公开(公告)号：US06458984B1

公开(公告)日：2002-10-01

申请号：US09540584

申请日：2000-03-31

申请人： Thomas H. Baum ,  Chongying Xu ,  Frank R. Hedges ,  David Daniel Bernhard ,  Brian L. Benac ,  Scott L. Battle ,  John M. Lansdown

发明人： Thomas H. Baum ,  Chongying Xu ,  Frank R. Hedges ,  David Daniel Bernhard ,  Brian L. Benac ,  Scott L. Battle ,  John M. Lansdown

IPC分类号： C07F704

CPC分类号： C07F7/045 ,  C07F7/20

摘要： A method of purifying tetraethylorthosilicate (TEOS) to remove boron impurities therefrom, and a related method of analyzing TEOS to determine concentration of boron impurities therein.

摘要翻译： 纯化原硅酸四乙酯（TEOS）以除去硼杂质的方法，以及分析TEOS以确定其中硼杂质浓度的相关方法。

公开(公告)号：US06338873B1

公开(公告)日：2002-01-15

申请号：US09610822

申请日：2000-07-06

申请人： Witold Paw ,  Thomas H. Baum

发明人： Witold Paw ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： C07F3/003 ,  C23C16/408 ,  C23C16/409

摘要： Novel Group II metal MOCVD precursor compositions are described having utility for MOCVD of the corresponding Group II metal-containing films. The complexes are Group II metal &bgr;-diketonate Lewis base adducts having ligands such as: (i) amines bearing terminal NH2 groups; (ii) imine ligands formed as amine (i)/carbonyl reaction products; (iii) combination of two or more of the foregoing ligands (i)-(ii), and (iv) combination of one or more of the foregoing ligands (i)-(ii) with one or more other ligands or solvents. The source reagent complexes of barium and strontium are usefully employed in the formation of barium strontium titanate and other Group II doped thin-films on substrates for microelectronic device applications, such as integrated circuits, ferroelectric memories, switches, radiation detectors, thin-film capacitors, microelectromechanical structures (MEMS) and holographic storage media.

摘要翻译： 描述了新的第II族金属MOCVD前体组合物用于相应的含II族金属膜的MOCVD。 络合物是具有配体的II族金属β-二酮酸酯路易斯碱加成物，其具有：（i）带有末端NH 2基团的胺; （ii）以胺（i）/羰基反应产物形成的亚胺配体; （iii）上述配体（i） - （ii）中的两种或更多种的组合，和（iv）一种或多种前述配体（i） - （ii）与一种或多种其它配体或溶剂的组合。 钡和锶的源试剂络合物可用于形成钛酸锶钡和其他第II类掺杂薄膜在用于微电子器件应用的衬底上，例如集成电路，铁电存储器，开关，辐射探测器，薄膜电容器 ，微机电结构（MEMS）和全息存储介质。

公开(公告)号：US06337148B1

公开(公告)日：2002-01-08

申请号：US09318440

申请日：1999-05-25

申请人： Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C07F108

CPC分类号： C07F1/08 ,  C07F1/005 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/1291

摘要： Copper precursors useful in liquid delivery CVD for forming a copper-containing material on a substrate. The disclosed copper precursors are particularly useful for metallization of interconnections in semiconductor device structures.

摘要翻译： 用于在基底上形成含铜材料的液体输送CVD中的铜前体。 所公开的铜前体对于在半导体器件结构中的互连的金属化是特别有用的。

公开(公告)号：US6162712A

公开(公告)日：2000-12-19

申请号：US008705

申请日：1998-01-16

申请人： Thomas H. Baum ,  Peter S. Kirlin ,  Sofia Pombrik

发明人： Thomas H. Baum ,  Peter S. Kirlin ,  Sofia Pombrik

IPC分类号： C07C49/12 ,  C07C49/167 ,  C07C49/92 ,  C07F15/00 ,  C07F17/02 ,  C23C14/26 ,  C23C16/18 ,  G06F12/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07C49/92 ,  C07F17/02 ,  H01L28/65

摘要： A platinum source reagent liquid solution, comprising:(i) at least one platinum source compound selected from the group consisting of compounds of the formulae:(A) RCpPt(IV)R'.sub.3 compounds, of the formula: ##STR1## wherein: R is selected from the group consisting of hydrogen, methyl, ethyl, i-propyl, n-propyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, trimethylsilyl and trimethylsilyl methyl; and each R' is independently selected from the group consisting of methyl, ethyl, i-propyl, n-propyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, trimethylsilyl and trimethylsilyl methyl; and(B) Pt(.beta.-diketonates).sub.2 of the formula: ##STR2## wherein: each R" is independently selected from the group consisting of methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, trifluoromethyl, perfluoroethyl, and perfluoro-n-propyl, and(ii) a solvent medium therefor.The platinum source reagent liquid solutions of the invention are readily employed in a chemical vapor deposition process system including a liquid delivery apparatus for volatilizing the source reagent liquid solution and transporting the resulting vapor to the chemical vapor deposition reactor for deposition of platinum on a substrate mounted in the CVD reactor.

摘要翻译： 一种铂源试剂液体溶液，其包含：（i）至少一种铂源化合物，其选自下式的化合物：（A）RCpPt（IV）R'3化合物，其具有下式：其中：R选自 由氢，甲基，乙基，异丙基，正丙基，正丁基，异丁基，叔丁基，三甲基甲硅烷基和三甲基甲硅烷基甲基组成的组; 并且每个R'独立地选自甲基，乙基，异丙基，正丙基，正丁基，异丁基，叔丁基，三甲基甲硅烷基和三甲基甲硅烷基甲基; 和（B）下式的Pt（β-二酮化合物）2：其中：每个R“独立地选自甲基，乙基，正丙基，异丙基，正丁基，异丁基，叔丁基 - 丁基，三氟甲基，全氟乙基和全氟正丙基，和（ⅱ）其溶剂介质。 本发明的铂源试剂液体溶液容易地用于包括用于挥发源试剂液体溶液并将所得蒸气输送到化学气相沉积反应器的液体输送装置的化学气相沉积工艺系统中，以将铂沉积在安装的基板上 在CVD反应器中。

公开(公告)号：US6133051A

公开(公告)日：2000-10-17

申请号：US107861

申请日：1998-06-30

申请人： Frank S. Hintermaier ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Debra A. Desrochers ,  Thomas H. Baum

发明人： Frank S. Hintermaier ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Debra A. Desrochers ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/00

CPC分类号： C04B35/18 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/58007 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/584 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/64 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/76

摘要： A metal oxide ceramic layer is formed from an amorphous film. The metal oxide ceramic layer comprises, for example, a Bi-based oxide ceramic, The amorphous Bi-based metal oxide layer is annealed to transformed it into a ferroelectric layer. A lower thermal budget is needed to transform the amorphous Bi-based metal oxide ceramic into the ferroelectric phase.

摘要翻译： 金属氧化物陶瓷层由非晶膜形成。 金属氧化物陶瓷层包括例如Bi基氧化物陶瓷。将非晶Bi基金属氧化物层退火以将其转变成铁电层。 需要较低的热预算来将无定形的Bi基金属氧化物陶瓷转变成铁电相。

公开(公告)号：US6120846A

公开(公告)日：2000-09-19

申请号：US996575

申请日：1997-12-23

申请人： Frank Hintermaier ,  Bryan Hendrix ,  Jeff Roeder ,  Peter Van Buskirk ,  Thomas H. Baum

发明人： Frank Hintermaier ,  Bryan Hendrix ,  Jeff Roeder ,  Peter Van Buskirk ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  H01B3/12 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  B05D5/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31691

摘要： A method is described for the selective deposition of bismuth based ferroelectric films by selective chemical vapor deposition on a substrate. Selectivity in the deposition process is attained by selection of substrate-precursor combinations which assure high bismuth deposition efficiency in certain areas and low bismuth deposition efficiency in other areas in combination with specific process parameters.

摘要翻译： 描述了通过选择性化学气相沉积在基底上选择性沉积铋基铁电薄膜的方法。 沉积过程中的选择性通过选择确保某些区域中高铋沉积效率的底物 - 前体组合，并结合特定工艺参数在其它区域中具有低铋沉积效率来实现。

公开(公告)号：US6110529A

公开(公告)日：2000-08-29

申请号：US484654

申请日：1995-06-07

申请人： Robin A. Gardiner ,  Peter S. Kirlin ,  Thomas H. Baum ,  Douglas Gordon ,  Timothy E. Glassman ,  Sofia Pombrik ,  Brian A. Vaartstra

发明人： Robin A. Gardiner ,  Peter S. Kirlin ,  Thomas H. Baum ,  Douglas Gordon ,  Timothy E. Glassman ,  Sofia Pombrik ,  Brian A. Vaartstra

IPC分类号： C07F3/00 ,  C07F5/00 ,  C07F7/00 ,  C07F9/00 ,  C07F19/00 ,  C23C16/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  G01T5/08 ,  G02B6/02 ,  G02B6/036 ,  H01L39/24

CPC分类号： C07F3/003 ,  C07F19/005 ,  C07F5/003 ,  C07F7/006 ,  C07F9/005 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4483 ,  C23C16/45561 ,  G02B6/02 ,  H01L39/2441

摘要： A method of forming on a substrate a metal film, comprising depositing said metal film on said substrate via chemical vapor deposition from a metalorganic complex of the formula:MA.sub.Y Xwherein:M is a y-valent metal;A is a monodentate or multidentate organic ligand coordinated to M which allows complexing of MA.sub.y with X;y is an integer having a value of 2, 3 or 4; each of the A ligands may be the same or different; andX is a monodentate or multidentate ligand coordinated to M and containing one or more atoms independently selected from the group consisting of atoms of the elements C, N, H, S, O and F.The metal M may be selected from the group consisting of Cu, Ba, Sr, La, Nd, Ce, Pr, Sm, Eu, Th, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Tl, Y, Pb, Ni, Pd, Pt, Al, Ga, In, Ag, Au, Co, Rh, Ir, Fe, Ru, Sn, Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Mg, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, and W. A may be selected from the group consisting of .beta.-diketonates, .beta.-thioketonates, cyclopentadienyls, alkyls, perfluoroalkyls, alkoxides, perfluoroalkoxides, and Schiff bases. X may for example comprise a ligand such as tetraglyme, tetrahydrofuran, bipyridine, crown ether, or thioether.

摘要翻译： 一种在衬底上形成金属膜的方法，包括通过化学气相沉积从所述下式的金属有机络合物沉积所述金属膜：其中：M为Y价金属; A是与M配位的单齿或多齿有机配体，其允许将MAy与X配位; y是值为2,3或4的整数; 每个A配体可以相同或不同; 并且X是与M配位并含有独立地选自元素C，N，H，S，O和F的原子的一个或多个原子的单齿或多齿配体。金属M可以选自 的Cu，Ba，Sr，La，Nd，Ce，Pr，Sm，Eu，Th，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Bi，Tl，Y，Pb，Ni， ，Al，Ga，In，Ag，Au，Co，Rh，Ir，Fe，Ru，Sn，Li，Na，K，Rb，Cs，Ca，Mg，Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr ，Mo和W.A可以选自β-二酮化合物，β-硫代酮酸酯，环戊二烯基，烷基，全氟烷基，烷氧基化物，全氟烷氧基化物和希夫碱。 X可以例如包括配体如四甘醇二甲醚，四氢呋喃，联吡啶，冠醚或硫醚。

公开(公告)号：US5972743A

公开(公告)日：1999-10-26

申请号：US759761

申请日：1996-12-03

申请人： Timothy E. Glassman ,  Thomas H. Baum ,  James V. McManus ,  W. Karl Olander

发明人： Timothy E. Glassman ,  Thomas H. Baum ,  James V. McManus ,  W. Karl Olander

IPC分类号： C23C14/48 ,  C30B31/00 ,  C30B31/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/338 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/26513 ,  C23C14/48 ,  C30B31/00 ,  C30B31/22 ,  Y10S438/914

摘要： A method for n-doping a material layer with antimony, comprising ion implanting antimony from an antimony precursor composition including a compound of the formula SbX.sub.n ((CH.sub.2).sub.y SiR.sub.3).sub.n-3, wherein: n is an integer having a value of 1 or 2; y is an integer having a value of from 1 to 3 inclusive; each R is independently selected from C.sub.1 -C.sub.4 alkyl; and each X is independently selected from halo substituents. The antimony precursor composition may further include a fluorine-containing auxiliary gas, to effect in situ cleaning of the ionization chamber during ion implantation.

摘要翻译： 一种用锑掺杂材料层的方法，包括从包含式SbXn（（CH 2）y SiR 3）n-3的化合物的锑前体组合物离子注入锑，其中：n是具有值1的整数或 2; y为1〜3的整数， 每个R独立地选自C 1 -C 4烷基; 并且每个X独立地选自卤素取代基。 锑前体组合物还可以包括含氟辅助气体，以在离子注入期间实现电离室的原位清洁。

公开(公告)号：US5859274A

公开(公告)日：1999-01-12

申请号：US960915

申请日：1997-10-30

申请人： Thomas H. Baum ,  Gautam Bhandari ,  Margaret Chappuis

发明人： Thomas H. Baum ,  Gautam Bhandari ,  Margaret Chappuis

IPC分类号： C07F9/94

CPC分类号： C07F9/94

摘要： Anhydrous mononuclear tris(.beta.-diketonato)bismuth complexes, useful as precursors for chemical vapor deposition of bismuth, for producing Bi-containing films of significantly improved stoichiometry, morphology and functional character, as compared to films obtained from dinuclear tris(.beta.-diketonato)bismuth complexes of the prior art.

摘要翻译： 与从双核三（β-二酮）衍生的薄膜获得的薄膜相比，无水单核三（β-二酮）铋络合物可用作铋的化学气相沉积的前体，用于生产显着改善的化学计量，形态和功能特征的含Bi薄膜， 现有技术的铋络合物。

公开(公告)号：US5783716A

公开(公告)日：1998-07-21

申请号：US673372

申请日：1996-06-28

申请人： Thomas H. Baum ,  Peter S. Kirlin ,  Sofia Pombrik

发明人： Thomas H. Baum ,  Peter S. Kirlin ,  Sofia Pombrik

IPC分类号： C07C49/12 ,  C07C49/167 ,  C07C49/92 ,  C07F15/00 ,  C07F17/02 ,  C23C14/26 ,  C23C16/18 ,  G06F12/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07C49/92 ,  C07F17/02 ,  H01L28/65

摘要： A platinum source reagent liquid solution, comprising: (i) at least one platinum source compound selected from the group consisting of compounds of the formulae: (A) RCpPt(IV)R'.sub.3 compounds, of the formula: ##STR1## wherein: R is selected from the group consisting of hydrogen, methyl, ethyl, i-propyl, n-propyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, trimethylsilyl and trimethylsilyl methyl; and each R' is independently selected from the group consisting of methyl, ethyl, i-propyl, n-propyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, trimethylsilyl and trimethylsilyl methyl; and (B) Pt(.beta.-diketonates).sub.2 of the formula: ##STR2## wherein: each R" is independently selected from the group consisting of methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, trifluoromethyl, perfluoroethyl, and perfluoro-n-propyl, and (ii) a solvent medium therefor. The platinum source reagent liquid solutions of the invention are readily employed in a chemical vapor deposition process system including a liquid delivery apparatus for volatilizing the source reagent liquid solution and transporting the resulting vapor to the chemical vapor deposition reactor for deposition of platinum on a substrate mounted in the CVD reactor.

摘要翻译： 一种铂源试剂液体溶液，其包含：（i）至少一种铂源化合物，其选自下式的化合物：（A）RCpPt（IV）R'3化合物，其具有下式：其中： R选自氢，甲基，乙基，异丙基，正丙基，正丁基，异丁基，叔丁基，三甲基甲硅烷基和三甲基甲硅烷基甲基; 并且每个R'独立地选自甲基，乙基，异丙基，正丙基，正丁基，异丁基，叔丁基，三甲基甲硅烷基和三甲基甲硅烷基甲基; 和（B）下式的Pt（β-二酮化合物）2：其中：每个R“独立地选自甲基，乙基，正丙基，异丙基，正丁基，异丙基， 丁基，叔丁基，三氟甲基，全氟乙基和全氟正丙基，和（ii）其溶剂介质。 本发明的铂源试剂液体溶液容易地用于包括用于挥发源试剂液体溶液并将所得蒸气输送到化学气相沉积反应器的液体输送装置的化学气相沉积工艺系统中，以将铂沉积在安装的基板上 在CVD反应器中。