公开(公告)号：US20120205620A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13405590

申请日：2012-02-27

申请人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16

摘要： A yellow Light Emitting Diode (LED) with a peak emission wavelength in the range 560-580 nm is disclosed. The LED is grown on one or more III-nitride-based semipolar planes and an active layer of the LED is composed of indium (In) containing single or multi-quantum well structures. The LED quantum wells have a thickness in the range 2-7 nm. A multi-color LED or white LED comprised of at least one semipolar yellow LED is also disclosed.

摘要翻译： 公开了具有560-580nm范围内的峰值发射波长的黄色发光二极管（LED）。 LED在一个或多个III族氮化物基半极平面上生长，并且LED的有源层由包含单量子阱或多量子阱结构的铟（In）组成。 LED量子阱的厚度范围为2-7nm。 还公开了由至少一个半极性黄色LED组成的多色LED或白色LED。

公开(公告)号：US20120199809A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13440087

申请日：2012-04-05

申请人： Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/0075 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： A method of device growth and p-contact processing that produces improved performance for non-polar III-nitride light emitting diodes and laser diodes. Key components using a low defect density substrate or template, thick quantum wells, a low temperature p-type III-nitride growth technique, and a transparent conducting oxide for the electrodes.

摘要翻译： 一种器件生长和p接触处理的方法，其产生非极性III族氮化物发光二极管和激光二极管的改善的性能。 使用低缺陷密度衬底或模板的关键组件，厚量子阱，低温p型III族氮化物生长技术和用于电极的透明导电氧化物。

公开(公告)号：US20120199458A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13367752

申请日：2012-02-07

申请人： Akihiko TAKEMAE ,  Norio Endo ,  Shuji Nakamura ,  Tamotsu Koike ,  Takeshi Nishino

发明人： Akihiko TAKEMAE ,  Norio Endo ,  Shuji Nakamura ,  Tamotsu Koike ,  Takeshi Nishino

IPC分类号： H01H13/70 ,  H01H13/50

CPC分类号： H01H3/125 ,  H01H13/14 ,  H01H13/36 ,  H01H13/702 ,  H01H2203/038 ,  H01H2227/036

摘要： A key switch device including a key top; a pair of link members connected to the key top and interlocked with each other to guide a vertical motion of the key top; a switch mechanism including a membrane sheet switch capable of opening and closing a contact section of an electrical circuit in accordance with the vertical motion of the key top; a flexible thin film sheet attached to the membrane sheet switch; and a housing attached to the thin film sheet, the housing adapted to connect the link members to the thin film sheet.

摘要翻译： 一种钥匙开关装置，包括键顶; 一对连接构件，连接到键顶并互锁，以引导键顶的垂直运动; 开关机构，其包括根据键顶的垂直运动能够打开和闭合电路的接触部分的膜片开关; 安装在薄片开关上的柔性薄膜片; 以及附接到所述薄膜片的壳体，所述壳体适于将所述连接构件连接到所述薄膜片。

公开(公告)号：US08219747B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US12324908

申请日：2008-11-28

申请人： Makio Mizuno ,  Shuji Nakamura ,  Masanori Takada

发明人： Makio Mizuno ,  Shuji Nakamura ,  Masanori Takada

IPC分类号： G06F13/00

CPC分类号： G06F3/0635 ,  G06F3/06 ,  G06F3/0614 ,  G06F3/067 ,  G06F11/1443 ,  G06F13/10 ,  H04L67/1097

摘要： In a storage system including a host computer, and a disk control device connected to the host computer for communications therewith, and performs control over a disk device that stores therein data requested for writing from the host computer, for data transmission from a host interface section or a disk interface section to a memory section, when the data asked by a transmission source for storage is stored in a transmission destination, the transmission destination is put in a first mode for communications of forwarding a response back to the transmission source. With such a configuration, favorably provided is the storage system that offers a guarantee of reliability with the improved processing capabilities thereof.

摘要翻译： 在包括主计算机和连接到主计算机以用于与之通信的磁盘控制装置的存储系统中，并且对从主计算机存储请求写入的数据的磁盘装置进行控制，以从主机接口部分 或磁盘接口部分存储到存储器部分，当由传输源询问用于存储的数据被存储在发送目的地时，发送目的地被置于用于将响应转发回发送源的通信的第一模式中。 利用这种配置，有利地提供了利用其改进的处理能力提供可靠性保证的存储系统。

公开(公告)号：US08188458B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US13099834

申请日：2011-05-03

申请人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. DenBaars ,  Tal Margalith ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Michael D. Craven ,  Stacia Keller ,  Steven P. DenBaars ,  Tal Margalith ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11 20) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1 102) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11 20) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 使用MOCVD在非平面（1120）蓝宝石衬底上生长非极性（11 20）a面GaN层。 这些非极性（11 20）a面GaN层包括用于产生非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20120104360A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13284449

申请日：2011-10-28

申请人： Matthew T. Hardy ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Matthew T. Hardy ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/0075 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

摘要： An (AlInGaN) based semiconductor device, comprising a first layer that is a semipolar or nonpolar nitride (AlInGaN) layer having a lattice constant that is partially or fully relaxed, deposited on a substrate or a template, wherein there are one or more dislocations at a heterointerface between the first layer and the substrate or the template; one or more strain compensated layers on the first layer, for defect reduction and stress engineering in the device, that is lattice matched to a larger lattice constant of the first layer; and one or more nonpolar or semipolar (AlInGaN) device layers on the strain compensated layers.

摘要翻译： 一种基于（AlInGaN）的半导体器件，其包括第一层，其是具有部分或完全弛豫的晶格常数的半极性或非极性氮化物（AlInGaN）层，沉积在衬底或模板上，其中存在一个或多个位错 在第一层和衬底或模板之间的异质界面; 第一层上的一个或多个应变补偿层，用于器件中的缺陷减少和应力工程，其与第一层的较大晶格常数晶格匹配; 以及应变补偿层上的一个或多个非极性或半极性（AlInGaN）器件层。

公开(公告)号：US08166270B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US13102281

申请日：2011-05-06

申请人： Akira Fujibayashi ,  Kazuhisa Fujimoto ,  Shuji Nakamura

发明人： Akira Fujibayashi ,  Kazuhisa Fujimoto ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0631 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0649 ,  G06F3/067 ,  G06F3/0685 ,  Y02D10/154

摘要： A storage control apparatus according to the present invention includes a plurality of connecting units connected to one or more host computers and one or more hard disk drives as storage media for storing data, one or more non-volatile storage media which are of a different type from the hard disk drives and which store data WRITE requested from the host computer, a plurality of processing units for processing WRITE and READ requests from the host computer by using the hard disk drives or the non-volatile storage media and, a plurality of memory units for storing control information to be by the processing units.

摘要翻译： 根据本发明的存储控制装置包括连接到一个或多个主计算机和一个或多个硬盘驱动器的多个连接单元作为用于存储数据的存储介质，一个或多个不同类型的非易失性存储介质 从硬盘驱动器和从主计算机请求存储数据写入的多个处理单元，用于通过使用硬盘驱动器或非易失性存储介质来处理来自主计算机的写入和读取请求;以及多个存储器 用于存储处理单元所要控制信息的单元。

公开(公告)号：US20120074525A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13311986

申请日：2011-12-06

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。

公开(公告)号：US20120074429A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13313335

申请日：2011-12-07

申请人： Bilge M. Imer ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Bilge M. Imer ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262

摘要： A method of growing non-polar m-plane III-nitride film, such as GaN, AlN, AlGaN or InGaN, wherein the non-polar m-plane III-nitride film is grown on a suitable substrate, such as an m-SiC, m-GaN, LiGaO2 or LiAlO2 substrate, using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The method includes performing a solvent clean and acid dip of the substrate to remove oxide from the surface, annealing the substrate, growing a nucleation layer, such as aluminum nitride (AlN), on the annealed substrate, and growing the non-polar m-plane III-nitride film on the nucleation layer using MOCVD.

摘要翻译： 生长非极性m面III族氮化物膜的方法，例如GaN，AlN，AlGaN或InGaN，其中非极性m面III族氮化物膜在合适的衬底上生长，例如m-SiC ，m-GaN，LiGaO2或LiAlO2基板，使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）。 该方法包括进行溶剂清洁和浸渍基底以从表面除去氧化物，退火基底，在退火的基底上生长诸如氮化铝（AlN）的成核层，以及生长非极性m- 使用MOCVD在成核层上的III型氮化物膜。

公开(公告)号：US20120068184A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13308362

申请日：2011-11-30

申请人： Michael D. Craven ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Michael D. Craven ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0237 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth of non-polar III-nitride seed layers reduces threading dislocations in the non-polar III-nitride thin films. First, a thin patterned dielectric mask is applied to the seed layer. Second, a selective epitaxial regrowth is performed to achieve a lateral overgrowth based on the patterned mask. Upon regrowth, the non-polar III-nitride films initially grow vertically through openings in the dielectric mask before laterally overgrowing the mask in directions perpendicular to the vertical growth direction. Threading dislocations are reduced in the overgrown regions by (1) the mask blocking the propagation of dislocations vertically into the growing film and (2) the bending of dislocations through the transition from vertical to lateral growth.

摘要翻译： 非极性III族氮化物种子层的横向外延生长减少了非极性III族氮化物薄膜中的穿透位错。 首先，将薄的图案化电介质掩模施加到种子层。 其次，进行选择性外延再生长以实现基于图案化掩模的横向过度生长。 在再生长时，非极性III族氮化物膜在垂直于垂直生长方向的方向上横向过度生长掩模之前，首先垂直于介电掩模中的开口生长。 通过（1）掩模阻止位错垂直进入生长膜的扩散，以及（2）通过从垂直向侧向生长的过渡的位错弯曲，使得穿越位错在过度生长的区域中减少。