公开(公告)号：US09425037B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US13351339

申请日：2012-01-17

申请人： Brian Reiss ,  John Clark ,  Lamon Jones ,  Michael White

发明人： Brian Reiss ,  John Clark ,  Lamon Jones ,  Michael White

IPC分类号： H01L21/02 ,  C09G1/02

CPC分类号： H01L21/02024 ,  C09G1/02

摘要： The invention relates to a chemical-mechanical polishing composition comprising silica, one or more tetraalkylammonium salts, one or more bicarbonate salts, one or more alkali metal hydroxides, one or more aminophosphonic acids, one or more rate accelerator compounds, one or more polysaccharides, and water. The polishing composition reduces surface roughness and PSD of polished substrates. The invention further relates to a method of chemically-mechanically polishing a substrate, especially a silicon substrate, using the polishing composition described herein.

摘要翻译： 本发明涉及一种化学机械抛光组合物，其包括二氧化硅，一种或多种四烷基铵盐，一种或多种碳酸氢盐，一种或多种碱金属氢氧化物，一种或多种氨基膦酸，一种或多种速率促进剂化合物，一种或多种多糖， 和水。 抛光组合物降低抛光基材的表面粗糙度和PSD。 本发明还涉及使用本文所述的抛光组合物对衬底，特别是硅衬底进行化学机械抛光的方法。

公开(公告)号：US09422455B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US14568311

申请日：2014-12-12

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： Sudeep Pallikkara Kuttiatoor ,  Kevin Dockery ,  Prativa Pandey ,  Renhe Jia

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/311 ,  C03C15/00 ,  C23F1/16

CPC分类号： C09G1/02 ,  C03C15/00 ,  C23F1/16 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition containing a ceria abrasive, an ionic polymer of formula I: wherein X1 and X2, Z1 and Z2, R1, R2, R3, and R4, and n are as defined herein, a polyhydroxy aromatic compound, a polyvinyl alcohol, and water, wherein the polishing composition has a pH of about 1 to about 4.5. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the inventive chemical-mechanical polishing composition. Typically, the substrate contains silicon oxide, silicon nitride, and/or polysilicon.

摘要翻译： 本发明提供了含有二氧化铈磨料，式I的离子聚合物的化学机械抛光组合物：其中X1和X2，Z1和Z2，R1，R2，R3和R4以及n如本文所定义，多羟基芳族化合物 ，聚乙烯醇和水，其中所述抛光组合物的pH为约1至约4.5。 本发明还提供了利用本发明的化学 - 机械抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 通常，衬底含有氧化硅，氮化硅和/或多晶硅。

公开(公告)号：US09303188B2

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：US14203647

申请日：2014-03-11

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： Steven Grumbine ,  Jeffrey Dysard ,  Lin Fu ,  William Ward ,  Glenn Whitener

IPC分类号： C09K13/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

摘要： A chemical mechanical polishing composition for polishing a substrate having a tungsten layer includes a water based liquid carrier, a colloidal silica abrasive dispersed in the liquid carrier and having a permanent positive charge of at least 6 mV, and a polycationic amine compound in solution in the liquid carrier. A method for chemical mechanical polishing a substrate including a tungsten layer includes contacting the substrate with the above described polishing composition, moving the polishing composition relative to the substrate, and abrading the substrate to remove a portion of the tungsten from the substrate and thereby polish the substrate.

摘要翻译： 用于研磨具有钨层的基材的化学机械抛光组合物包括水基液体载体，分散在液体载体中的具有至少6mV的永久正电荷的胶态二氧化硅磨料和在该溶液中的聚阳离子胺化合物 液体载体。 用于化学机械抛光包括钨层的基材的方法包括使基底与上述抛光组合物接触，使抛光组合物相对于基底移动，并研磨基底以从基底去除一部分钨，从而抛光 基质。

公开(公告)号：US09238753B2

公开(公告)日：2016-01-19

申请号：US13799920

申请日：2013-03-13

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： Brian Reiss ,  Glenn Whitener

IPC分类号： H01L21/302 ,  C09G1/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition containing a ceria abrasive, one or more nonionic polymers, optionally one or more phosphonic acids, optionally one or more nitrogen-containing zwitterionic compounds, optionally one or more sulfonic acid copolymers, optionally one or more anionic copolymers, optionally one or more polymers comprising quaternary amines, optionally one or more compounds that adjust the pH of the polishing compositions, water, and optionally one or more additives. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the inventive chemical-mechanical polishing composition. Typically, the substrate contains silicon oxide, silicon nitride, and/or polysilicon.

摘要翻译： 本发明提供了一种化学机械抛光组合物，其含有二氧化铈研磨剂，一种或多种非离子聚合物，任选的一种或多种膦酸，任选的一种或多种含氮两性离子化合物，任选的一种或多种磺酸共聚物，任选的一种或多种阴离子 共聚物，任选的一种或多种包含季胺的聚合物，任选的一种或多种调节抛光组合物的pH的化合物，水和任选的一种或多种添加剂。 本发明还提供了利用本发明的化学 - 机械抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 通常，衬底含有氧化硅，氮化硅和/或多晶硅。

公开(公告)号：US09156125B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13444620

申请日：2012-04-11

申请人： Abaneshwar Prasad

发明人： Abaneshwar Prasad

IPC分类号： B24B37/24 ,  B24B37/20

CPC分类号： B24B37/205 ,  B24B37/24

摘要： The invention provides a polishing pad that contains at least one light-transmitting region and optionally a polishing pad body. The light-transmitting region is composed of a material comprising (a) a polymeric resin and (b) at least one light-absorbing compound, and the light-transmitting region has a total light transmittance of about 25% or more at one or more wavelengths in a range of 250 nm to 395 nm.

摘要翻译： 本发明提供了一种抛光垫，其包含至少一个透光区域和任选的抛光垫体。 透光区由包含（a）聚合物树脂和（b）至少一种光吸收化合物的材料构成，并且透光区域在一个或多个处具有约25％以上的总透光率 波长在250nm至395nm的范围内。

公开(公告)号：US08920667B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13754413

申请日：2013-01-30

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： Lin Fu ,  Steven Grumbine ,  Matthias Stender

IPC分类号： C03C15/00 ,  C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31058

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition and a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the chemical-mechanical polishing composition. The polishing composition comprises (a) abrasive particles, wherein the abrasive particles comprise zirconia, (b) at least one metal ion oxidizer, wherein the at least one metal ion oxidizer comprises metal ions of Co3+, Au+, Ag+, Pt2+, Hg2+, Cr3+, Fe3+, Ce4+, or Cu2+, and (c) an aqueous carrier, wherein the pH of the chemical-mechanical polishing composition is in the range of about 1 to about 7, and wherein the chemical-mechanical polishing composition does not contain a peroxy-type oxidizer.

摘要翻译： 本发明提供化学机械抛光组合物和用化学机械抛光组合物对基材进行化学机械研磨的方法。 抛光组合物包含（a）研磨颗粒，其中磨料颗粒包括氧化锆，（b）至少一种金属离子氧化剂，其中至少一种金属离子氧化剂包括Co3 +，Au +，Ag +，Pt2 +，Hg2 +，Cr3 + ，Fe3 +，Ce4 +或Cu2 +，和（c）水性载体，其中化学机械抛光组合物的pH在约1至约7的范围内，并且其中化学机械抛光组合物不含有过氧化物 型氧化器。

公开(公告)号：US08889553B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US12807898

申请日：2010-09-16

申请人： Kang-Hua Lee ,  Wen-Cheng Liu

发明人： Kang-Hua Lee ,  Wen-Cheng Liu

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76898

摘要： A method for polishing Through-Silicon Via (TSV) wafers is provided. The method comprises a step of subjecting the surface of a TSV wafer to a polishing treatment with a polishing composition containing an organic alkaline compound, an oxidizing agent selected from sodium chlorite and/or potassium bromate, silicon oxide abrasive particles, and a solvent to simultaneously remove Si and conductive materials at their respective removal rates. By using the method of this invention, Si and conductive materials can be simultaneously polished at higher removal rates to significantly save the necessary working-hour costs for polishing TSV wafers. A polishing composition used in the above method is also provided.

摘要翻译： 提供了一种用于抛光透明硅（TSV）晶片的方法。 该方法包括使用含有有机碱性化合物，选自亚氯酸钠和/或溴酸钾的氧化剂，氧化硅磨料颗粒和溶剂的抛光组合物对TSV晶片的表面进行抛光处理的步骤 以各自的去除速率除去Si和导电材料。 通过使用本发明的方法，可以以更高的去除速率同时抛光Si和导电材料，以显着地节省抛光TSV晶片所需的工作时间成本。 还提供了用于上述方法的抛光组合物。

公开(公告)号：US08697576B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US12971714

申请日：2010-12-17

申请人： Brian Reiss ,  Timothy Johns ,  Michael White ,  Lamon Jones ,  John Clark

发明人： Brian Reiss ,  Timothy Johns ,  Michael White ,  Lamon Jones ,  John Clark

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/3212

摘要： The invention provides a polishing composition comprising silica, an aminophosphonic acid, a polysaccharide, a tetraalkylammonium salt, a bicarbonate salt, an azole ring, and water, wherein the polishing composition has a pH of about 7 to about 11. The invention further provides a method of polishing a substrate with the polishing composition.

摘要翻译： 本发明提供一种抛光组合物，其包含二氧化硅，氨基膦酸，多糖，四烷基铵盐，碳酸氢盐，唑环和水，其中抛光组合物的pH为约7至约11.本发明还提供了一种 用抛光组合物研磨衬底的方法。

公开(公告)号：US08623767B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13846126

申请日：2013-03-18

申请人： Cabot Microelectronics Corporation

发明人： Vlasta Brusic ,  Christopher Thompson ,  Jeffrey Dysard

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  B24D3/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/03 ,  C23F3/06

摘要： The invention provides compositions and methods for planarizing or polishing a substrate. The composition comprises an abrasive consisting of alumina particles optionally treated with a polymer, an α-hydroxycarboxylic acid, an oxidizing agent that oxidizes at least one metal, polyacrylic acid, optionally, a calcium-containing compound, optionally, a biocide, optionally, a pH adjusting agent, and water. The method uses the composition to chemically-mechanically polish a substrate.

摘要翻译： 本发明提供了用于平坦化或抛光基材的组合物和方法。 该组合物包含由任选用聚合物氧化的氧化铝颗粒，α-羟基羧酸，氧化至少一种金属的氧化剂，任选的含钙化合物，任选的含钙化合物，任选的杀生物剂，任选地， pH调节剂和水。 该方法使用组合物对基材进行化学机械抛光。

公开(公告)号：US08597540B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13554829

申请日：2012-07-20

申请人： Francesco De Rege Thesauro ,  Zhan Chen

发明人： Francesco De Rege Thesauro ,  Zhan Chen

IPC分类号： C09K13/06

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： The invention provides chemical-mechanical polishing (CMP) compositions and methods for polishing a silicon-containing substrate. A method of the invention comprises the steps of contacting a silicon-containing substrate with a polishing pad and an aqueous CMP composition, and causing relative motion between the polishing pad and the substrate while maintaining a portion of the CMP composition in contact with the surface of the substrate to abrade at least a portion of the substrate. The CMP composition comprises a ceria abrasive, a polishing additive bearing a functional group with a pKa of about 4 to about 9, a nonionic surfactant with an hydrophilic portion and a lipophilic portion wherein the hydrophilic portion has a number average molecular weight of about 500 g/mol or higher, and an aqueous carrier, wherein the pH of the composition is 7 or less. The method reduces defects on the wafers, particularly local areas of high removal. The method is also useful for polishing dielectric silicon-containing substrates at a high rate relative to semiconductor silicon-containing substrates.

摘要翻译： 本发明提供用于抛光含硅基材的化学机械抛光（CMP）组合物和方法。 本发明的方法包括以下步骤：使含硅衬底与抛光垫和水性CMP组合物接触，并且在保持CMP组合物的一部分与表面接触的同时引起抛光垫和衬底之间的相对运动 所述衬底磨损所述衬底的至少一部分。 CMP组合物包括二氧化铈研磨剂，具有pKa约4至约9的官能团的抛光添加剂，具有亲水部分和亲油部分的非离子表面活性剂，其中亲水部分的数均分子量为约500g / mol以上，和水性载体，其中组合物的pH为7以下。 该方法减少了晶片上的缺陷，特别是高去除的局部区域。 该方法对于相对于含半导体硅的衬底以高速率抛光介电含硅衬底也是有用的。