公开(公告)号：US07253123B2

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US11032859

申请日：2005-01-10

申请人： Reza Arghavani ,  Michael Chiu Kwan ,  Li-Qun Xia ,  Kang Sub Yim

发明人： Reza Arghavani ,  Michael Chiu Kwan ,  Li-Qun Xia ,  Kang Sub Yim

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6659

摘要： A method for forming sidewall spacers on a gate stack by depositing one or more layers of silicon containing materials using PECVD process(es) on a gate structure to produce a spacer having an overall k value of about 3.0 to about 5.0. The silicon containing materials may be silicon carbide, oxygen doped silicon carbide, nitrogen doped silicon carbide, carbon doped silicon nitride, nitrogen doped silicon oxycarbide, or combinations thereof. The deposition is performed in a plasma enhanced chemical vapor deposition chamber and the deposition temperature is less than 450° C. The sidewall spacers so produced provide good capacity resistance, as well as excellent structural stability and hermeticity.

摘要翻译： 一种用于在栅极堆叠上形成侧壁间隔物的方法，其通过在栅极结构上使用PECVD工艺沉积一层或多层含硅材料以产生具有约3.0至约5.0的总k值的间隔物。 含硅材料可以是碳化硅，氧掺杂碳化硅，氮掺杂碳化硅，碳掺杂氮化硅，氮掺杂碳氧化碳或其组合。 沉积在等离子体增强化学气相沉积室中进行，并且沉积温度低于450℃。如此制备的侧壁间隔物提供了良好的容量阻力以及良好的结构稳定性和气密性。

公开(公告)号：US20070042610A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11537928

申请日：2006-10-02

申请人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

发明人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/325 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： A method is provided for processing a substrate including providing a processing gas comprising an organosilicon compound comprising a phenyl group to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit a low k silicon carbide barrier layer useful as a barrier layer in damascene or dual damascene applications with low k dielectric materials.

摘要翻译： 提供了一种处理基材的方法，包括提供包含含有苯基的有机硅化合物的处理气体至处理室，并使处理气体反应沉积在大马士革或双镶嵌中可用作阻挡层的低k碳化硅阻挡层 低k电介质材料的应用。

公开(公告)号：US07160821B2

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：US10765361

申请日：2004-01-27

申请人： Tzu-Fang Huang ,  Yung-Cheng Lu ,  Li-Qun Xia ,  Ellie Yieh ,  Wai-Fan Yau ,  David W. Cheung ,  Ralf B. Willecke ,  Kuowei Liu ,  Ju-Hyung Lee ,  Farhad K. Moghadam ,  Yeming Jim Ma

发明人： Tzu-Fang Huang ,  Yung-Cheng Lu ,  Li-Qun Xia ,  Ellie Yieh ,  Wai-Fan Yau ,  David W. Cheung ,  Ralf B. Willecke ,  Kuowei Liu ,  Ju-Hyung Lee ,  Farhad K. Moghadam ,  Yeming Jim Ma

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/31612 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1031

摘要： A silicon oxide layer is produced by plasma enhanced decomposition of an organosilicon compound to deposit films having a carbon content of at least 1% by atomic weight. An optional carrier gas may be introduced to facilitate the deposition process at a flow rate less than or equal to the flow rate of the organosilicon compounds. An oxygen rich surface may be formed adjacent the silicon oxide layer by temporarily increasing oxidation of the organosilicon compound.

摘要翻译： 氧化硅层通过有机硅化合物的等离子体增强分解产生，以沉积碳原子量至少为1％的膜。 可以引入任选的载气，以便以小于或等于有机硅化合物的流速的流速促进沉积过程。 可以通过暂时增加有机硅化合物的氧化而在氧化硅层附近形成富氧表面。

公开(公告)号：US07157384B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US11021319

申请日：2004-12-22

申请人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

发明人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for depositing a silicon carbide layer having significantly reduced current leakage. The silicon carbide layer may be a barrier layer or part of a barrier bilayer that also includes a barrier layer. Methods for depositing oxygen-doped silicon carbide barrier layers are also provided. The silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising an organosilicon compound, an aliphatic hydrocarbon comprising a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond, and optionally, helium in a plasma. Alternatively, the silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising hydrogen or argon and an organosilicon compound in a plasma.

摘要翻译： 提供了用于沉积具有显着降低的电流泄漏的碳化硅层的方法。 碳化硅层可以是还包括阻挡层的阻挡层或阻挡层双层的一部分。 还提供了沉积氧掺杂的碳化硅阻挡层的方法。 可以通过使包含有机硅化合物，包含碳 - 碳双键或碳 - 碳三键的脂族烃和任选地在等离子体中的氦气的气体混合物反应来沉积碳化硅层。 或者，可以通过在等离子体中使包含氢或氩的气体混合物和有机硅化合物反应来沉积碳化硅层。

公开(公告)号：US07132353B1

公开(公告)日：2006-11-07

申请号：US11195398

申请日：2005-08-02

申请人： Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Troy Kim ,  Vladamir Zubkov ,  Ritwik Bhatia

发明人： Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Troy Kim ,  Vladamir Zubkov ,  Ritwik Bhatia

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/3145 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method of forming a sidewall spacer on a gate electrode is described. The method includes generating a first plasma from a silicon containing precursor and oxide precursor, and forming a silicon oxy-nitride layer on the sidewall of the gate electrode. The method also includes generating a second plasma from the silicon containing precursor and a nitrogen precursor, and forming a nitride layer on the silicon oxy-nitride layer. The silicon containing precursor can flow continuously between the generation of the first and the second plasmas. Also, a method of forming a sidewall spacer on the side of a gate electrode on a substrate. The method includes forming an oxy-nitride layer on the sidewall, and forming a nitride layer on the oxy-nitride layer, where the substrate wafer is not exposed to air between the formation of the layers.

摘要翻译： 描述了在栅极上形成侧壁间隔物的方法。 该方法包括从含硅前体和氧化物前体产生第一等离子体，并在栅电极的侧壁上形成氮氧化硅层。 该方法还包括从含硅前体和氮前体产生第二等离子体，并在氮氧化硅层上形成氮化物层。 含硅前体可以在第一和第二等离子体的产生之间连续流动。 另外，在基板上的栅电极侧形成侧墙的方法。 该方法包括在侧壁上形成氮氧化物层，并且在氧化氮化物层上形成氮化物层，其中衬底晶片在层的形成之间不暴露于空气。

公开(公告)号：US07125813B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10828441

申请日：2004-04-20

申请人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

发明人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/325 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： A method is provided for processing a substrate including providing a processing gas comprising an organosilicon compound comprising a phenyl group to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit a low k silicon carbide barrier layer useful as a barrier layer in damascene or dual damascene applications with low k dielectric materials.

摘要翻译： 提供了一种处理基材的方法，包括提供包含含有苯基的有机硅化合物的处理气体至处理室，并使处理气体反应沉积在大马士革或双镶嵌中可用作阻挡层的低k碳化硅阻挡层 低k电介质材料的应用。

公开(公告)号：US07091137B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10888110

申请日：2004-07-09

申请人： Albert Lee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Bok Hoen Kim ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek Le

发明人： Albert Lee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Bok Hoen Kim ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek Le

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

摘要： Methods and apparatus are provided for processing a substrate with a bilayer barrier layer. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including depositing a nitrogen containing barrier layer on a substrate surface and then depositing a nitrogen free barrier layer thereon. The barrier layer may be deposited over dielectric materials, conductive materials, or both. The bilayer barrier layer may also be used as an etch stop, an anti-reflective coating, or a passivation layer.

摘要翻译： 提供了用于处理具有双层阻挡层的衬底的方法和装置。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底表面上沉积含氮阻挡层，然后在其上沉积无氮阻挡层。 阻挡层可以沉积在电介质材料，导电材料或两者上。 双层阻挡层也可以用作蚀刻停止层，抗反射涂层或钝化层。

公开(公告)号：US07074708B2

公开(公告)日：2006-07-11

申请号：US10789209

申请日：2004-02-27

申请人： Frederic Gaillard ,  Li-Qun Xia ,  Tian-Hoe Lim ,  Ellie Yieh ,  Wai-Fan Yau ,  Shin-Puu Jeng ,  Kuowei Liu ,  Yung-Cheng Lu

发明人： Frederic Gaillard ,  Li-Qun Xia ,  Tian-Hoe Lim ,  Ellie Yieh ,  Wai-Fan Yau ,  Shin-Puu Jeng ,  Kuowei Liu ,  Yung-Cheng Lu

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828

摘要： A method for processing a substrate including depositing a dielectric layer containing silicon, oxygen, and carbon on the substrate by chemical vapor deposition, wherein the dielectric layer has a carbon content of at least 1% by atomic weight and a dielectric constant of less than about 3, and depositing a silicon and carbon containing layer on the dielectric layer. The dielectric constant of a dielectric layer deposited by reaction of an organosilicon compound having three or more methyl groups is significantly reduced by further depositing an amorphous hydrogenated silicon carbide layer by reaction of an alkylsilane in a plasma of a relatively inert gas.

摘要翻译： 一种用于处理衬底的方法，包括通过化学气相沉积在衬底上沉积含有硅，氧和碳的电介质层，其中所述电介质层的碳含量至少为原子量的1％，介电常数小于约 并且在电介质层上沉积含硅和碳的层。 通过使烷基硅烷在相对惰性气体的等离子体中反应而进一步沉积非晶质氢化碳化硅层，沉积了具有三个或更多个甲基的有机硅化合物沉积的电介质层的介电常数显着降低。

公开(公告)号：US20060054183A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US11096986

申请日：2005-04-01

申请人： Thomas Nowak ,  Li-Qun Xia ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Brian Hopper ,  Yuri Trachuk ,  Ganesh Balasubramanian ,  Daemian Raj

发明人： Thomas Nowak ,  Li-Qun Xia ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Brian Hopper ,  Yuri Trachuk ,  Ganesh Balasubramanian ,  Daemian Raj

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： H01J37/32357 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J2237/335

摘要： A method and apparatus for cleaning a semiconductor manufacturing chamber comprising introducing a heteroatomic fluorine containing gas to a remote plasma source, disassociating the heteroatomic fluorine containing gas, forming diatomic fluorine, transporting gas from the remote plasma source into a processing region of the chamber, and ionizing the diatomic fluorine with an in situ plasma.

摘要翻译： 一种用于清洁半导体制造室的方法和设备，包括将杂原子含氟气体引入远程等离子体源，使含杂原子的氟化物气体分离，形成双原子氟，将气体从远程等离子体源输送到室的处理区域;以及 用原位血浆电离双原子氟。

公开(公告)号：US20060046479A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10929884

申请日：2004-08-30

申请人： Nagarajan Rajagopalan ,  Meiyee Shek ,  Albert Lee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Li-Qun Xia ,  Zhenjiang Cui

发明人： Nagarajan Rajagopalan ,  Meiyee Shek ,  Albert Lee ,  Annamalai Lakshmanan ,  Li-Qun Xia ,  Zhenjiang Cui

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02211 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods are provided for processing a substrate for depositing an adhesion layer between a conductive material and a dielectric layer. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including positioning a substrate having a conductive material disposed thereon, introducing a reducing compound or a silicon based compound, exposing the conductive material to the reducing compound or the silicon based compound, and depositing a silicon carbide layer without breaking vacuum.

摘要翻译： 提供了用于处理用于在导电材料和电介质层之间沉积粘合层的衬底的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括定位其上布置有导电材料的衬底，引入还原化合物或硅基化合物，将导电材料暴露于还原化合物或硅基化合物，以及沉积 没有破坏真空的碳化硅层。