲效果降低。
简体摘要： 一种半导体设备具有基板，带有设置在所述基板上方的硬化层。所述基板的形状为圆形或矩形。复数个半导体晶粒被设置在所述基板的一部分上方，同时留下所述基板的不含所述半导体晶粒的一开放区域。所述基板的不含所述半导体晶粒的所述开放区域包括中央区域或在所述半导体晶粒之间的间隙位置。所述半导体晶粒被设置于围绕所述基板的周围。囊封体沉积在所述半导体晶粒和所述基板上方。将所述基板移除，并且互链接构形成在所述半导体晶粒上方。借由留下所述基板的不含所述半导体晶粒的所述预定区域，在所述半导体晶粒的热膨胀系数和除去所述基板后重组的晶圆上的囊封体的热膨胀系数之间的任何不匹配的翘曲效果降低。
-
公开(公告)号：TW201511145A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103125388
申请日：2014-07-24
发明人： 志賀豪士 , SHIGA, GOJI , 盛田浩介 , MORITA, KOSUKE , 飯野智繪 , IINO, CHIE , 石坂剛 , ISHIZAKA, TSUYOSHI
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/12105 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2924/1531 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： 本發明之半導體裝置之製造方法包括如下步驟：準備將半導體晶片固定於支持體上而成之積層體的步驟A；準備具有25℃~200℃下之最低熔融黏度為10000Pa‧s以上之硬質層與25℃~200℃下之最低熔融黏度為50~9000Pa‧s之範圍內之埋入用樹脂層之密封用片材的步驟B；將半導體晶片埋入密封用片材之埋入用樹脂層中，而形成密封用片材中埋入有半導體晶片之密封體的步驟C；於步驟C後，對密封體之密封用片材進行研磨而使半導體晶片之背面露出之步驟D；及於步驟D後，使密封用片材進行熱硬化之步驟E。
简体摘要： 本发明之半导体设备之制造方法包括如下步骤：准备将半导体芯片固定于支持体上而成之积层体的步骤A；准备具有25℃~200℃下之最低熔融黏度为10000Pa‧s以上之硬质层与25℃~200℃下之最低熔融黏度为50~9000Pa‧s之范围内之埋入用树脂层之密封用片材的步骤B；将半导体芯片埋入密封用片材之埋入用树脂层中，而形成密封用片材中埋入有半导体芯片之密封体的步骤C；于步骤C后，对密封体之密封用片材进行研磨而使半导体芯片之背面露出之步骤D；及于步骤D后，使密封用片材进行热硬化之步骤E。
-
公开(公告)号：TWI476841B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW101107145
申请日：2012-03-03
发明人： 張江城 , CHANG, CHIANG CHENG , 李孟宗 , LEE, MENG TSUNG , 黃榮邦 , HUANG, JUNG PANG , 邱世冠 , CHIU, SHIH KUANG
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L23/5389 , H01L24/09 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/96 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/3511 , H01L2224/19 , H01L2924/014 , H01L2924/00
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
1239 条记录 (耗时 0.03 秒)
