公开(公告)号：US06927112B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10310949

申请日：2002-12-06

申请人： Masanobu Igeta ,  Shintaro Aoyama ,  Hiroshi Shinriki ,  Tsuyoshi Takahashi

发明人： Masanobu Igeta ,  Shintaro Aoyama ,  Hiroshi Shinriki ,  Tsuyoshi Takahashi

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method of nitriding an insulation film, includes the steps of forming nitrogen radicals by high-frequency plasma, and causing nitridation in a surface of an insulation film containing therein oxygen, by supplying the nitrogen radicals to the surface of the insulation film.

摘要翻译： 对绝缘膜进行氮化的方法包括以下步骤：通过在绝缘膜的表面供给氮自由基，通过高频等离子体形成氮自由基，并在其中含有氧的绝缘膜的表面发生氮化。

公开(公告)号：US20070141257A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US10593254

申请日：2005-03-30

申请人： Tsuyoshi Takahashi ,  Shintaro Aoyama

发明人： Tsuyoshi Takahashi ,  Shintaro Aoyama

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/517 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194

摘要： An HTB gas and a disilane gas are introduced into a process chamber (1), and a hafnium silicate film is formed on a silicon substrate (W) by CVD. The film is formed while controlling the substrate temperature by a heater (5) embedded in a susceptor (2) supporting the substrate. The substrate temperature during film formation is controlled not less than the temperature at which HTB is decomposed into hafnium hydroxide and isobutylene and less than the autolysis temperature of the disilane gas, preferably not less than 350° C. and not more than 450° C.

摘要翻译： 将HTB气体和乙硅烷气体引入到处理室（1）中，并且通过CVD在硅衬底（W）上形成硅酸铪膜。 通过嵌入在支撑衬底的基座（2）中的加热器（5）来控制衬底温度而形成膜。 控制成膜时的基板温度不低于HTB分解为氢氧化铪和异丁烯的温度，低于乙硅烷气体的自溶温度，优选为350℃以上450℃以下。

公开(公告)号：US07125799B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10473205

申请日：2002-12-27

申请人： Shintaro Aoyama ,  Masanobu Igeta ,  Hiroshi Shinriki ,  Tsuyoshi Takahashi

发明人： Shintaro Aoyama ,  Masanobu Igeta ,  Hiroshi Shinriki ,  Tsuyoshi Takahashi

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/67167 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A substrate processing method includes the step of removing carbon from a silicon substrate surface and planarizing the silicon substrate surface from which carbon has been removed.

摘要翻译： 基板处理方法包括从硅衬底表面去除碳并且平坦化已经除去碳的硅衬底表面的步骤。

公开(公告)号：US20050170541A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11086396

申请日：2005-03-23

申请人： Masanobu Igeta ,  Shintaro Aoyama ,  Hiroshi Shinriki ,  Tsuyoshi Takahashi

发明人： Masanobu Igeta ,  Shintaro Aoyama ,  Hiroshi Shinriki ,  Tsuyoshi Takahashi

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method of nitriding an insulation film, includes the steps of forming nitrogen radicals by high-frequency plasma, and causing nitridation in a surface of an insulation film containing therein oxygen, by supplying the nitrogen radicals to the surface of the insulation film.

公开(公告)号：US06866890B2

公开(公告)日：2005-03-15

申请号：US10239648

申请日：2001-03-22

申请人： Hideki Kiryu ,  Shintaro Aoyama ,  Tsuyoshi Takahashi ,  Hiroshi Shinriki

发明人： Hideki Kiryu ,  Shintaro Aoyama ,  Tsuyoshi Takahashi ,  Hiroshi Shinriki

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31683 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A method of forming a dielectric film on a Si substrate comprises the steps of adsorbing a gaseous molecular compound of a metal element constituting a dielectric material on a Si substrate, and causing a decomposition of the gaseous molecular compound thus adsorbed by a hydrolysis process or pyrolytic decomposition process or an oxidation process.

摘要翻译： 在Si衬底上形成电介质膜的方法包括以下步骤：将构成电介质材料的金属元素的气态分子化合物吸附在Si衬底上，并通过水解过程或热解产生气态分子化合物的分解 分解过程或氧化过程。

公开(公告)号：US20090269494A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US11910508

申请日：2006-04-03

申请人： Tsuyoshi Takahashi ,  Shintaro Aoyama ,  Takahiro Shinada ,  Masato Kawakami

发明人： Tsuyoshi Takahashi ,  Shintaro Aoyama ,  Takahiro Shinada ,  Masato Kawakami

IPC分类号： C23C16/22 ,  C23C16/46

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/45512 ,  G11B5/85 ,  G11B7/266 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

摘要： A film forming apparatus comprises a processing chamber for holding therein a to-be-processed substrate, a first gas supplying means for supplying into the processing chamber a first vapor source including a metal alkoxide having a tertiary butoxyl group as a ligand, and a second gas supplying means for supplying into the processing chamber a second vapor source including a silicon alkoxide source, wherein the first gas supplying means and the second gas supplying means are connected to a pre-reaction means for causing pre-reactions of the first vapor source and the second vapor source, and the film forming apparatus is configured to supply the first vapor source and the second vapor source after the pre-reactions into the processing chamber.

摘要翻译： 一种成膜设备包括一个用于在其中容纳待处理衬底的处理室，一个第一气体供应装置，用于向处理室供应包括具有叔丁氧基作为配体的金属醇盐的第一蒸气源， 用于向所述处理室供给包括硅醇盐源的第二蒸气源的气体供给装置，其中所述第一气体供给装置和所述第二气体供给装置连接到预反应装置，用于引起所述第一蒸气源和 第二蒸气源和成膜装置构成为将预反应后的第一蒸气源和第二蒸气源供给到处理室。

公开(公告)号：US20080139000A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11972503

申请日：2008-01-10

申请人： Masanobu IGETA ,  Shintaro Aoyama ,  Hiroshi Shinriki ,  Tsuyoshi Takahashi

发明人： Masanobu IGETA ,  Shintaro Aoyama ,  Hiroshi Shinriki ,  Tsuyoshi Takahashi

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method of nitriding an insulation film, includes the steps of forming nitrogen radicals by high-frequency plasma, and causing nitridation in a surface of an insulation film containing therein oxygen, by supplying the nitrogen radicals to the surface of the insulation film.

摘要翻译： 对绝缘膜进行氮化的方法包括以下步骤：通过在绝缘膜的表面供给氮自由基，通过高频等离子体形成氮自由基，并在其中含有氧的绝缘膜的表面发生氮化。

公开(公告)号：US20060207724A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11439999

申请日：2006-05-25

申请人： Hiroshi Shinriki ,  Shintaro Aoyama

发明人： Hiroshi Shinriki ,  Shintaro Aoyama

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： H01L21/02046 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/67028

摘要： A dry cleaning process for removing native oxide at improved efficiency is disclosed. The dry cleaning process minimizes the amount of fluorine atoms absorbed on the surface of a processed substrate. Fluorine radicals are provided to the substrate together with hydrogen radicals. The substrate is processed by the reaction of the fluorine radicals and the hydrogen radicals.

摘要翻译： 公开了一种以更高效率除去天然氧化物的干洗方法。 干洗方法使被处理基材表面上吸收的氟原子的量最小化。 氟基与氢自由基一起提供给基底。 通过氟自由基和氢自由基的反应处理底物。

公开(公告)号：US20060009044A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US10527642

申请日：2003-09-19

申请人： Masanobu Igeta ,  Shintaro Aoyama ,  Hiroshi Shinriki

发明人： Masanobu Igeta ,  Shintaro Aoyama ,  Hiroshi Shinriki

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67017

摘要： A substrate-processing apparatus (100, 40) comprises a radical-forming unit (26) for forming the nitrogen radicals and oxygen radicals through a high-frequency plasma, a processing vessel (21) in which a substrate (W) to be processed is held, and a gas-supplying unit (30) which is connected to the radical-forming unit. The gas-supplying unit (30) controls the mixture ratio between a first raw material gas containing the nitrogen and a second raw material gas containing oxygen, and supplies a mixture gas of a desired mixture ratio to the radical-forming unit. By supplying the nitrogen radicals and oxygen radicals mixed at the controlled mixture ratio to the surface of the substrate, an insulating film having a desired nitrogen concentration is formed on the surface of the substrate.

摘要翻译： 基板处理装置（100,40）包括用于通过高频等离子体形成氮自由基和氧自由基的自由基形成单元（26），处理容器（21），其中待处理的基板（W） 和与自由基形成单元连接的气体供给单元（30）。 气体供给单元（30）控制含有氮的第一原料气体和含有氧的第二原料气体的混合比，并将所需混合比例的混合气体与自由基形成单元供给。 通过将以受控混合比混合的氮自由基和氧自由基提供给基板的表面，在基板的表面上形成具有所需氮浓度的绝缘膜。

公开(公告)号：US06949478B2

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：US10120628

申请日：2002-04-11

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Takashi Imaoka ,  Hisayuki Shimada ,  Nobuhiro Konishi ,  Mizuho Morita ,  Takeo Yamashita ,  Tadashi Shibata ,  Hidetoshi Wakamatsu ,  Jinzo Watanabe ,  Shintaro Aoyama ,  Masakazu Nakamura

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Takashi Imaoka ,  Hisayuki Shimada ,  Nobuhiro Konishi ,  Mizuho Morita ,  Takeo Yamashita ,  Tadashi Shibata ,  Hidetoshi Wakamatsu ,  Jinzo Watanabe ,  Shintaro Aoyama ,  Masakazu Nakamura

IPC分类号： B01J19/08 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  C23C14/02 ,  C23C14/48 ,  C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  G01N23/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/31

CPC分类号： C30B23/02 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  C23C14/022 ,  C23C14/48 ,  C23C16/02 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  Y10S438/903

摘要： A method of forming an oxide film having high insularity capability is performed within an ultra clean environment, using charged particles.

摘要翻译： 使用带电粒子在超清洁环境下进行形成具有高绝缘性的氧化膜的方法。