公开(公告)号：TWI518812B

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：TW100102447

申请日：2011-01-24

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 潘斯 拉簡德拉D ,  PENDSE, RAJENDRA D.

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81805

公开(公告)号：TWI311348B

公开(公告)日：2009-06-21

申请号：TW095122688

申请日：2006-06-23

申请人： 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

发明人： 西村隆雄 NISHIMURA, TAKAO ,  熊谷欣一 KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  高島晃 TAKASHIMA, AKIRA ,  中村公一 NAKAMURA, KOUICHI ,  合葉和之 AIBA, KAZUYUKI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05005

摘要： 一半導體裝置包括一種半導體元件,該半導體元件具有一外部連接端子襯墊被提供的主表面。該半導體元件係經由被提供於該外部連接端子襯墊上的數個凸形的外部連接端子與一連接構件而被連接至於一支持板上的傳導層;以及該連接構件通常覆蓋該等凸形的外部連接端子。

简体摘要： 一半导体设备包括一种半导体组件,该半导体组件具有一外部连接端子衬垫被提供的主表面。该半导体组件系经由被提供于该外部连接端子衬垫上的数个凸形的外部连接端子与一连接构件而被连接至于一支持板上的传导层;以及该连接构件通常覆盖该等凸形的外部连接端子。

公开(公告)号：TW201244182A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW101102646

申请日：2012-01-20

申请人： 皇家飛利浦電子股份有限公司

发明人： 史坦格沃 丹尼爾

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明揭示一種用以支撐發光裝置(LED)結構之生長之基板,其係用以支撐一上部結構在LED結構上之建立。較佳地,該上部結構係建立為一系列層,其包含形成自LED結構至該上部結構之頂部之一導電路徑之導電元件以及提供發光裝置之結構支撐。該結構隨後經倒置使得該上部結構變為LED結構之載體基板,且薄化或移除原基板。使用促進電傳導及絕緣以及熱傳導及消散之材料來建立該結構。

简体摘要： 本发明揭示一种用以支撑发光设备(LED)结构之生长之基板,其系用以支撑一上部结构在LED结构上之创建。较佳地,该上部结构系创建为一系列层,其包含形成自LED结构至该上部结构之顶部之一导电路径之导电组件以及提供发光设备之结构支撑。该结构随后经倒置使得该上部结构变为LED结构之载体基板,且薄化或移除原基板。使用促进电传导及绝缘以及热传导及消散之材料来创建该结构。

公开(公告)号：TW201232681A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：TW100102447

申请日：2011-01-24

申请人： 史達晶片有限公司

发明人： 潘斯 拉簡德拉D

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81805

摘要： 一種半導體裝置係具有一半導體晶粒,其中複數個複合的凸塊係形成在該半導體晶粒的一表面之上。該些複合的凸塊具有一可熔的部份以及不可熔的部份,例如一導電柱以及形成在該導電柱之上的凸塊。該些複合的凸塊亦可以是漸縮的。具有互連位置的導電線路係被形成在一基板之上,該些互連位置具有從一平面圖來看平行於該導電線路的邊緣以用於增加逸散的繞線密度。該互連位置可具有一小於該導電線路的寬度的1.2倍之寬度。該些複合的凸塊係比該些互連位置寬。該些複合的凸塊之可熔的部份係連結到該些互連位置以使得該可熔的部份覆蓋該些互連位置的一頂表面及側表面。一封裝材料係沉積在該半導體晶粒及基板間之複合的凸塊的周圍。

简体摘要： 一种半导体设备系具有一半导体晶粒,其中复数个复合的凸块系形成在该半导体晶粒的一表面之上。该些复合的凸块具有一可熔的部份以及不可熔的部份,例如一导电柱以及形成在该导电柱之上的凸块。该些复合的凸块亦可以是渐缩的。具有互连位置的导电线路系被形成在一基板之上,该些互连位置具有从一平面图来看平行于该导电线路的边缘以用于增加逸散的绕线密度。该互连位置可具有一小于该导电线路的宽度的1.2倍之宽度。该些复合的凸块系比该些互连位置宽。该些复合的凸块之可熔的部份系链接到该些互连位置以使得该可熔的部份覆盖该些互连位置的一顶表面及侧表面。一封装材料系沉积在该半导体晶粒及基板间之复合的凸块的周围。

公开(公告)号：TW200941768A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：TW097144260

申请日：2008-11-14

申请人： 松下電器產業股份有限公司

发明人： 龜井英德

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/647 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05109 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14132 ,  H01L2224/14142 ,  H01L2224/14152 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明涉及一種半導體發光裝置。在基板的一面形成發光層並在形成了發光層的同一側形成了n側電極和p側電極之半導體發光裝置中，有必要使半導體發光元件所產生的熱向子基板散發。但是，存在下述課題，即：按照電極的大小和形狀各種各樣的半導體發光元件製作並管理兼具逐次散熱功能的連接部件是非常繁瑣的。提高n側電極附近之p側凸塊的形成密度。其結果是半導體發光元件和子基板之間在n側電極附近的熱傳導面積增加，散熱效果提高。

简体摘要： 本发明涉及一种半导体发光设备。在基板的一面形成发光层并在形成了发光层的同一侧形成了n侧电极和p侧电极之半导体发光设备中，有必要使半导体发光组件所产生的热向子基板散发。但是，存在下述课题，即：按照电极的大小和形状各种各样的半导体发光组件制作并管理兼具逐次散热功能的连接部件是非常繁琐的。提高n侧电极附近之p侧凸块的形成密度。其结果是半导体发光组件和子基板之间在n侧电极附近的热传导面积增加，散热效果提高。

公开(公告)号：TWI562301B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW102144412

申请日：2013-12-04

申请人： 日立製作所股份有限公司 ,  HITACHI, LTD.

发明人： 谷江尚史 ,  TANIE, HISASHI ,  池田靖 ,  IKEDA, OSAMU

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5382 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/033 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0383 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/0901 ,  H01L2224/0905 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/095 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201639115A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105101041

申请日：2016-01-13

申请人： 迪睿合股份有限公司 ,  DEXERIALS CORPORATION

发明人： 阿久津恭志 ,  AKUTSU, YASUSHI ,  石松朋之 ,  ISHIMATSU, TOMOYUKI

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/46

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27515 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81101 ,  H01L2224/81122 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83122 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432

摘要： 本發明提供一種多層基板，積層有具有貫通電極之半導體基板，導通特性優異，且可低成本地製造。於俯視多層基板時，導電粒子選擇性地存在於貫通電極對向之位置。多層基板具有如下連接構造：對向之貫通電極藉由導電粒子而連接，形成有該貫通電極之半導體基板彼此藉由絕緣接著劑而接著。

简体摘要： 本发明提供一种多层基板，积层有具有贯通电极之半导体基板，导通特性优异，且可低成本地制造。于俯视多层基板时，导电粒子选择性地存在于贯通电极对向之位置。多层基板具有如下连接构造：对向之贯通电极借由导电粒子而连接，形成有该贯通电极之半导体基板彼此借由绝缘接着剂而接着。

公开(公告)号：TW201448222A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103108778

申请日：2014-03-12

申请人： 微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： 迪克斯 喬葛瑞 ,  DIX, GREGORY ,  梅爾雀 羅傑 ,  MELCHER, ROGER

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14163 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 本發明揭示一種半導體功率晶片，其可具有：一半導體晶粒，其具有製造於其一基板上之一功率器件，其中該功率器件具有配置在該半導體晶粒之頂部上之至少一個第一接觸元件、複數個第二接觸元件及複數個第三接觸元件；及一絕緣層，其安置在該半導體晶粒之頂部上且經圖案化以提供接達該複數個第二及第三接觸元件以及該至少一個第一接觸元件之開口。

简体摘要： 本发明揭示一种半导体功率芯片，其可具有：一半导体晶粒，其具有制造於其一基板上之一功率器件，其中该功率器件具有配置在该半导体晶粒之顶部上之至少一个第一接触组件、复数个第二接触组件及复数个第三接触组件；及一绝缘层，其安置在该半导体晶粒之顶部上且经图案化以提供接达该复数个第二及第三接触组件以及该至少一个第一接触组件之开口。

公开(公告)号：TW201442172A

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW102144412

申请日：2013-12-04

申请人： 日立製作所股份有限公司 ,  HITACHI, LTD.

发明人： 谷江尚史 ,  TANIE, HISASHI ,  池田靖 ,  IKEDA, OSAMU

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5382 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/033 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0383 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/0901 ,  H01L2224/0905 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/095 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係一種半導體裝置及其製造方法，其中，為了使具有半導體晶片(1)則藉由接合構件(2a，2b)而電性連接於導電構件(3a，3b)之安裝構造之半導體裝置的熱阻抗之降低與熱變形吸收性之提升並存，接合構件(2a，2b)係具有層積構造，該層積構造具備從接近於半導體晶片(1)側依序具有以具有奈米級尺寸之複數之彈簧加以構成之奈米彈簧層(4)，和支持前述複數之彈簧之平面層(5)，和接合層(6)之層積構造，而奈米彈簧層(4)之厚度係較接合層(6)之厚度為大，接合層(6)之厚度係較平面層(5)之厚度為大者。

简体摘要： 本发明系一种半导体设备及其制造方法，其中，为了使具有半导体芯片(1)则借由接合构件(2a，2b)而电性连接于导电构件(3a，3b)之安装构造之半导体设备的热阻抗之降低与热变形吸收性之提升并存，接合构件(2a，2b)系具有层积构造，该层积构造具备从接近于半导体芯片(1)侧依序具有以具有奈米级尺寸之复数之弹簧加以构成之奈米弹簧层(4)，和支持前述复数之弹簧之平面层(5)，和接合层(6)之层积构造，而奈米弹簧层(4)之厚度系较接合层(6)之厚度为大，接合层(6)之厚度系较平面层(5)之厚度为大者。

公开(公告)号：TWI579999B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW105112033

申请日：2016-04-18

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

发明人： 邱琬婷 ,  CHIU, WAN TING ,  陳建汎 ,  CHEN, CHIEN FAN

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/35