公开(公告)号：TW201139758A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：TW099114609

申请日：2010-05-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 張家棟 ,  鄭明達 ,  何明哲 ,  劉重希

IPC: C25D

Abstract: 一種直立式電鍍設備,用以對一晶圓進行電鍍,包括一電鍍槽、一晶座以及一磁致動單元。電鍍槽呈放一電鍍液。晶座夾持該晶圓,並將該晶圓浸入該電鍍液之中。磁致動單元旋轉該晶座,藉此以在該電鍍液中旋轉該晶圓,以均勻化該晶圓的電鍍效果。

Abstract in simplified Chinese: 一种直立式电镀设备,用以对一晶圆进行电镀,包括一电镀槽、一晶座以及一磁致动单元。电镀槽呈放一电镀液。晶座夹持该晶圆,并将该晶圆浸入该电镀液之中。磁致动单元旋转该晶座,借此以在该电镀液中旋转该晶圆,以均匀化该晶圆的电镀效果。

公开(公告)号：TW201133733A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW099130986

申请日：2010-09-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 劉重希 ,  黃見翎 ,  何明哲

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本發明一實施例提供一種積體電路元件,包括一半導體基板;一接墊部分,位於半導體基板上;以及一金屬化結構,位於接墊部分上並與接墊部分電性連接,其中金屬化結構包括一第一金屬層,位於接墊部分上;一第一保護層,位於第一金屬層上;以及一第二金屬層,位於第一保護層上,其中第一保護層為一包含鍺、矽、氮或前述之組合的含銅層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种集成电路组件,包括一半导体基板;一接垫部分,位于半导体基板上;以及一金属化结构,位于接垫部分上并与接垫部分电性连接,其中金属化结构包括一第一金属层,位于接垫部分上;一第一保护层,位于第一金属层上;以及一第二金属层,位于第一保护层上,其中第一保护层为一包含锗、硅、氮或前述之组合的含铜层。

公开(公告)号：TW201730986A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105121359

申请日：2016-07-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 李明機 ,  LII, MIRNG JI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  古進譽 ,  KU, CHIN YU ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG JUI ,  卡林斯基 艾力克斯安德 ,  KALNITSKY, ALEXANDER ,  劉國洲 ,  LIU, KUO CHIO ,  何明哲 ,  HO, MING CHE ,  吳逸文 ,  WU, YI WEN ,  陳清暉 ,  CHEN, CHING HUI

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014

Abstract: 一種方法包括在一導電墊上方形成一第一介電層，在第一介電層上方形成一第二介電層，並且蝕刻第二介電層形成第一開口，第一介電層的一頂表面暴露至第一開口。形成一模板層填入第一開口。第二開口然後在模板層和第一介電層內形成，導電墊的一頂表面暴露至第二開口。一導電柱在第二開口裡形成。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法包括在一导电垫上方形成一第一介电层，在第一介电层上方形成一第二介电层，并且蚀刻第二介电层形成第一开口，第一介电层的一顶表面暴露至第一开口。形成一模板层填入第一开口。第二开口然后在模板层和第一介电层内形成，导电垫的一顶表面暴露至第二开口。一导电柱在第二开口里形成。

公开(公告)号：TW201142962A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：TW099117140

申请日：2010-05-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 劉乃碩 ,  何明哲 ,  鄭明達 ,  劉重希

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本發明揭露晶圓級迴銲設備及焊料球體與覆晶晶片組裝體的製造方法。所述晶圓級迴銲設備包括多個受熱區及一傳輸帶將一晶圓傳送至各受熱區。各受熱區包括一加熱盤具有同心圓配置的多個加熱體,一紅外線溫測裝置,及一控制器分別控制各加熱體的輸出,其中該紅外線溫測裝置監測該晶圓表面的多個區域的溫度,並即時回饋此溫度至該控制器使晶圓的表面的銲料凸塊受熱溫度均勻。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露晶圆级回焊设备及焊料球体与覆晶芯片组装体的制造方法。所述晶圆级回焊设备包括多个受热区及一传输带将一晶圆发送至各受热区。各受热区包括一加热盘具有同心圆配置的多个加热体,一红外线温测设备,及一控制器分别控制各加热体的输出,其中该红外线温测设备监测该晶圆表面的多个区域的温度,并实时回馈此温度至该控制器使晶圆的表面的焊料凸块受热温度均匀。

公开(公告)号：TW201205750A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：TW099137735

申请日：2010-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭明達 ,  呂文雄 ,  林志偉 ,  陳靜雯 ,  吳逸文 ,  張家棟 ,  何明哲 ,  劉重希

IPC: H01L

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 下述揭露的金屬凸塊結構其機制,可解決基板上導電層與連接至導電層之金屬凸塊兩者界面的分層問題。導電層可為金屬墊或頂金屬層。經由臨場沉積導電保護層於導電層(或導電底層上),金屬凸塊的凸塊下冶金層與導電層之間具有良好黏著力,並可減少界面分層。在某些實施例中,可省略凸塊下冶金層中的銅擴散阻障層。在某些實施例中,若金屬凸塊結構的沉積方法為非電鍍製程且金屬凸塊的組成不是銅,則可省略凸塊下金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 下述揭露的金属凸块结构其机制,可解决基板上导电层与连接至导电层之金属凸块两者界面的分层问题。导电层可为金属垫或顶金属层。经由临场沉积导电保护层于导电层(或导电底层上),金属凸块的凸块下冶金层与导电层之间具有良好黏着力,并可减少界面分层。在某些实施例中,可省略凸块下冶金层中的铜扩散阻障层。在某些实施例中,若金属凸块结构的沉积方法为非电镀制程且金属凸块的组成不是铜,则可省略凸块下金属层。

公开(公告)号：TW201001599A

公开(公告)日：2010-01-01

申请号：TW098120972

申请日：2009-06-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蕭義理 ,  余振華 ,  汪青蓉 ,  何明哲 ,  黃見翎 ,  洪瑞斌

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/67772 ,  H01L21/67017 ,  Y10S414/135

Abstract: 一種半導體製造系統，一種界面系統，一種承載器。在一界面系統的實施例中，一封裝室以及至少一閘門覆蓋該封裝室的開口。一機械系統置於該封裝室中，包含至少一支架用以支撐及傳送至少一基板。至少一第一管路耦接該封裝室，注入氣體於該封裝室中。一環境控制槽以及空氣循環系統耦接著該封裝室。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体制造系统，一种界面系统，一种承载器。在一界面系统的实施例中，一封装室以及至少一闸门覆盖该封装室的开口。一机械系统置于该封装室中，包含至少一支架用以支撑及发送至少一基板。至少一第一管路耦接该封装室，注入气体于该封装室中。一环境控制槽以及空气循环系统耦接着该封装室。

公开(公告)号：TW201205698A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：TW100100771

申请日：2011-01-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭明達 ,  何明哲 ,  劉重希 ,  黃見翎 ,  林正忠 ,  蔡惠榕 ,  林正怡

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11422 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/118 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13584 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13794 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13813 ,  H01L2224/13817 ,  H01L2224/13818 ,  H01L2224/1382 ,  H01L2224/13849 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/13857 ,  H01L2224/1386 ,  H01L2224/13866 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/93 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明一實施例提供一種半導體元件的形成方法,包括:提供一基底;於該基底上形成一銲料凸塊;將一少量元素導入至一區域中,該區域鄰接該銲料凸塊之一頂表面;以及對該銲料凸塊進行一迴焊製程以驅使該少量元素進入該銲料凸塊之中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种半导体组件的形成方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一焊料凸块;将一少量元素导入至一区域中,该区域邻接该焊料凸块之一顶表面;以及对该焊料凸块进行一回焊制程以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。

公开(公告)号：TWI653691B

公开(公告)日：2019-03-11

申请号：TW105121359

申请日：2016-07-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 李明機 ,  LII, MIRNG JI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  古進譽 ,  KU, CHIN YU ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG JUI ,  卡林斯基 艾力克斯安德 ,  KALNITSKY, ALEXANDER ,  劉國洲 ,  LIU, KUO CHIO ,  何明哲 ,  HO, MING CHE ,  吳逸文 ,  WU, YI WEN ,  陳清暉 ,  CHEN, CHING HUI

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

公开(公告)号：TW201115664A

公开(公告)日：2011-05-01

申请号：TW099133665

申请日：2010-10-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 劉重希 ,  林正忠 ,  何明哲 ,  林國誠 ,  周孟緯

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本發明提供形成積體電路結構的方法,包含在晶圓上形成含銅晶種層,以及在含銅晶種層暴露出來的表面上進行表面殘留物去除步驟,表面殘留物去除步驟使用含有氟與氧的製程氣體進行,然後在含銅晶種層暴露出來的表面上使用含氮氣體進行還原吹淨步驟,之後在含銅晶種層上電鍍含銅層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供形成集成电路结构的方法,包含在晶圆上形成含铜晶种层,以及在含铜晶种层暴露出来的表面上进行表面残留物去除步骤,表面残留物去除步骤使用含有氟与氧的制程气体进行,然后在含铜晶种层暴露出来的表面上使用含氮气体进行还原吹净步骤,之后在含铜晶种层上电镀含铜层。