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    Methods for fabricating semiconductor memory with process induced strain
    1.
    发明授权
    Methods for fabricating semiconductor memory with process induced strain 有权
    用工艺诱导应变制造半导体存储器的方法

    公开(公告)号：US08691648B1

    公开(公告)日：2014-04-08

    申请号：US13168711

    申请日：2011-06-24

    申请人： Igor Polishchuk ,  Sagy Levy ,  Krishnaswamy Ramkumar ,  Jeong Soo Byun

    发明人： Igor Polishchuk ,  Sagy Levy ,  Krishnaswamy Ramkumar ,  Jeong Soo Byun

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

    摘要： Non-volatile semiconductor memories and methods of fabricating the same to improve performance thereof are provided. In one embodiment, the method includes: (i) forming a gate for a non-volatile memory transistor on a surface of a substrate overlaying a channel region formed therein, the gate including a charge trapping layer; and (ii) forming a strain inducing structure over the gate of the non-volatile memory transistor to increase charge retention of the charge trapping layer. Preferably, the memory transistor is a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) transistor comprising a SONOS gate stack. More preferably, the memory also includes a logic transistor on the substrate, and the step of forming a strain inducing structure comprises the step of forming the strain inducing structure over the logic transistor. Other embodiments are also disclosed.

    摘要翻译： 提供非易失性半导体存储器及其制造方法以改善其性能。 在一个实施例中，该方法包括：（i）在覆盖其中形成的沟道区的衬底的表面上形成用于非易失性存储晶体管的栅极，栅极包括电荷俘获层; 和（ii）在非易失性存储晶体管的栅极上形成应变诱导结构，以增加电荷俘获层的电荷保留。 优选地，存储晶体管是包括SONOS栅极堆叠的氧化硅 - 氧化物 - 氮化物 - 氧化物 - 硅（SONOS）晶体管。 更优选地，存储器还包括在衬底上的逻辑晶体管，并且形成应变诱导结构的步骤包括在逻辑晶体管上形成应变诱导结构的步骤。 还公开了其他实施例。

    LOW TEMPERATURE OXIDE FORMATION
    2.
    发明申请
    LOW TEMPERATURE OXIDE FORMATION 审中-公开
    低温氧化物形成

    公开(公告)号：US20080166893A1

    公开(公告)日：2008-07-10

    申请号：US11969125

    申请日：2008-01-03

    申请人： Jeong Soo Byun ,  Krishnaswamy Ramkumar

    发明人： Jeong Soo Byun ,  Krishnaswamy Ramkumar

    IPC分类号： H01L21/321

    CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/28044 ,  H01L29/4925

    摘要： A method of forming a semiconductor structure includes oxidizing a gate stack at a temperature of at most 600° C. with a plasma prepared from a gas mixture. The gas mixture includes an oxygen-containing gas and ammonia, and the gate stack is on a semiconductor substrate. The gate stack contains a gate layer, a conductive layer on the gate layer, a metal layer on the conductive layer, and a capping layer on the metal layer.

    摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括用气体混合物制备的等离子体在至多600℃的温度下氧化栅极叠层。 气体混合物包括含氧气体和氨，并且栅极堆叠在半导体衬底上。 栅极堆叠包含栅极层，栅极层上的导电层，导电层上的金属层和金属层上的覆盖层。

    Oxide formation in a plasma process
    3.
    发明授权
    Oxide formation in a plasma process 有权
    在等离子体工艺中形成氧化物

    公开(公告)号：US08822349B1

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：US13401712

    申请日：2012-02-21

    申请人： Jeong Soo Byun ,  Krishnaswamy Ramkumar

    发明人： Jeong Soo Byun ,  Krishnaswamy Ramkumar

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02326

    摘要： A method of making a semiconductor structure is provided. The method includes forming a dielectric layer using a high density plasma oxidation process. The dielectric layer is on a storage layer and the thickness of the storage layer is reduced during the high density plasma oxidation process.

    摘要翻译： 提供制造半导体结构的方法。 该方法包括使用高密度等离子体氧化工艺形成介电层。 电介质层在存储层上，并且在高密度等离子体氧化过程中存储层的厚度减小。

    Oxide formation in a plasma process
    4.
    发明授权
    Oxide formation in a plasma process 有权
    在等离子体工艺中形成氧化物

    公开(公告)号：US08119538B1

    公开(公告)日：2012-02-21

    申请号：US11836683

    申请日：2007-08-09

    申请人： Jeong Soo Byun ,  Krishnaswamy Ramkumar

    发明人： Jeong Soo Byun ,  Krishnaswamy Ramkumar

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02326

    摘要： A method of making a semiconductor structure is provided. The method includes forming a dielectric layer using a high density plasma oxidation process. The dielectric layer is on a storage layer and the thickness of the storage layer is reduced during the high density plasma oxidation process.

    摘要翻译： 提供制造半导体结构的方法。 该方法包括使用高密度等离子体氧化工艺形成介电层。 电介质层在存储层上，并且在高密度等离子体氧化过程中存储层的厚度减小。

    ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS
    5.
    发明申请
    ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS 有权
    原子层沉积装置

    公开(公告)号：US20120006265A1

    公开(公告)日：2012-01-12

    申请号：US13235855

    申请日：2011-09-19

    申请人： BARRY L. CHIN ,  Alfred W. Mak ,  Lawrence Chung-Lai Lei ,  Ming Xi ,  Hua Chung ,  Ken Kaung Lai ,  Jeong Soo Byun

    发明人： BARRY L. CHIN ,  Alfred W. Mak ,  Lawrence Chung-Lai Lei ,  Ming Xi ,  Hua Chung ,  Ken Kaung Lai ,  Jeong Soo Byun

    IPC分类号： C23C16/455

    CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4583

    摘要： A method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) is described. In one embodiment, an apparatus comprises a vacuum chamber body having a contiguous internal volume comprised of a first deposition region spaced-apart from a second deposition region, the chamber body having a feature operable to minimize intermixing of gases between the first and the second deposition regions, a first gas port formed in the chamber body and positioned to pulse gas preferentially to the first deposition region to enable a first deposition process to be performed in the first deposition region, and a second gas port formed in the chamber body and positioned to pulse gas preferentially to the second deposition region to enable a second deposition process to be performed in the second deposition region is provided.

    摘要翻译： 描述了用于原子层沉积（ALD）的方法和装置。 在一个实施例中，一种装置包括具有连续的内部容积的真空室主体，其包括与第二沉积区域间隔开的第一沉积区域，所述室主体具有可操作以最小化第一和第二沉积物之间的气体混合的特征 区域，形成在所述室主体中并且定位成优先地将气体脉冲至所述第一沉积区域的第一气体端口，以使得能够在所述第一沉积区域中执行第一沉积工艺，以及形成在所述室主体中并定位成 优选提供脉冲气体到第二沉积区域以使得能够在第二沉积区域中进行第二沉积工艺。

    Forming metal silicide on silicon-containing features of a substrate
    7.
    发明授权
    Forming metal silicide on silicon-containing features of a substrate 失效
    在基底的含硅特征上形成金属硅化物

    公开(公告)号：US07485556B2

    公开(公告)日：2009-02-03

    申请号：US11084450

    申请日：2005-03-18

    申请人： Jeong Soo Byun ,  Jianxin Lei ,  Lisa Yang ,  Hien-Minh Huu Le

    发明人： Jeong Soo Byun ,  Jianxin Lei ,  Lisa Yang ,  Hien-Minh Huu Le

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： C23C14/165 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

    摘要： A metal silicide layer is formed on silicon-containing features of a substrate in a chamber. A metal film is sputter deposited on the substrate and a portion of the sputter deposited metal film is silicided. In the process, sputtering gas is energized by applying an electrical bias potential across the metal sputtering target and the substrate support to sputter deposit metal from a target onto the substrate. At least a portion of the deposited sputtered metal is silicided by heating the substrate to a silicidation temperature exceeding about 200° C. to form a combined sputtered metal and metal silicide layer on the substrate. The remaining sputtered metal can be silicided by maintaining the substrate at the silicidation temperature to form the metal silicide layer.

    摘要翻译： 在室中的衬底的含硅特征上形成金属硅化物层。 金属膜被溅射沉积在衬底上，溅射沉积的金属膜的一部分被硅化。 在该过程中，溅射气体通过在金属溅射靶和衬底支撑件上施加电偏压来激发，以将金属从靶溅射到衬底上。 沉积的溅射金属的至少一部分通过将衬底加热到​​超过约200℃的硅化温度来硅化，以在衬底上形成组合的溅射金属和金属硅化物层。 剩余的溅射金属可以通过将衬底保持在硅化温度下来硅化，形成金属硅化物层。

    Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
    10.
    发明授权
    Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques 失效
    使用化学吸附技术形成硼化物阻挡层

    公开(公告)号：US06620723B1

    公开(公告)日：2003-09-16

    申请号：US09604943

    申请日：2000-06-27

    申请人： Jeong Soo Byun ,  Alfred Mak

    发明人： Jeong Soo Byun ,  Alfred Mak

    IPC分类号： H01L214763

    CPC分类号： C23C16/45529 ,  C23C16/38 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846

    摘要： A method of forming a boride layer for integrated circuit fabrication is disclosed. In one embodiment, the boride layer is formed by chemisorbing monolayers of a boron containing compound and one refractory metal compound onto a substrate. In an alternate embodiment, the boride layer has a composite structure. The composite boride layer structure comprises two or more refractory metals. The composite boride layer is formed by sequentially chemisorbing monolayers of a boron compound and two or more refractory metal compounds on a substrate.

    摘要翻译： 公开了形成用于集成电路制造的硼化物层的方法。 在一个实施方案中，硼化物层通过将含硼化合物和一种难熔金属化合物的单层化学吸附到基底上而形成。 在替代实施例中，硼化物层具有复合结构。 复合硼化物层结构包括两种或多种难熔金属。 复合硼化物层通过在基材上依次化学吸附硼化合物的单层和两种或更多种难熔金属化合物而形成。